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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
IRF3808SPBF	-	Richiesta di offerta	3106	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		75 V	106A(Tc)	10 V	7 mOhm a 82 A, 10 V	4 V a 250 µA	220 nC a 10 V	±20 V	5310 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
BCW66F E6327	-	Richiesta di offerta	5312	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW66		330 mW		PG-SOT23	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000															45 V	800 mA		20nA (ICBO)			NPN	450mV a 50mA, 500mA	100 a 100 mA, 1 V	170 MHz
IRF7805ZTRPBF	1.0200	Richiesta di offerta	9600	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF7805	MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		30 V	16A (Ta)	4,5 V, 10 V	6,8 mOhm a 16 A, 10 V	2,25 V a 250 µA	27 nC a 4,5 V	±20 V	2080 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
IRLU3717PBF	-	Richiesta di offerta	7850	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA		MOSFET (ossido di metallo)			I-PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN		20 V	120A (Tc)	4,5 V, 10 V	4 mOhm a 15 A, 10 V	2,45 V a 250 µA	31 nC a 4,5 V	±20 V	2830 pF a 10 V	-	89 W(Tc)
FF75R12YT3BOMA1	-	Richiesta di offerta	7226	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	FF75R12		345 W	Standard	Modulo	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	20	2 Indipendente													-	1200 V	100A	2,3 V a 15 V, 75 A	1 mA	SÌ	5 nF a 25 V
BCR505E6778HTSA1	-	Richiesta di offerta	3943	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR505		330 mW		PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000455114	EAR99	8541.21.0075	3.000															50 V	500 mA		100nA (ICBO)			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 2,5 mA, 50 mA	70 a 50 mA, 5 V	100 MHz	2,2 kOhm	10 kOhm
IPB041N04NGATMA1	-	Richiesta di offerta	7455	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB041N	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		40 V	80A (Tc)	10 V	4,1 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 45 µA	56 nC a 10 V	±20 V	4500 pF a 20 V	-	94 W (Tc)
BC846UE6727HTSA1	-	Richiesta di offerta	9001	Tecnologie Infineon	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	BC846		250 mW		PG-SC74-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000012618	EAR99	8541.21.0075	3.000															65 V	100mA		15nA (ICBO)			2 NPN (doppio)	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	250 MHz
IRF5803	-	Richiesta di offerta	1599	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6		MOSFET (ossido di metallo)			Micro6™(TSOP-6)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	100		Canale P		40 V	3,4A(Ta)	4,5 V, 10 V	112 mOhm a 3,4 A, 10 V	3 V a 250 µA	37 nC a 10 V	±20 V	1110 pF a 25 V	-	2 W (Ta)
IPP042N03LGHKSA1	0,7048	Richiesta di offerta	7462	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP042	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000256161	EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN		30 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,2 mOhm a 30 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	38 nC a 10 V	±20 V	3900 pF a 15 V	-	79 W(Tc)
IRF1404STRRPBF	-	Richiesta di offerta	2212	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRF1404	MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001562994	EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		40 V	162A(Tc)	10 V	4 mOhm a 95 A, 10 V	4 V a 250 µA	200 nC a 10 V	±20 V	7360 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IPB60R099C7ATMA1	6.2800	Richiesta di offerta	5932	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ C7	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB60R099	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		600 V	22A(Tc)	10 V	99 mOhm a 9,7 A, 10 V	4 V a 490 µA	42 nC a 10 V	±20 V	1819 pF a 400 V	-	110 W (Tc)
IRF7807D2TRPBF	-	Richiesta di offerta	6160	Tecnologie Infineon	FETKY™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		30 V	8,3A(Ta)	4,5 V	25 mOhm a 7 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	17 nC a 5 V	±12V		Diodo Schottky (isolato)	2,5 W(Ta)
FF600R12IP4BOSA1	521.2400	Richiesta di offerta	8	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FF600R12		3350 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3	Mezzo ponte													Sosta sul campo di trincea	1200 V	600 A	2,05 V a 15 V, 600 A	5 mA	SÌ	37 nF a 25 V
IPG20N04S4L08ATMA1	1.6900	Richiesta di offerta	25	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	IPG20N	MOSFET (ossido di metallo)	54 W		PG-TDSON-8-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000	2 canali N (doppio)			40 V	20A		8,2 mOhm a 17 A, 10 V	2,2 V a 22 µA	39nC a 10V		3050 pF a 25 V	Porta a livello logico
IRF7748L1TRPBF	-	Richiesta di offerta	4893	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico L6	IRF7748	MOSFET (ossido di metallo)			DIRECTFET L6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		60 V	28A (Ta), 148A (Tc)	10 V	2,2 mOhm a 89 A, 10 V	4 V a 250 µA	220 nC a 10 V	±20 V	8075 pF a 50 V	-	3,3 W (Ta), 94 W (Tc)
SPP02N80C3XKSA1	-	Richiesta di offerta	8098	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SPP02N	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN		800 V	2A(Tc)	10 V	2,7 Ohm a 1,2 A, 10 V	3,9 V a 120 µA	16 nC a 10 V	±20 V	290 pF a 100 V	-	42 W (Tc)
IRFR3910TRLPBF	1.3400	Richiesta di offerta	27	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRFR3910	MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		100 V	16A (Tc)	10 V	115 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	44 nC a 10 V	±20 V	640 pF a 25 V	-	79 W(Tc)
SPD30P06P	-	Richiesta di offerta	5316	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	SPD30P	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P		60 V	30A (Tc)	10 V	75 mOhm a 21,5 A, 10 V	4 V a 1,7 mA	48 nC a 10 V	±20 V	1535 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
PTFA081501E1V4XWSA1	-	Richiesta di offerta	3655	Tecnologie Infineon	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto									scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000373146	EAR99	8541.29.0075	50
IRLR2703TRL	-	Richiesta di offerta	2925	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	23A (Tc)	4 V, 10 V	45 mOhm a 14 A, 10 V	1 V a 250 µA	15 nC a 4,5 V	±16V	450 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
IRF3315SPBF	-	Richiesta di offerta	4629	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		150 V	21A(Tc)	10 V	82 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	95 nC a 10 V	±20 V	1300 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 94 W (Tc)
IPL65R210CFDAUMA2	1.9840	Richiesta di offerta	6383	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CFD2	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-PowerTSFN	IPL65R210	MOSFET (ossido di metallo)			PG-VSON-4	scaricamento	Conformità ROHS3	2A (4 settimane)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		650 V	16,6 A(Tc)	10 V	210 mOhm a 7,3 A, 10 V	4,5 V a 700 µA	68 nC a 10 V	±20 V	1850 pF a 100 V	-	151 W(Tc)
FZ1800R12HP4B9NPSA1	813.2000	Richiesta di offerta	105	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo			10500 W	Standard	AG-IHMB190	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	Interruttore singolo													Trincea	1200 V	2700 A	2,05 V a 15 V, 1,8 kA	5 mA	NO	110 nF a 25 V
IRFR3706PBF	-	Richiesta di offerta	1172	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001555072	EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN		20 V	75A (Tc)	2,8 V, 10 V	9 mOhm a 15 A, 10 V	2 V a 250 µA	35 nC a 4,5 V	±12V	2410 pF a 10 V	-	88 W (Tc)
BFR93AWH6327XTSA1	0,4800	Richiesta di offerta	10	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BFR93		300 mW		PG-SOT323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000			10,5dB~15,5dB												12V	90 mA					NPN		70 a 30 mA, 8 V	6GHz			1,5 dB ~ 2,6 dB a 900 MHz ~ 1,8 GHz
IPDD60R125CFD7XTMA1	5.3000	Richiesta di offerta	5515	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CFD7	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Modulo 10-PowerSOP	IPDD60	MOSFET (ossido di metallo)			PG-HDSOP-10-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.700		CanaleN		600 V	27A(Tc)		125 mOhm a 6,8 A, 10 V	4,5 V a 340 µA	31 nC a 10 V	±20 V	1329 pF a 400 V	-	176 W(Tc)
IRFI4227PBF	3.1800	Richiesta di offerta	3	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IRFI4227	MOSFET (ossido di metallo)			TO-220AB Pacchetto completo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		200 V	26A (Tc)	10 V	25 mOhm a 17 A, 10 V	5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±30 V	4600 pF a 25 V	-	46 W (Tc)
IRF7755GTRPBF	-	Richiesta di offerta	6359	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	IRF775	MOSFET (ossido di metallo)	1 W		8-TSSOP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 canali P (doppio)			20 V	3,9 A		51 mOhm a 3,7 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	17nC a 4,5 V		1090 pF a 15 V	Porta a livello logico
IRFP4004PBF	5.6500	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IRFP4004	MOSFET (ossido di metallo)			TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN		40 V	195A(Tc)	10 V	1,7 mOhm a 195 A, 10 V	4 V a 250 µA	330 nC a 10 V	±20 V	8920 pF a 25 V	-	380 W(Tc)