Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
IPAW60R280P7SE8228XKSA1	0,9364	Richiesta di offerta	6630	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P7	Tubo	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPAW60		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-FP	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	450		CanaleN		600 V	12A (Tc)	10 V	280 mOhm a 3,8 A, 10 V	4 V a 190 µA	18 nC a 10 V	±20 V	761 pF a 400 V	-	24 W (Tc)
63-7000 PBF	-	Richiesta di offerta	6393	Tecnologie Infineon	*	Tubo	Obsoleto				-						-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001547464	OBSOLETO		500
BCR133B6327	-	Richiesta di offerta	2180	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR 133			200 mW		PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	30.000																50 V	100 mA						100nA (ICBO)			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	130 MHz	10 kOhm	10 kOhm
SPP11N65C3HKSA1	-	Richiesta di offerta	1503	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Attivo				SPP11N65						scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000014371	EAR99	8541.29.0095	500					11A(Tc)
IRFL014NTRPBF	0,9400	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	IRFL014		MOSFET (ossido di metallo)			SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		55 V	1,9A(Ta)	10 V	160 mOhm a 1,9 A, 10 V	4 V a 250 µA	11 nC a 10 V	±20 V	190 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
BSL302SNL6327	-	Richiesta di offerta	3651	Tecnologie Infineon	OptiMOS™2	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSOP6-6-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	7.1A (Ta)	4,5 V, 10 V	25 mOhm a 7,1 A, 10 V	2 V a 30 µA	6,6 nC a 5 V	±20 V	750 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
IRGBC40S	-	Richiesta di offerta	1054	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		160 W		TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50															-	600 V	50A		1,8 V a 15 V, 31 A
SPD30N06S2-23	-	Richiesta di offerta	8543	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	SPD30N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3-11	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		55 V	30A (Tc)	10 V	23 mOhm a 21 A, 10 V	4 V a 50 µA	32 nC a 10 V	±20 V	1250 pF a 25 V	-	-
IPD70P04P4L08ATMA1	1.7400	Richiesta di offerta	7769	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD70		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3-313	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P		40 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,8 mOhm a 70 A, 10 V	2,2 V a 120 µA	92 nC a 10 V	±16V	5430 pF a 25 V	-	75 W (Tc)
IRF7752	-	Richiesta di offerta	3236	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	IRF775		MOSFET (ossido di metallo)	1 W		8-TSSOP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	100	2 canali N (doppio)			30 V	4,6A		30 mOhm a 4,6 A, 10 V	2 V a 250 µA	9nC a 4,5 V		861 pF a 25 V	Porta a livello logico
IPP80N06S4L05AKSA2	-	Richiesta di offerta	5016	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP80N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001028716	EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN		60 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,5 mOhm a 40 A, 4,5 V	2,2 V a 60 µA	110 nC a 10 V	±16V	8180 pF a 25 V	-	107 W(Tc)
FF600R06ME3BOSA1	207.8930	Richiesta di offerta	2000	Tecnologie Infineon	EconoDUAL™3	Vassoio	Design non per nuovi	-40°C ~ 150°C	Montaggio su telaio	Modulo	FF600R06			1650 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	2 Indipendente														Sosta sul campo di trincea	600 V	700 A		1,9 V a 15 V, 600 A				5 mA	SÌ	39 nF a 25 V
IPA60R1K0CEXKSA1	1.0600	Richiesta di offerta	470	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPA60R1		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN		600 V	6,8 A(Tc)	10 V	1 Ohm a 1,5 A, 10 V	3,5 V a 130 µA	13 nC a 10 V	±20 V	280 pF a 100 V	-	26 W (TC)
IRFH4253DTRPBF	2.6300	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	IRFH4253		MOSFET (ossido di metallo)	31 W, 50 W		PQFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 canali N (doppio)			25 V	64A, 145A		3,2 mOhm a 30 A, 10 V	2,1 V a 35 µA	15nC a 4,5 V		1314pF a 13V	Porta a livello logico
IPI70N12S3L12AKSA1	-	Richiesta di offerta	5773	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IPI70N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN		120 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	12,1 mOhm a 70 A, 10 V	2,4 V a 83 µA	77 nC a 10 V	±20 V	5550 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
IRFP4232PBF	-	Richiesta di offerta	5091	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Borsa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-247AC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN		250 V	60A (Tc)	10 V	35,7 mOhm a 42 A, 10 V	5 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	7290 pF a 25 V	-	430 W(Tc)
IPP50R140CPHKSA1	-	Richiesta di offerta	2520	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP50R		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN		550 V	23A (Tc)	10 V	140 mOhm a 14 A, 10 V	3,5 V a 930 µA	64 nC a 10 V	±20 V	2540 pF a 100 V	-	192 W(Tc)
IRFR3303PBF	-	Richiesta di offerta	8577	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN		30 V	33A(Tc)	10 V	31 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±20 V	750 pF a 25 V	-	57 W(Tc)
IAUZ30N06S5L140ATMA1	0,9000	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	IAUZ30		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSDSON-8-32	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		60 V	30A(Tj)		14 mOhm a 15 A, 10 V	2,2 V a 10 µA	12,2 nC a 10 V	±16V	888 pF a 30 V	-	33 W (Tc)
IRFR7540TRLPBF	-	Richiesta di offerta	9339	Tecnologie Infineon	HEXFET®, StrongIRFET™	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRFR7540		MOSFET (ossido di metallo)			D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001565094	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		60 V	90A (Tc)	6 V, 10 V	4,8 mOhm a 66 A, 10 V	3,7 V a 100 µA	130 nC a 10 V	±20 V	4360 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
BSZ0911LSATMA1	0,6400	Richiesta di offerta	30	Tecnologie Infineon	OptiMOS™5	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	BSZ0911		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8 FL	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		30 V	12A (Ta), 40A (Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm a 20 A, 10 V	2 V a 250 µA	10 nC a 10 V	±20 V	670 pF a 15 V	-	-
IRF7453TRPBF	-	Richiesta di offerta	5182	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		250 V	2,2A(Ta)	10 V	230 mOhm a 1,3 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	38 nC a 10 V	±30 V	930 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
BSS169IXTSA1	0,3900	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN		100 V	190mA(Ta)	0 V, 10 V	2,9 Ohm a 190 mA, 10 V	1,8 V a 50 µA	2,1 nC a 7 V	±20 V	51 pF a 25 V	-	360 mW(Ta)
IRFR2605	-	Richiesta di offerta	9432	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN		55 V	19A(Tc)	10 V	85 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 250 µA	23 nC a 10 V	±20 V	420 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
IKFW40N60DH3EXKSA1	7.4400	Richiesta di offerta	8867	Tecnologie Infineon	TrenchStop™	Tubo	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IKFW40	Standard		111 W		PG-TO247-3-AI	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V											72 nn	Sosta sul campo di trincea	600 V	34A	90A	2,7 V a 15 V, 30 A	870μJ (acceso), 360μJ (spento)	107 nC	18ns/144ns
IRLU3303	-	Richiesta di offerta	6028	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)			I-PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRLU3303	EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN		30 V	35A (Tc)	4,5 V, 10 V	31 mOhm a 21 A, 10 V	1 V a 250 µA	26 nC a 4,5 V	±16V	870 pF a 25 V	-	68 W(Tc)
IPB065N10N3GATMA1	-	Richiesta di offerta	2372	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB065		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		100 V	80A (Tc)	6 V, 10 V	6,5 mOhm a 80 A, 10 V	3,5 V a 90 µA	64 nC a 10 V	±20 V	4910 pF a 50 V	-	150 W(Tc)
IKW50N65H5AXKSA1	-	Richiesta di offerta	5409	Tecnologie Infineon	Settore automobilistico, AEC-Q101, TrenchStop™	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IKW50N	Standard		270 W		PG-TO247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001187522	EAR99	8541.29.0095	240			400 V, 25 A, 12 Ohm, 15 V											58 ns	Trincea	650 V	80A	150A	2,1 V a 15 V, 50 A	450μJ (acceso), 160μJ (spento)	116 nC	21ns/173ns
IRLS4030TRL7PP	5.3600	Richiesta di offerta	478	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB	IRLS4030		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK (7 conduttori)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		100 V	190A(Tc)	4,5 V, 10 V	3,9 mOhm a 110 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	140 nC a 4,5 V	±16V	11490 pF a 50 V	-	370 W(Tc)
ISC151N20NM6ATMA1	2.5025	Richiesta di offerta	3034	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo										-	Conformità ROHS3						5.000