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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
ICA32V04X1SA1	-	Richiesta di offerta	9634	Tecnologie Infineon	*	Massa	Obsoleto									scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000949952	OBSOLETO	0000.00.0000	1
BSO613SPV	-	Richiesta di offerta	2792	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		MOSFET (ossido di metallo)			PG-DSO-8	scaricare	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P	60 V	3,44A (Ta)	10 V	130 mOhm a 3,44 A, 10 V	4 V a 1 mA	30 nC a 10 V	±20 V	875 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
BC807-40E6327	-	Richiesta di offerta	6398	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			330 mW		PG-SOT23-3-11	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000														45 V	500 mA		100nA (ICBO)			PNP	700mV a 50mA, 500mA	250 a 100 mA, 1 V	200 MHz
FF600R12KE7EHPSA1	310.8200	Richiesta di offerta	10	Tecnologie Infineon	C	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FF600R12			Standard	AG-62MMHB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Invertitore a mezzo ponte												Sosta sul campo di trincea	1200 V	600 A	1,75 V a 15 V, 600 A	100 µA	NO	92,3 nF a 25 V
BSP149L6327HTSA1	-	Richiesta di offerta	5411	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT223-4-21	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	200 V	660mA(Ta)	0 V, 10 V	1,8 Ohm a 660 mA, 10 V	1 V a 400 µA	14 nC a 5 V	±20 V	430 pF a 25 V	Modalità di esaurimento	1,8 W (Ta)
ISC010N06NM5ATMA1	4.2500	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSON-8-3	scaricare	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	60 V	39A (Ta), 330A (Tc)	6 V, 10 V	1,05 mOhm a 50 A, 10 V	3,3 V a 147 µA	143 nC a 10 V	±20 V	11.000 pF a 30 V	-	3 W (Ta), 214 W (Tc)
BDP950H6327XTSA1	0,5094	Richiesta di offerta	5280	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BDP950		5 W		PG-SOT223-4-10	scaricare	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000														60 V	3A		100nA (ICBO)			PNP	500 mV a 200 mA, 2 A	85 a 500 mA, 1 V	100 MHz
PSDC412E11228049NOSA1	-	Richiesta di offerta	8208	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto				PSDC412					-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1
IRG5U100HF12B	-	Richiesta di offerta	3996	Tecnologie Infineon	-	Scatola	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo POWIR® 62			780 W	Standard	POWIR®62	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001537342	EAR99	8541.29.0095	15	Mezzo ponte												-	1200 V	180A	3,5 V a 15 V, 100 A	2 mA	NO	12 nF a 25 V
SPP16N50C3	-	Richiesta di offerta	4647	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	500 V	16A (Tc)	10 V	280 mOhm a 10 A, 10 V	3,9 V a 675 µA	66 nC a 10 V	±20 V	1600 pF a 25 V	-	160 W(Tc)
IRFC4227ED	-	Richiesta di offerta	6007	Tecnologie Infineon	-	Alla rinfusa	Obsoleto									scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001551896	OBSOLETO	0000.00.0000	1				-
SPP12N50C3XKSA1	-	Richiesta di offerta	5456	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SPP12N	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN	500 V	11,6 A(Tc)	10 V	380 mOhm a 7 A, 10 V	3,9 V a 500 µA	49 nC a 10 V	±20 V	1200 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
IPN50R800CEATMA1	0,7200	Richiesta di offerta	18	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CE	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	IPN50R800	MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	500 V	7,6 A(Tc)	13V	800 mOhm a 1,5 A, 13 V	3,5 V a 130 µA	12,4 nC a 10 V	±20 V	280 pF a 100 V	-	5 W (Tc)
BC818K16WH6327XTSA1	0,0712	Richiesta di offerta	8414	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC818		250 mW		PG-SOT323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000														25 V	500 mA		100nA (ICBO)			NPN	700mV a 50mA, 500mA	100 a 100 mA, 1 V	170 MHz
IRLU2703PBF	-	Richiesta di offerta	8324	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA		MOSFET (ossido di metallo)			IPAK (TO-251AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN	30 V	23A (Tc)	4,5 V, 10 V	45 mOhm a 14 A, 10 V	1 V a 250 µA	15 nC a 4,5 V	±16V	450 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
IPP80R360P7XKSA1	2.8400	Richiesta di offerta	21	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P7	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP80R360	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	800 V	13A(Tc)	10 V	360 mOhm a 5,6 A, 10 V	3,5 V a 280 µA	30 nC a 10 V	±20 V	930 pF a 500 V	-	84 W (Tc)
BC846AE6433	0,0200	Richiesta di offerta	330	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			330 mW		PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000														45 V	100 mA		15nA (ICBO)			NPN	600mV a 5mA, 100mA	110 a 2 mA, 5 V	250 MHz
IPW60R099ZH	2.5800	Richiesta di offerta	8493	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto									-				2156-IPW60R099ZH			101
IPB65R600C6	-	Richiesta di offerta	4163	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricare	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	650 V	7,3 A(Tc)	10 V	600 mOhm a 2,1 A, 10 V	3,5 V a 210 µA	23 nC a 10 V	±20 V	440 pF a 100 V	-	63 W (Tc)
IPAN70R900P7SXKSA1	1.1000	Richiesta di offerta	6078	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P7	Tubo	Design non per nuovi	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPAN70	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	700 V	6A (Tc)	10 V	900 mOhm a 1,1 A, 10 V	3,5 V a 60 µA	6,8 nC a 10 V	±16V	211 pF a 400 V	-	17,9 W(Tc)
IRF6717MTR1PBF	-	Richiesta di offerta	7820	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MX isometrico DirectFET™		MOSFET (ossido di metallo)			DIRECTFET™MX	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	25 V	38A (Ta), 200A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,25 mOhm a 38 A, 10 V	2,35 V a 150 µA	69 nC a 4,5 V	±20 V	6750 pF a 13 V	-	2,8 W (Ta), 96 W (Tc)
IRF1324SPBF	-	Richiesta di offerta	7224	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001571208	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	24 V	195A(Tc)	10 V	1,65 mOhm a 195 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	7590 pF a 24 V	-	300 W(Tc)
BCR166WH6327XTSA1	-	Richiesta di offerta	7860	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BCR166		250 mW		PG-SOT323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000														50 V	100 mA		100nA (ICBO)			PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	70 a 5 mA, 5 V	160 MHz	4,7 kOhm	47 kOhm
IPP100N06S205AKSA2	-	Richiesta di offerta	1747	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP100N	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN	55 V	100A (Tc)	10 V	5 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 250 µA	170 nC a 10 V	±20 V	5110 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
IPP60R120P7XKSA1	4.1600	Richiesta di offerta	456	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P7	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP60R120	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	26A (Tc)	10 V	120 mOhm a 8,2 A, 10 V	4 V a 410 µA	36 nC a 10 V	±20 V	1544 pF a 400 V	-	95 W (Tc)
BSS123L6433HTMA1	-	Richiesta di offerta	8129	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT23	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000		CanaleN	100 V	170mA (Ta)	4,5 V, 10 V	6 Ohm a 170 mA, 10 V	1,8 V a 50 µA	2,67 nC a 10 V	±20 V	69 pF a 25 V	-	360 mW(Ta)
IPN50R1K4CEATMA1	0,6700	Richiesta di offerta	3453	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CE	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	IPN50R1	MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	500 V	4,8 A(Tc)	13V	1,4 Ohm a 900 mA, 13 V	3,5 V a 70 µA	8,2 nC a 10 V	±20 V	178 pF a 100 V	-	5 W (Tc)
BCV46E6327HTSA1	0,0820	Richiesta di offerta	6347	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCV46		360 mW		PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000														60 V	500 mA		100nA (ICBO)			PNP-Darlington	1 V a 100 µA, 100 mA	10000 a 100 mA, 5 V	200 MHz
SPA06N60C3XKSA1	-	Richiesta di offerta	9871	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	SPA06N60	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-31	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN	650 V	6,2 A(Tc)	10 V	750 mOhm a 3,9 A, 10 V	3,9 V a 260 µA	31 nC a 10 V	±20 V	620 pF a 25 V	-	32 W (Tc)
FF200R12KS4PHOSA1	195.5800	Richiesta di offerta	8	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	FF200R12		1400 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	8	Mezzo ponte												-	1200 V	275A	3,7 V a 15 V, 200 A	5 mA	NO	13 nF a 25 V