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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
FF450R33T3E3B5P6BPMA1	1.0000	Richiesta di offerta	3454	Tecnologie Infineon	XHP™3	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FF450R33				1000000 W	Standard	AG-XHP100-6	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	6	2 Indipendente																			Sosta sul campo di trincea	3300 V	450 A		2,75 V a 15 V, 450 A					5 mA	NO	84 nF a 25 V
FF800R17KE3B2NOSA1	-	Richiesta di offerta	8400	Tecnologie Infineon	IHM-B	Vassoio	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo					5200 W	Standard	A-IHV130-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2	2 Indipendente																			-	1700 V	1200 A		2,45 V a 15 V, 800 A					5 mA	NO	72 nF a 25 V
IRLS4030-7PPBF	-	Richiesta di offerta	8432	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB				MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK (7 conduttori)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						100 V	190A(Tc)	4,5 V, 10 V	3,9 mOhm a 110 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	140 nC a 4,5 V	±16V	11490 pF a 50 V	-	370 W(Tc)
IRFR5505TRR	-	Richiesta di offerta	9969	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63				MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P						55 V	18A (Tc)	10 V	110 mOhm a 9,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	32 nC a 10 V	±20 V	650 pF a 25 V	-	57 W(Tc)
F3L100R07W2E3B11BOMA1	74.0000	Richiesta di offerta	4234	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo		-40°C~150°C	Montaggio su telaio	Modulo	F3L100				300 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	15	Invertitore trifase																			Sosta sul campo di trincea	650 V	117A		1,9 V a 15 V, 100 A					1 mA	SÌ	6,2 nF a 25 V
BFP720F E6327	-	Richiesta di offerta	7437	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, conduttori piatti	BFP 720				100 mW		4-TSFP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000							10,5dB~28dB														4,7 V	25 mA										NPN		160 a 13 mA, 3 V	45GHz	0,4 dB ~ 1 dB a 150 MHz ~ 10 GHz
IRF3710ZSTRLPBF	1.9600	Richiesta di offerta	26	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRF3710			MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN						100 V	59A(Tc)	10 V	18 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V	2900 pF a 25 V	-	160 W(Tc)
PTFA091201HL V1 R250	-	Richiesta di offerta	1706	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	65 V		Montaggio superficiale	Confezione da 2 pezzi, terminali ad aletta, flangiati	PTFA091201		960 MHz	LDMOS			PG-64248-2	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	250			10μA		750 mA	110 W	18,5dB											-										28 V
BF2040E6814HTSA	0,0900	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	8 V		Montaggio superficiale	TO-253-4, TO-253AA			1GHz	MOSFET			PG-SOT143-4	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000	CanaleN		50 µA		15 mA	-	23dB											1,6dB										5 V
IPU60R1K0CEAKMA1	-	Richiesta di offerta	1283	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CE	Tubo	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPU60R			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO251-3	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato	SP001369532	EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN						600 V	4,3 A(Tc)		1 Ohm a 1,5 A, 10 V	3,5 V a 130 µA	13 nC a 10 V		280 pF a 100 V	-
IRGS4610DPBF	-	Richiesta di offerta	2190	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard			77 W		D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				400 V, 6 A, 47 Ohm, 15 V															74 ns	-	600 V	16A	18A	2 V a 15 V, 6 A	56μJ (acceso), 122μJ (spento)	13 nC	27ns/75ns
BCR116E6393HTSA1	-	Richiesta di offerta	1521	Tecnologie Infineon	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3					200 mW		PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000010750	EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	100 mA							100nA (ICBO)			NPN	300 mV a 500 µA, 10 mA	70 a 5 mA, 5 V	150 MHz
IPB26CN10NGATMA1	-	Richiesta di offerta	9058	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB26C			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						100 V	35A (Tc)	10 V	26 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 39 µA	31 nC a 10 V	±20 V	2070 pF a 50 V	-	71 W(Tc)
IRL7486MTRPBF	2.5900	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	HEXFET®, StrongIRFET™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ ME isometrico	IRL7486			MOSFET (ossido di metallo)			DirectFET™ ME isometrico	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.800		CanaleN						40 V	209A(Tc)	4,5 V, 10 V	1,25 mOhm a 123 A, 10 V	2,5 V a 150 µA	111 nC a 4,5 V	±20 V	6904 pF a 25 V	-	104 W(Tc)
IPP100N12S305AKSA1	5.2700	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP100			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						120 V	100A (Tc)	10 V	5,1 mOhm a 100 A, 10 V	4 V a 240 µA	185 nC a 10 V	±20 V	11570 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
BSM400GA170DLCHOSA1	-	Richiesta di offerta	7728	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto		-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	BSM400				3120 W	Standard	Modulo	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Separare																			-	1700 V	800 A		3,2 V a 15 V, 400 A					1 mA	NO	29 nF a 25 V
IPN95R2K0P7ATMA1	1.2700	Richiesta di offerta	3	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P7	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	IPN95R2			MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						950 V	4A(Tc)	10 V	2 Ohm a 1,7 A, 10 V	3,5 V a 80 µA	10 nC a 10 V	±20 V	330 pF a 400 V	-	7 W (Tc)
BSC042N03MSGATMA1	0,9900	Richiesta di offerta	39	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	BSC042			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8-5	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN						30 V	17A (Ta), 93A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,2 mOhm a 30 A, 10 V	2 V a 250 µA	55 nC a 10 V	±20 V	4300 pF a 15 V	-	2,5 W (Ta), 57 W (Tc)
IPW65R048CFDAFKSA1	18.8100	Richiesta di offerta	240	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™	Tubo	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IPW65R048			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						650 V	63,3 A(Tc)	10 V	48 mOhm a 29,4 A, 10 V	4,5 V a 2,9 mA	270 nC a 10 V	±20 V	7440 pF a 100 V	-	500 W(Tc)
IPI037N06L3GHKSA1	-	Richiesta di offerta	9773	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IPI037N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN						60 V	90A (Tc)	10 V	3,7 mOhm a 90 A, 10 V	2,2 V a 93 µA	79 nC a 4,5 V	±20 V	13.000 pF a 30 V	-	167 W(Tc)
IPD135N08N3GBTMA1	-	Richiesta di offerta	4889	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD135N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						80 V	45A (Tc)	6 V, 10 V	13,5 mOhm a 45 A, 10 V	3,5 V a 33 µA	25 nC a 10 V	±20 V	1730 pF a 40 V	-	79 W(Tc)
BSL372SNH6327XTSA1	-	Richiesta di offerta	7088	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6				MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSOP6-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						100 V	2A (Ta)	4,5 V, 10 V	220 mOhm a 2 A, 10 V	1,8 V a 218 µA	14,3 nC a 10 V	±20 V	329 pF a 25 V	-	2 W (Ta)
IRFH8324TR2PBF	0,6600	Richiesta di offerta	82	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN				MOSFET (ossido di metallo)			PQFN (5x6)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	400		CanaleN						30 V	23A (Ta), 90A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,1 mOhm a 20 A, 10 V	2,35 V a 50 µA	31 nC a 10 V	±20 V	2380 pF a 10 V	-	3,6 W (Ta), 54 W (Tc)
IPB45P03P4L11ATMA2	0,9150	Richiesta di offerta	9219	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB45P			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canale P						30 V	45A (Tc)	4,5 V, 10 V	10,8 mOhm a 45 A, 10 V	2 V a 85 µA	55 nC a 10 V	+5 V, -16 V	3770 pF a 25 V	-	58 W (Tc)
IPD50R380CEATMA1	-	Richiesta di offerta	3896	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CE	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD50R			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						500 V	14.1A (Tc)	13V	380 mOhm a 3,2 A, 13 V	3,5 V a 260 µA	24,8 nC a 10 V	±20 V	584 pF a 100 V	-	98 W (Tc)
BSM300GB60DLCHOSA1	-	Richiesta di offerta	5183	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto		-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	BSM300				1250 W	Standard	Modulo	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	2 Indipendente																			-	600 V	375A		2,45 V a 15 V, 300 A					1 mA	NO	13 nF a 25 V
SIGC81T60NCX1SA5	-	Richiesta di offerta	9990	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	SIGC81T60	Standard					Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		1				300 V, 100 A, 2,2 Ohm, 15 V																TNP	600 V	100A	300 A	2,5 V a 15 V, 100 A	-		95ns/200ns
IRFU13N20DPBF	-	Richiesta di offerta	7605	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA				MOSFET (ossido di metallo)			IPAK (TO-251AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						200 V	13A(Tc)	10 V	235 mOhm a 8 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	38 nC a 10 V	±30 V	830 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IPT010N08NM5ATMA1	7.5200	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSFN	IPT010N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-HSOF-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN						80 V	43A (Ta), 425A (Tc)	6 V, 10 V	1,05 mOhm a 150 A, 10 V	3,8 V a 280 µA	223 nC a 10 V	±20 V	16.000 pF a 40 V	-	3,8 W (Ta), 375 W (Tc)
IRL1404L	-	Richiesta di offerta	8279	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA				MOSFET (ossido di metallo)			TO-262	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRL1404L	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						40 V	160A(Tc)	4,3 V, 10 V	4 mOhm a 95 A, 10 V	3 V a 250 µA	140 nC a 5 V	±20 V	6600 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)