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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
IRF7807TRPBF	-	Richiesta di offerta	3917	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		30 V	8,3A(Ta)	4,5 V	25 mOhm a 7 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	17 nC a 5 V	±12V		-	2,5 W(Ta)
IRFB7787PBF	-	Richiesta di offerta	3641	Tecnologie Infineon	HEXFET®, StrongIRFET™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IRFB7787		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		75 V	76A(Tc)	6 V, 10 V	8,4 mOhm a 46 A, 10 V	3,7 V a 100 µA	109 nC a 10 V	±20 V	4020 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
IRF7468TR	-	Richiesta di offerta	5124	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		40 V	9,4A (Ta)	4,5 V, 10 V	15,5 mOhm a 9,4 A, 10 V	2 V a 250 µA	34 nC a 4,5 V	±12V	2460 pF a 20 V	-	2,5 W(Ta)
IRFR12N25DCTRLP	-	Richiesta di offerta	5461	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		250 V	14A (Tc)	10 V	260 mOhm a 8,4 A, 10 V	5 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±30 V	810 pF a 25 V	-	144 W(Tc)
FS30R06W1E3B11BOMA1	38.0833	Richiesta di offerta	6860	Tecnologie Infineon	EasyPACK™	Vassoio	Attivo	-40°C~150°C	Montaggio su telaio	Modulo	FS30R06			150 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	24	Invertitore trifase														Sosta sul campo di trincea	600 V	45A		2 V a 15 V, 30 A				1 mA	SÌ	1,65 nF a 25 V
IRFR220NTRL	-	Richiesta di offerta	2665	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRFR220		MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		200 V	5A (Tc)	10 V	600 mOhm a 2,9 A, 10 V	4 V a 250 µA	23 nC a 10 V	±20 V	300 pF a 25 V	-	43 W (Tc)
IMZA120R020M1HXKSA1	37.7400	Richiesta di offerta	7572	Tecnologie Infineon	CoolSiC™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4			SiCFET (carburo di silicio)			PG-TO247-4-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		1200 V	98A (Tc)	15 V, 18 V	26,9 mOhm a 41 A, 18 V	5,2 V a 17,6 mA	83 nC a 18 V	+20 V, -5 V	3460 nF a 25 V	-	375 W(Tc)
IRL40T209ATMA1	-	Richiesta di offerta	4592	Tecnologie Infineon	StrongIRFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSFN	IRL40T209		MOSFET (ossido di metallo)			PG-HSOF-8-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN		40 V	300A (Tc)	4,5 V, 10 V	0,72 mOhm a 100 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	269 nC a 4,5 V	±20 V	16.000 pF a 20 V	-	500 W(Tc)
SPD02N60S5BTMA1	-	Richiesta di offerta	2451	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	SPD02N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3-11	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		600 V	1,8 A(Tc)	10 V	3 Ohm a 1,1 A, 10 V	5,5 V a 80 µA	9,5 nC a 10 V	±20 V	240 pF a 25 V	-	25 W (Tc)
IPD35N12S3L24ATMA1	1.4800	Richiesta di offerta	9	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD35N12		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		120 V	35A (Tc)	4,5 V, 10 V	24 mOhm a 35 A, 10 V	2,4 V a 39 µA	39 nC a 10 V	±20 V	2700 pF a 25 V	-	71 W(Tc)
IPW65R045C7300XKSA1	-	Richiesta di offerta	6918	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ C7	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IPW65R		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO247-3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001657312	EAR99	8541.29.0095	240		CanaleN		650 V	46A(Tc)	10 V	45 mOhm a 24,9 A, 10 V	4 V a 1,25 mA	93 nC a 10 V	±20 V	4340 pF a 400 V	-	227 W(Tc)
IRLL024Z	-	Richiesta di offerta	7739	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)			SOT-223	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRLL024Z	EAR99	8541.29.0095	80		CanaleN		55 V	5A (Tc)	4,5 V, 10 V	60 mOhm a 3 A, 10 V	3 V a 250 µA	11 nC a 5 V	±16V	380 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
IKU04N60RBKMA1	-	Richiesta di offerta	3020	Tecnologie Infineon	TrenchStop®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	KU04N	Standard		75 W		PG-TO251-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500			400 V, 4 A, 43 Ohm, 15 V											43 ns	Trincea	600 V	8A	12A	2,1 V a 15 V, 4 A	240μJ	27 nC	14ns/146ns
IGW75N65H5XKSA1	6.7100	Richiesta di offerta	334	Tecnologie Infineon	TrenchStop™	Tubo	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IGW75N65	Standard		395 W		PG-TO247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 75 A, 8 Ohm, 15 V												Trincea	650 V	120A	300 A	2,1 V a 15 V, 75 A	2,25 mJ (acceso), 950 µJ (spento)	160 nC	28ns/174ns
FP75R12N2T4BOSA1	188.0800	Richiesta di offerta	9	Tecnologie Infineon	EconoPIM™2	Vassoio	Interrotto alla SIC	-	-	-	FP75R12				-	-	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	-														-				-
MMBT2222ALT1HTSA1	0,3800	Richiesta di offerta	66	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2222			330 mW		PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																40 V	600 mA						10nA (ICBO)			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	300 MHz
IPAN60R360PFD7SXKSA1	1.6400	Richiesta di offerta	500	Tecnologie Infineon	CoolMOS™PFD7	Tubo	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPAN60		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-FP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		650 V	10A (Tc)	10 V	360 mOhm a 2,9 A, 10 V	4,5 V a 140 µA	12,7 nC a 10 V	±20 V	534 pF a 400 V	-	23 W (Tc)
FF400R17KF4CNOSA1	-	Richiesta di offerta	9813	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo										-						0000.00.0000	1
BFR35AP	0,1000	Richiesta di offerta	3	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo										scaricamento					EAR99	8541.21.0075	3.001
IPU06N03LB G	-	Richiesta di offerta	2589	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPU06N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO251-3	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN		30 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,3 mOhm a 50 A, 10 V	2 V a 40 µA	22 nC a 5 V	±20 V	2800 pF a 15 V	-	94 W (Tc)
IRFHS8342TRPBF	0,5400	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-PowerVDFN	IRFHS8342		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSDSON-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		30 V	8,8 A (Ta), 19 A (Tc)	4,5 V, 10 V	16 mOhm a 8,5 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	8,7 nC a 10 V	±20 V	600 pF a 25 V	-	2,1 W (Ta)
FP15R12W1T4B11BOMA1	45.6300	Richiesta di offerta	5531	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo	-40°C~150°C	Montaggio su telaio	Modulo	FP15R12			130 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	24	Invertitore trifase														-	1200 V	28A		2,25 V a 15 V, 15 A				1 mA	SÌ	890 pF a 25 V
IRF100B202	1.6600	Richiesta di offerta	161	Tecnologie Infineon	HEXFET®, StrongIRFET™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IRF100		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001561488	EAR99	8541.29.0095	100		CanaleN		100 V	97A(Tc)	10 V	8,6 mOhm a 58 A, 10 V	4 V a 150 µA	116 nC a 10 V	±20 V	4476 pF a 50 V	-	221 W(Tc)
IRF3415STRRPBF	-	Richiesta di offerta	3737	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001561524	EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		150 V	43A(Tc)	10 V	42 mOhm a 22 A, 10 V	4 V a 250 µA	200 nC a 10 V	±20 V	2400 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IPU80R1K0CEBKMA1	-	Richiesta di offerta	5784	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPU80R		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO251-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN		800 V	5,7 A(Tc)	10 V	950 mOhm a 3,6 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	31 nC a 10 V	±20 V	785 pF a 100 V	-	83 W (Tc)
IPB80N04S4L04ATMA1	2.1400	Richiesta di offerta	958	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB80N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		40 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	4 mOhm a 80 A, 10 V	2,2 V a 35 µA	60 nC a 10 V	+20 V, -16 V	4690 pF a 25 V	-	71 W(Tc)
IPB04N03LAT	1.2000	Richiesta di offerta	512	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB04N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		25 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,9 mOhm a 55 A, 10 V	2 V a 60 µA	32 nC a 5 V	±20 V	3877 pF a 15 V	-	107 W(Tc)
63-7000 PBF	-	Richiesta di offerta	6393	Tecnologie Infineon	*	Tubo	Obsoleto				-						-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001547464	OBSOLETO		500
IAUC120N04S6N009ATMA1	2.7500	Richiesta di offerta	8758	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	IAUC120		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8-33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		40 V	120A (Tc)	7 V, 10 V	0,9 mOhm a 60 A, 10 V	3,4 V a 90 µA	115 nC a 10 V	±20 V	7360 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
IAUCN04S6N007TATMA1	2.1107	Richiesta di offerta	5678	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo										-	Conformità ROHS3						2.000