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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
IRL3502SPBF	-	Richiesta di offerta	8861	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			20 V	110A (Tc)	4,5 V, 7 V	7 mOhm a 64 A, 7 V	700 mV a 250 µA (min)	110 nC a 4,5 V	±10 V	4700 pF a 15 V	-	140 W(Tc)
IRLC4030EB	-	Richiesta di offerta	1039	Tecnologie Infineon	*	Massa	Obsoleto										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1
IRLR120NTRLPBF	1.2400	Richiesta di offerta	3	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRLR120		MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN			100 V	10A (Tc)	4 V, 10 V	185 mOhm a 6 A, 10 V	2 V a 250 µA	20 nC a 5 V	±16V	440 pF a 25 V	-	48 W (Tc)
64-4092PBF	-	Richiesta di offerta	8564	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IRLU2705		MOSFET (ossido di metallo)			I-PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN			55 V	28A (Tc)	4 V, 10 V	40 mOhm a 17 A, 10 V	2 V a 250 µA	25 nC a 5 V	±16V	880 pF a 25 V	-	68 W(Tc)
BC846SE6433BTMA1	-	Richiesta di offerta	8415	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BC846S			250 mW		PG-SOT363-PO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000																	65 V	100mA						15nA (ICBO)			2 NPN (doppio)	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	250 MHz
FS820R08A6P2LBBPSA1	693.0000	Richiesta di offerta	3	Tecnologie Infineon	HybridPACK™	Vassoio	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FS820R08				Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	6	Invertitore trifase															Sosta sul campo di trincea		820 A		-					NO
IPS50R520CPAKMA1	-	Richiesta di offerta	7632	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPS50R		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO251-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001130978	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	7,1A(Tc)	10 V	520 mOhm a 3,8 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±20 V	680 pF a 100 V	-	66 W (Tc)
IPL65R340CFDAUMA1	1.5121	Richiesta di offerta	9374	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-PowerTSFN	IPL65R340		MOSFET (ossido di metallo)			PG-VSON-4	scaricamento	Conformità ROHS3	2A (4 settimane)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN			650 V	10,9 A(Tc)	10 V	340 mOhm a 4,4 A, 10 V	4,5 V a 400 µA	41 nC a 10 V	±20 V	1100 pF a 100 V	-	104,2 W(Tc)
IPDQ60R022S7AXTMA1	18.4800	Richiesta di offerta	2391	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Modulo 22-PowerBSOP	IPDQ60R		MOSFET (ossido di metallo)			PG-HDSOP-22-1	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	750		CanaleN			600 V	24A (Tc)	12V	22 mOhm a 23 A, 12 V	4,5 V a 1,44 mA	150 nC a 12 V	±20 V	5640 pF a 300 V	-	416 W(Tc)
FP50R12KT4B11BOSA1	-	Richiesta di offerta	5919	Tecnologie Infineon	EconoPIM™2	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FP50R12			280 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Invertitore trifase															Sosta sul campo di trincea	1200 V	50A		2,15 V a 15 V, 50 A				1 mA	SÌ	2,8 nF a 25 V
IPP90R500C3	-	Richiesta di offerta	4780	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP90R		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			900 V	11A(Tc)	10 V	500 mOhm a 6,6 A, 10 V	3,5 V a 740 µA	68 nC a 10 V	±20 V	1700 pF a 100 V	-	156 W(Tc)
FF200R17KE4PHPSA1	202.2650	Richiesta di offerta	1446	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FF200R17			1250 W	Standard	AG-62MMHB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	8	Invertitore a mezzo ponte															Sosta sul campo di trincea	1700 V	310A		2,3 V a 15 V, 200 A				1 mA	NO	18 nF a 25 V
IPP70N04S3-07	-	Richiesta di offerta	6613	Tecnologie Infineon	OptiMOS™T	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	425		CanaleN			40 V	80A (Tc)	10 V	6,5 mOhm a 70 A, 10 V	4 V a 50 µA	40 nC a 10 V	±20 V	2700 pF a 25 V	-	79 W(Tc)
IRF7451	-	Richiesta di offerta	8589	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRF7451	EAR99	8541.29.0095	95		CanaleN			150 V	3,6A(Ta)	10 V	90 mOhm a 2,2 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	41 nC a 10 V	±30 V	990 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
IPU80R600P7AKMA1	1.9200	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P7	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPU80R600		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO251-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN			800 V	8A (Tc)	10 V	600 mOhm a 3,4 A, 10 V	3,5 V a 170 µA	20 nC a 10 V	±20 V	570 pF a 500 V	-	60 W (Tc)
IRF60SC241ARMA1	4.2400	Richiesta di offerta	5406	Tecnologie Infineon	StrongIRFET™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)	IRF60SC241		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-7	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN			60 V	360A(Tc)	6 V, 10 V	1,3 mOhm a 100 A, 10 V	3,7 V a 250 µA	388 nC a 10 V	±20 V	16.000 pF a 30 V	-	2,4 W (Ta), 417 W (Tc)
SPB08P06PGATMA1	-	Richiesta di offerta	2848	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	SPB08P		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canale P			60 V	8,8A(Ta)	10 V	300 mOhm a 6,2 A, 10 V	4 V a 250 µA	13 nC a 10 V	±20 V	420 pF a 25 V	-	42 W (Tc)
FF800R12KL4CNOSA1	-	Richiesta di offerta	8684	Tecnologie Infineon	C	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo				5000 W	-	AG-PRIME2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2	2 Indipendente															-	1200 V	1250 A		2,6 V a 15 V, 800 A				5 mA	NO	56 nF a 25 V
IPAW60R280P7SE8228XKSA1	0,9364	Richiesta di offerta	6630	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P7	Tubo	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPAW60		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-FP	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	450		CanaleN			600 V	12A (Tc)	10 V	280 mOhm a 3,8 A, 10 V	4 V a 190 µA	18 nC a 10 V	±20 V	761 pF a 400 V	-	24 W (Tc)
FF1800R23IE7BPSA1	2.0000	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	PrimePACK™3+ B	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FF1800R				Standard	AG-PRIME3+	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato			8541.29.0095	2	2 Indipendente															-	2300 V	1800 d.C		2,26 V a 15 V, 1,8 kA				30 mA	NO	420 nF a 25 V
IRF8714GPBF	-	Richiesta di offerta	3372	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001551628	EAR99	8541.29.0095	95		CanaleN			30 V	14A (Ta)	4,5 V, 10 V	8,7 mOhm a 14 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	12 nC a 4,5 V	±20 V	1020 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
FF23MR12W1M1B11BOMA1	98.1400	Richiesta di offerta	315	Tecnologie Infineon	CoolSiC™+	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FF23MR12		Carburo di silicio (SiC)	20 mW		Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	SP001602224	EAR99	8541.21.0095	24	2 canali N (doppio)				1200 V (1,2 kV)	50A		23 mOhm a 50 A, 15 V	5,55 V a 20 mA	125 nC a 15 V		3950 pF a 800 V	-
SIGC42T60NCX1SA3	-	Richiesta di offerta	6081	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	Morire	SIGC42T60	Standard				Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		1			300 V, 50 A, 3,3 Ohm, 15 V													TNP	600 V	50A	150A	2,5 V a 15 V, 50 A	-		43ns/130ns
IRG4IBC30KDPBF-INF	-	Richiesta di offerta	9328	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		Standard		45 W		TO220Pacchetto completo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 16 A, 23 Ohm, 15 V												42 ns	-	600 V	17A	34A	2,7 V a 15 V, 16 A	600μJ (acceso), 580μJ (spento)	100 nC	60ns/160ns
BFR460L3E6327XTMA1	0,5100	Richiesta di offerta	12	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	BFR460			200 mW		PG-TSLP-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	15.000				16dB													5,8 V	50mA									NPN		90 a 20 mA, 3 V	22GHz	1,1 dB ~ 1,35 dB a 1,8 GHz ~ 3 GHz
IPF031N13NM6ATMA1	2.7242	Richiesta di offerta	3613	Tecnologie Infineon	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo										-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	448-IPF031N13NM6ATMA1TR			1.000
IKW15T120FKSA1	4.0500	Richiesta di offerta	275	Tecnologie Infineon	TrenchStop®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IKW15T120	Standard		110 W		PG-TO247-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			600 V, 15 A, 56 Ohm, 15 V												140 n	TNP, Fermata ai campi di trincea	1200 V	30A	45A	2,2 V a 15 V, 15 A	2,7 milioni di J	85 nC	50ns/520ns
BSS138WH6327XTSA1	0,4200	Richiesta di offerta	1384	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BSS138		MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN			60 V	280mA (Ta)	4,5 V, 10 V	3,5 Ohm a 200 mA, 10 V	1,4 V a 26 µA	1,5 nC a 10 V	±20 V	43 pF a 25 V	-	500mW (Ta)
IPD50N04S408ATMA1	1.2800	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD50		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3-313	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN			40 V	50A (Tc)	10 V	7,9 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 17 µA	22,4 nC a 10 V	±20 V	1780 pF a 6 V	-	46 W (Tc)
IPD60R400CEAUMA1	1.4600	Richiesta di offerta	15	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CE	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD60R		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-2	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN			600 V	14,7 A(Tc)	10 V	400 mOhm a 3,8 A, 10 V	3,5 V a 300 µA	32 nC a 10 V	±20 V	700 pF a 100 V	-	112 W(Tc)