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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
IRFP140NPBF	2.5300	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IRFP140			MOSFET (ossido di metallo)			TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN						100 V	33A(Tc)	10 V	52 mOhm a 16 A, 10 V	4 V a 250 µA	94 nC a 10 V	±20 V	1.400 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
BCW66G E6327	-	Richiesta di offerta	8911	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW66				330 mW		PG-SOT23	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																					45 V	800 mA							20nA (ICBO)			NPN	450mV a 50mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	170 MHz
IRL2703STRR	-	Richiesta di offerta	1841	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB				MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN						30 V	24A (Tc)	4,5 V, 10 V	40 mOhm a 14 A, 10 V	1 V a 250 µA	15 nC a 4,5 V	±16V	450 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
AIMZH120R060M1TXKSA1	14.0424	Richiesta di offerta	9696	Tecnologie Infineon	*	Tubo	Attivo												-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	448-AIMZH120R060M1TXKSA1			240
BUZ32H3045A	-	Richiesta di offerta	9889	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB				MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						200 V	9,5 A(Tc)	10 V	400 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	530 pF a 25 V	-	75 W (Tc)
PTFA071701FV4R250XTMA1	-	Richiesta di offerta	6551	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	65 V		Montaggio superficiale	Confezione da 2 pezzi, terminali ad aletta, flangiati	PTFA071701		765 MHz	LDMOS			H-37248-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	250			-		900 mA	150 W	18,7dB											-										30 V
IRF8304MTR1PBF	-	Richiesta di offerta	2593	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MX isometrico DirectFET™	IRF8304			MOSFET (ossido di metallo)			DIRECTFET™MX	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						30 V	28A (Ta), 170A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,2 mOhm a 28 A, 10 V	2,35 V a 100 µA	42 nC a 4,5 V	±20 V	4700 pF a 15 V	-	2,8 W (Ta), 100 W (Tc)
IRLR4132TRPBF	1.0700	Richiesta di offerta	9454	Tecnologie Infineon	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo					IRLR4132							scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000
IPU090N03L G	-	Richiesta di offerta	7784	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPU090N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO251-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN						30 V	40A (Tc)	4,5 V, 10 V	9 mOhm a 30 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±20 V	1600 pF a 15 V	-	42 W (Tc)
IPP80N06S208AKSA1	-	Richiesta di offerta	8699	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP80N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN						55 V	80A (Tc)	10 V	8 mOhm a 58 A, 10 V	4 V a 150 µA	96 nC a 10 V	±20 V	2860 pF a 25 V	-	215 W(Tc)
FF600R12IP4BOSA1	521.2400	Richiesta di offerta	8	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FF600R12				3350 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3	Mezzo ponte																			Sosta sul campo di trincea	1200 V	600 A		2,05 V a 15 V, 600 A					5 mA	SÌ	37 nF a 25 V
IRFSL23N20D	-	Richiesta di offerta	1015	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA				MOSFET (ossido di metallo)			TO-262	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRFSL23N20D	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						200 V	24A (Tc)	10 V	100 mOhm a 14 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	86 nC a 10 V	±30 V	1960 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 170 W (Tc)
IRF150P221XKMA1	-	Richiesta di offerta	9963	Tecnologie Infineon	StrongIRFET™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IRF150			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN						150 V	186A(Tc)	10 V	4,5 mOhm a 100 A, 10 V	4,6 V a 264 µA	100 nC a 10 V	±20 V	6000 pF a 75 V	-	341 W(Tc)
BSC017N04NSGATMA1	-	Richiesta di offerta	8507	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN				MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN						40 V	30A (Ta), 100A (Tc)	10 V	1,7 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 85 µA	108 nC a 10 V	±20 V	8800 pF a 20 V	-	2,5 W (Ta), 139 W (Tc)
IRG4PC40UD-EPBF	-	Richiesta di offerta	9517	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IRG4PC40	Standard			160 W		TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	400				480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V															42 ns	-	600 V	40A	160A	2,1 V a 15 V, 20 A	710μJ (acceso), 350μJ (spento)	100 nC	54ns/110ns
PTF141501E V1	-	Richiesta di offerta	3297	Tecnologie Infineon	GOLDMOS®	Vassoio	Obsoleto	65 V		Montaggio superficiale	Confezione da 2 piatti, pinne			1,5GHz	LDMOS			H-30260-2	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			1μA		1,5 A	150 W	16,5dB											-										28 V
IPP084N06L3GXK	-	Richiesta di offerta	1516	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3				MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						60 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,4 mOhm a 50 A, 10 V	2,2 V a 34 µA	29 nC a 4,5 V	±20 V	4900 pF a 30 V	-	79 W(Tc)
IRF3315PBF	-	Richiesta di offerta	3367	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3				MOSFET (ossido di metallo)			TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						150 V	23A (Tc)	10 V	70 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	95 nC a 10 V	±20 V	1300 pF a 25 V	-	94 W (Tc)
IPP026N10NF2SAKMA1	5.7700	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	StrongIRFET™2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP026N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						100 V	27A (Ta), 184A (Tc)	6 V, 10 V	2,6 mOhm a 100 A, 10 V	3,8 V a 169 µA	154 nC a 10 V	±20 V	7300 pF a 50 V	-	3,8 W (Ta), 250 W (Tc)
64-2127PBF	-	Richiesta di offerta	1976	Tecnologie Infineon	*	Tubo	Attivo					64-2127							scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001574284	EAR99	8541.29.0095	50
BC807-25W H6327	-	Richiesta di offerta	4265	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	807 d.C				250 mW		PG-SOT323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																					45 V	500 mA							100nA (ICBO)			PNP	700mV a 50mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	200 MHz
IQD016N08NM5CGATMA1	4.4700	Richiesta di offerta	8331	Tecnologie Infineon	OptiMOS™5	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	9-PowerTDFN	IQD016			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TTFN-9-U02	-	Conformità ROHS3				EAR99	8542.39.0001	5.000		CanaleN						80 V	31A (Ta), 323A (Tc)	6 V, 10 V	1,57 mOhm a 50 A, 10 V	3,8 V a 159 µA	133 nC a 10 V	±20 V	9200 pF a 40 V	-	3 W (Ta), 333 W (Tc)
IPD220N06L3GBTMA1	-	Richiesta di offerta	1293	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD220			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						60 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	22 mOhm a 30 A, 10 V	2,2 V a 11 µA	10 nC a 4,5 V	±20 V	1600 pF a 30 V	-	36 W (Tc)
BDP953E6327HTSA1	-	Richiesta di offerta	6545	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BDP953				5 W		PG-SOT223-4-10	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																					100 V	3A							100nA (ICBO)			NPN	500 mV a 200 mA, 2 A	100 a 500 mA, 1 V	100 MHz
IPD30N06S2L-23	-	Richiesta di offerta	1850	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63				MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3-11	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN						55 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	23 mOhm a 22 A, 10 V	2 V a 50 µA	42 nC a 10 V	±20 V	1091 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
BSP61E6327HTSA1	-	Richiesta di offerta	5055	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BSP61				1,5 W		PG-SOT223-4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																					60 V	1A							10μA			PNP-Darlington	1,8 V a 1 mA, 1 A	2000 a 500 mA, 10 V	200 MHz
BCR133WH6327	-	Richiesta di offerta	8654	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BCR133				250 mW		PG-SOT323-3-1	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	7.123																					50 V	100 mA							100nA (ICBO)			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	130 MHz	10 kOhm	10 kOhm
IPDD60R055CFD7XTMA1	9.0700	Richiesta di offerta	468	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CFD7	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Modulo 10-PowerSOP	IPDD60			MOSFET (ossido di metallo)			PG-HDSOP-10-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.700		CanaleN						600 V	52A(Tc)		55 mOhm a 15,1 A, 10 V	4,5 V a 760 µA	67 nC a 10 V	±20 V	2724 pF a 400 V	-	329 W(Tc)
IQE050N08NM5ATMA1	2.7900	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	IQE050N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSON-8-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN						80 V	16A (Ta), 101A (Tc)	6 V, 10 V	5 mOhm a 20 A, 10 V	3,8 V a 49 µA	43,2 nC a 10 V	±20 V	2900 pF a 40 V	-	2,5 W (Ta), 100 W (Tc)
IPQC60R010S7AXTMA1	33.2200	Richiesta di offerta	5550	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Modulo 22-PowerBSOP				MOSFET (ossido di metallo)			PG-HDSOP-22	-		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	750		CanaleN						600 V	50A (Tc)	12V	10 mOhm a 50 A, 12 V	4,5 V a 3,08 mA	318 nC a 12 V	±20 V		-	694 W(Tc)