Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
BFR92PE6530HTSA1	0,0900	Richiesta di offerta	144	Tecnologie Infineon	*	Massa	Attivo												-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	3.000
FD800R33KL2CKB5NOSA1	-	Richiesta di offerta	3011	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio superficiale	Modulo					9800 W	Standard	Modulo	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000100627	EAR99	8541.29.0095	1	Chopper a doppio freno																		-	3300 V	1500 A		3,65 V a 15 V, 800 A				5 mA	NO	97 nF a 25 V
IRLR3714ZPBF	-	Richiesta di offerta	7036	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63				MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN					20 V	37A(Tc)	4,5 V, 10 V	15 mOhm a 15 A, 10 V	2,55 V a 250 µA	7,1 nC a 4,5 V	±20 V	560 pF a 10 V	-	35 W (Tc)
IRG4RC10SPBF	-	Richiesta di offerta	7513	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRG4RC10SPBF	Standard			38 W		D-Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001537126	EAR99	8541.29.0095	75				480 V, 8 A, 100 Ohm, 15 V															-	600 V	14A	18A	1,8 V a 15 V, 8 A	140 µJ (acceso), 2,58 mJ (spento)	15 nC	25ns/630ns
IPP120N04S401AKSA1	-	Richiesta di offerta	7125	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP120N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN					40 V	120A (Tc)	10 V	1,9 mOhm a 100 A, 10 V	4 V a 140 µA	176 nC a 10 V	±20 V	14.000 pF a 25 V	-	188 W(Tc)
IRF7468	-	Richiesta di offerta	4428	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRF7468	EAR99	8541.29.0095	95		CanaleN					40 V	9,4A (Ta)	4,5 V, 10 V	15,5 mOhm a 9,4 A, 10 V	2 V a 250 µA	34 nC a 4,5 V	±12V	2460 pF a 20 V	-	2,5 W(Ta)
IRG4BC20MDPBF	-	Richiesta di offerta	5715	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard			60 W		TO-220AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				480 V, 11 A, 50 Ohm, 15 V														37 ns	-	600 V	18A	36A	2,1 V a 15 V, 11 A	410 µJ (acceso), 2,03 mJ (spento)	39 nC	21ns/463ns
1D2209NK005U7742	-	Richiesta di offerta	2372	Tecnologie Infineon	*	Massa	Attivo												-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0080	12
AUIRLR024N	-	Richiesta di offerta	9060	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63				MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001523060	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN					55 V	17A(Tc)	4 V, 10 V	65 mOhm a 10 A, 10 V	2 V a 250 µA	15 nC a 5 V	±16V	480 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
IKZA75N65RH5XKSA1	13.8200	Richiesta di offerta	84	Tecnologie Infineon	Trench Stop™ 5	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4	IKZA75	Standard			395 W		PG-TO247-4-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				400 V, 37,5 A, 9 Ohm, 15 V															Sosta sul campo di trincea	650 V	80A	300 A	2,1 V a 15 V, 75 A	310μJ (acceso), 300μJ (spento)	168 nC	25ns/180ns
FZ400R33KL2CB5NOSA1	-	Richiesta di offerta	1991	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Interrotto alla SIC		-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	FZ400				4900 W	Standard	Modulo	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4	Separare																		-	3300 V	750 A		3,65 V a 15 V, 400 A				5 mA	NO	48 nF a 25 V
BCR48PNE6327BTSA1	-	Richiesta di offerta	7847	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR48				250 mW		PG-SOT363-PO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																				50 V	70 mA, 100 mA						-			1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 500 µA, 10 mA	70 a 5 mA, 5 V	100 MHz, 200 MHz	47kOhm, 2,2kOhm	47kOhm
BFN39E6327HTSA1	-	Richiesta di offerta	1348	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA					1,5 W		PG-SOT223-4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																				300 V	200mA						100nA (ICBO)			PNP	500 mV a 2 mA, 20 mA	30 a 30 mA, 10 V	100 MHz
IRFR3103TRL	-	Richiesta di offerta	4564	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63				MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN					400 V	1,7A(Ta)	10 V	3,6 Ohm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	12 nC a 10 V	±20 V	170 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 25 W (Tc)
SPW24N60C3FKSA1	7.4900	Richiesta di offerta	111	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	SPW24N60			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO247-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					650 V	24,3 A(Tc)	10 V	160 mOhm a 15,4 A, 10 V	3,9 V a 1,2 mA	135 nC a 10 V	±20 V	3000 pF a 25 V	-	240 W(Tc)
IPP100N04S2L03AKSA1	-	Richiesta di offerta	2849	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP100N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN					40 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,3 mOhm a 80 A, 10 V	2 V a 250 µA	230 nC a 10 V	±20 V	6000 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
IPD900P06NMATMA1	1.1600	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD90			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3-313	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P					60 V	16,4 A(Tc)	10 V	90 mOhm a 16,4 A, 10 V	4 V a 710 µA	27 nC a 10 V	±20 V	1100 pF a 30 V	-	63 W (Tc)
IRFB3306GPBF	1.8300	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Design non per nuovi		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IRFB3306			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					60 V	120A (Tc)	10 V	4,2 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	120 nC a 10 V	±20 V	4520 pF a 50 V	-	230 W(Tc)
ISS06P010LXTSA1	-	Richiesta di offerta	6713	Tecnologie Infineon	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto					ISS06P							-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001728022	OBSOLETO	0000.00.0000	3.000
IPP147N12N3GXKSA1	2.0100	Richiesta di offerta	11	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP147			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					120 V	56A (Ta)	10 V	14,7 mOhm a 56 A, 10 V	4 V a 61 µA	49 nC a 10 V	±20 V	3220 pF a 60 V	-	107 W(Tc)
BCR133F E6327	-	Richiesta di offerta	3788	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	SOT-723	BCR 133				250 mW		PG-TSFP-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																				50 V	100 mA						100nA (ICBO)			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	130 MHz	10 kOhm	10 kOhm
BUZ77B	-	Richiesta di offerta	5622	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3				MOSFET (ossido di metallo)			TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					600 V	2,9 A(Tc)	10 V	3,5 Ohm a 1,7 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	690 pF a 25 V	-	75 W (Tc)
IPW65R050CFD7AXKSA1	12.6000	Richiesta di offerta	2055	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A	Tubo	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IPW65R050			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO247-3-41	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN					650 V	45A (Tc)	10 V	50 mOhm a 24,8 A, 10 V	4,5 V a 1,24 mA	102 nC a 10 V	±20 V	4975 pF a 400 V	-	227 W(Tc)
PTFA220081MV4S500XUMA1	-	Richiesta di offerta	9006	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				-			-	-			-	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato	SP000838882	EAR99	8541.29.0095	500	-		-		-	-											-
FF4MR12KM1HHPSA1	499.8000	Richiesta di offerta	3226	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo					FF4MR12			-				-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato				10															-
SPI07N60S5HKSA1	-	Richiesta di offerta	7945	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	SPI07N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					600 V	7,3 A(Tc)	10 V	600 mOhm a 4,6 A, 10 V	5,5 V a 350 µA	35 nC a 10 V	±20 V	970 pF a 25 V	-	83 W (Tc)
PXFC192207SHV1R250XTMA1	-	Richiesta di offerta	5702	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	28 V			H-37248G-4/2	PXFC192207		1.805GHz~1,99GHz	LDMOS			H-37288G-4/2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001282070	EAR99	8541.29.0095	250	Doppio		10μA		50 W	20dB											-
IPB60R099CPATMA1	9.4000	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	CoolMOS™CP	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB60R099			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN					600 V	31A(Tc)	10 V	99 mOhm a 18 A, 10 V	3,5 V a 1,2 mA	80 nC a 10 V	±20 V	2800 pF a 100 V	-	255 W(Tc)
IRLR2905TRPBF	1.5600	Richiesta di offerta	31	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRLR2905			MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN					55 V	42A(Tc)	4 V, 10 V	27 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 250 µA	48 nC a 5 V	±16V	1700 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IKW40N60DTPXKSA1	3.5100	Richiesta di offerta	226	Tecnologie Infineon	TrenchStop™	Tubo	Design non per nuovi		-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IKW40N60	Standard			246 W		PG-TO247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				400 V, 40 A, 10,1 Ohm, 15 V														87 ns	Sosta sul campo di trincea	600 V	67A	120A	1,8 V a 15 V, 40 A	1,06 mJ (acceso), 610 µJ (spento)	177 nC	18ns/222ns