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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
IPB720P15LMATMA1	6.0400	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB720P	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canale P	150 V	4,6 A (Ta), 41 A (Tc)	4,5 V, 10 V	72 mOhm a 37 A, 10 V	2 V a 5,55 mA	224 nC a 10 V	±20 V	11.000 pF a 75 V	-	3,8 W (Ta), 300 W (Tc)
aC 808-25 E6327	-	Richiesta di offerta	1552	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	808 d.C		330 mW		PG-SOT23	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000														25 V	500 mA		100nA (ICBO)			PNP	700mV a 50mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	200 MHz
AIMZHN120R040M1TXKSA1	19.7280	Richiesta di offerta	7609	Tecnologie Infineon	*	Tubo	Attivo									-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	448-AIMZHN120R040M1TXKSA1			240
IAUA120N04S5N014AUMA1	2.7400	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	5-PowerSFN		MOSFET (ossido di metallo)			PG-HSOF-5-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	40 V	120A (Tc)	7 V, 10 V	1,4 mOhm a 60 A, 10 V	3,4 V a 60 µA	82 nC a 10 V	±20 V	4828 pF a 25 V	-	136 W(Tc)
FS100R12KT4GPNPSA1	-	Richiesta di offerta	7220	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo			515 W	Standard	Modulo	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a ponte intero												Sosta sul campo di trincea	1200 V	100A	2,2 V a 15 V, 100 A	1 mA	SÌ	6,3 nF a 25 V
AUIRFZ44NSTRL	1.1600	Richiesta di offerta	800	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)			D²PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	55 V	49A(Tc)		17,5 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 250 µA	63 nC a 10 V		1470 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 94 W (Tc)
FS25R12YT3BOMA1	-	Richiesta di offerta	3906	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	FS25R12		165 W	Standard	Modulo	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	20	Invertitore trifase												-	1200 V	40A	2,15 V a 15 V, 25 A	5 mA	SÌ	1,8 nF a 25 V
IPG20N04S408ATMA1	1.8300	Richiesta di offerta	14	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	IPG20N	MOSFET (ossido di metallo)	65 W		PG-TDSON-8-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000	2 canali N (doppio)		40 V	20A		7,6 mOhm a 17 A, 10 V	4 V a 30 µA	36nC a 10V		2940 pF a 25 V	-
IPD90N06S404ATMA1	-	Richiesta di offerta	5955	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD90	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3-11	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	60 V	90A (Tc)	10 V	3,8 mOhm a 90 A, 10 V	4 V a 90 µA	128 nC a 10 V	±20 V	10.400 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
IRFR5410TRPBF	1.7700	Richiesta di offerta	10	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRFR5410	MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		Canale P	100 V	13A(Tc)	10 V	205 mOhm a 7,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	58 nC a 10 V	±20 V	760 pF a 25 V	-	66 W (Tc)
IRF7306TR	-	Richiesta di offerta	2490	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF73	MOSFET (ossido di metallo)	2 W		8-SO	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001551228	EAR99	8541.29.0095	4.000	2 canali P (doppio)		30 V	3,6 A		100 mOhm a 1,8 A, 10 V	1 V a 250 µA	25nC a 10V		440 pF a 25 V	Porta a livello logico
IFF2400P17AE4BPSA1	-	Richiesta di offerta	8002	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 65°C (TA)	-	Modulo				-	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte												-	1700 V		-		NO
IPA60R380E6XKSA1	2.6200	Richiesta di offerta	6607	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPA60R380	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	10,6 A(Tc)	10 V	380 mOhm a 3,8 A, 10 V	3,5 V a 320 µA	32 nC a 10 V	±20 V	700 pF a 100 V	-	31 W (Tc)
IRF4905PBF	2.8100	Richiesta di offerta	76	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IRF4905	MOSFET (ossido di metallo)			TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		Canale P	55 V	74A(Tc)	10 V	20 mOhm a 38 A, 10 V	4 V a 250 µA	180 nC a 10 V	±20 V	3400 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
IPD60R380C6	-	Richiesta di offerta	9144	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ C6	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD60R	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	600 V	10,6 A(Tc)	10 V	380 mOhm a 3,8 A, 10 V	3,5 V a 320 µA	32 nC a 10 V	±20 V	700 pF a 100 V	-	83 W (Tc)
FP40R12KE3BPSA1	118.4600	Richiesta di offerta	15	Tecnologie Infineon	SmartPIM1	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FP40R12		210 W	Raddrizzatore a ponte trifase	AG-ECONO2C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	15	Invertitore trifase												Sosta sul campo di trincea	1200 V	55A	2,15 V a 15 V, 40 A	1 mA	SÌ	2,5 nF a 25 V
IAUC100N04S6N028ATMA1	1.1700	Richiesta di offerta	17	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	IAUC100	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	40 V	100A (Tc)	7 V, 10 V	2,86 mOhm a 50 A, 10 V	3 V a 24 µA	29 nC a 10 V	±20 V	1781 pF a 25 V	-	62 W (Tc)
IRLR014NPBF	-	Richiesta di offerta	9654	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	6.000		CanaleN	55 V	10A (Tc)	4,5 V, 10 V	140 mOhm a 6 A, 10 V	1 V a 250 µA	7,9 nC a 5 V	±16V	265 pF a 25 V	-	28 W (Tc)
IPG20N06S2L35ATMA1	1.3200	Richiesta di offerta	6008	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	IPG20N	MOSFET (ossido di metallo)	65 W		PG-TDSON-8-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000	2 canali N (doppio)		55 V	20A		35 mOhm a 15 A, 10 V	2 V a 27 µA	23nC a 10V		790 pF a 25 V	Porta a livello logico
SPI47N10	-	Richiesta di offerta	2817	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	SPI47N	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3-1	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000013951	EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN	100 V	47A(Tc)	10 V	33 mOhm a 33 A, 10 V	4 V a 2 mA	105 nC a 10 V	±20 V	2500 pF a 25 V	-	175 W(Tc)
IRF3805LPBF	-	Richiesta di offerta	3324	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA		MOSFET (ossido di metallo)			TO-262	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001574608	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	55 V	75A (Tc)	10 V	3,3 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	290 nC a 10 V	±20 V	7960 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
SPB80N03S2L-03	-	Richiesta di offerta	4317	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	SPB80N	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	30 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,8 mOhm a 80 A, 10 V	2 V a 250 µA	220 nC a 10 V	±20 V	8180 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
IRF9Z24NL	-	Richiesta di offerta	7103	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA		MOSFET (ossido di metallo)			TO-262	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRF9Z24NL	EAR99	8541.29.0095	50		Canale P	55 V	12A (Tc)	10 V	175 mOhm a 7,2 A, 10 V	4 V a 250 µA	19 nC a 10 V	±20 V	350 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 45 W (Tc)
IPD90N04S40-4ATMA1	1.0000	Richiesta di offerta	6641	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD90	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3-313	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	40 V	90A (Tc)	10 V	4,1 mOhm a 90 A, 10 V	4 V a 35,2 mA	43 nC a 10 V	±20 V	3440 pF a 25 V	-	71 W(Tc)
F417MR12W1M1HB70BPSA1	164.4200	Richiesta di offerta	3853	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo									-	Conformità ROHS3						24
IPI80N06S3-05	-	Richiesta di offerta	1530	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IPI80N	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN	55 V	80A (Tc)	10 V	5,4 mOhm a 63 A, 10 V	4 V a 110 µA	240 nC a 10 V	±20 V	10760 pF a 25 V	-	165 W(Tc)
IRFC240NB	-	Richiesta di offerta	1279	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	Morire		MOSFET (ossido di metallo)			Morire	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	448-IRFC240NB	OBSOLETO		1		-	200 V	-	-	-	-		-		-	-
IRF3000PBF	-	Richiesta di offerta	3125	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRF3000PBF	EAR99	8541.29.0095	95		CanaleN	300 V	1,6A(Ta)	10 V	400 mOhm a 960 mA, 10 V	5 V a 250 µA	33 nC a 10 V	±30 V	730 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
IPD70N10S3L12ATMA1	2.6300	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD70	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3-11	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	100 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	11,5 mOhm a 70 A, 10 V	2,4 V a 83 µA	77 nC a 10 V	±20 V	5550 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
IPD60R600P6	-	Richiesta di offerta	5090	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P6	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD60R	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	600 V	7,3 A(Tc)	10 V	600 mOhm a 2,4 A, 10 V	-	12 nC a 10 V	±20 V	557 pF a 100 V	-	63 W (Tc)