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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
IPB80N06S4L07ATMA1	-	Richiesta di offerta	3323	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB80N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		60 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,4 mOhm a 80 A, 10 V	2,2 V a 40 µA	75 nC a 10 V	±16V	5680 pF a 25 V	-	79 W(Tc)
FS770R08A6P2BBPSA1	502.7400	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	HybridPACK™	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FS770R08			654 W	Standard	AG-HYBRIDD-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	6	Invertitore trifase														Sosta sul campo di trincea	750 V	450 A		1,35 V a 15 V, 450 A				1 mA	SÌ	80 nF a 50 V
FZ2000R33HE4BOSA1	2.0000	Richiesta di offerta	10	Tecnologie Infineon	IHM-B	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FZ2000			4,2 mW	Standard	AG-IHVB190-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Interruttore singolo														Sosta sul campo di trincea	3300 V	2000 A		2,2 V a 15 V, 2 kA (tip.)				5 mA	NO	280 nF a 25 V
IRG7PH46U-EP	-	Richiesta di offerta	3809	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IRG7PH	Standard		469 W		TO-247 d.C	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001537550	EAR99	8541.29.0095	25			600 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V												Trincea	1200 V	130A	160A	2 V a 15 V, 40 A	2,56 mJ (acceso), 1,78 mJ (spento)	220 nC	45ns/410ns
IRF7353D2TRPBF	-	Richiesta di offerta	5930	Tecnologie Infineon	FETKY™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		30 V	6,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	29 mOhm a 5,8 A, 10 V	1 V a 250 µA	33 nC a 10 V	±20 V	650 pF a 25 V	Diodo Schottky (isolato)	2 W (Ta)
IAUZ40N10S5L120ATMA1	0,6886	Richiesta di offerta	6955	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSDSON-8-33	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		100 V	46A(Tj)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 27 µA	22,6 nC a 10 V	±20 V	1589 pF a 50 V	-	62 W (Tc)
IRFS3306TRLPBF	2.8500	Richiesta di offerta	15	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRFS3306		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		60 V	120A (Tc)	10 V	4,2 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	120 nC a 10 V	±20 V	4520 pF a 50 V	-	230 W(Tc)
IAUC120N06S5L011ATMA1	1.4380	Richiesta di offerta	5673	Tecnologie Infineon	OptiMOS™5	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8-53	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		60 V	310A(Tj)	4,5 V, 10 V	1,1 mOhm a 60 A, 10 V	2,2 V a 130 µA	160 nC a 10 V	±20 V	11.400 pF a 30 V	-	188 W(Tc)
BC846B E6327	-	Richiesta di offerta	5419	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	846 d.C			330 mW		PG-SOT23	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																65 V	100 mA						15nA (ICBO)			NPN	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	250 MHz
IRF1404L	-	Richiesta di offerta	1051	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)			TO-262	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRF1404L	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		40 V	162A(Tc)	10 V	4 mOhm a 95 A, 10 V	4 V a 250 µA	200 nC a 10 V	±20 V	7360 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
FP75R12N2T4BOSA1	188.0800	Richiesta di offerta	9	Tecnologie Infineon	EconoPIM™2	Vassoio	Interrotto alla SIC	-	-	-	FP75R12				-	-	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	-														-				-
IRFHS8342TRPBF	0,5400	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-PowerVDFN	IRFHS8342		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSDSON-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		30 V	8,8 A (Ta), 19 A (Tc)	4,5 V, 10 V	16 mOhm a 8,5 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	8,7 nC a 10 V	±20 V	600 pF a 25 V	-	2,1 W (Ta)
IPA50R299CPXKSA1079	-	Richiesta di offerta	1497	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-31	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		500 V	12A (Tc)	10 V	299 mOhm a 6,6 A, 10 V	3,5 V a 440 µA	31 nC a 10 V	±20 V	1190 pF a 100 V	-	104 W(Tc)
BSM50GX120DN2BPSA1	214.4100	Richiesta di offerta	6559	Tecnologie Infineon	*	Vassoio	Acquisto per l'ultima volta				BSM50G						-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	15
BSP129H6327XTSA1	0,8700	Richiesta di offerta	5	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BSP129		MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT223-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		240 V	350mA(Ta)	0 V, 10 V	6 Ohm a 350 mA, 10 V	1 V a 108 µA	5,7 nC a 5 V	±20 V	108 pF a 25 V	Modalità di esaurimento	1,8 W (Ta)
IPB80N04S4L04ATMA1	2.1400	Richiesta di offerta	958	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB80N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		40 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	4 mOhm a 80 A, 10 V	2,2 V a 35 µA	60 nC a 10 V	+20 V, -16 V	4690 pF a 25 V	-	71 W(Tc)
IRF7807TRPBF	-	Richiesta di offerta	3917	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		30 V	8,3A(Ta)	4,5 V	25 mOhm a 7 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	17 nC a 5 V	±12V		-	2,5 W(Ta)
IRF7338TRPBF	-	Richiesta di offerta	5915	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF733		MOSFET (ossido di metallo)	2 W		8-SO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000	Canali N e P			12V	6,3 A, 3 A		34 mOhm a 6 A, 4,5 V	1,5 V a 250 µA	8,6 nC a 4,5 V		640 pF a 9 V	Porta a livello logico
IPU06N03LB G	-	Richiesta di offerta	2589	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPU06N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO251-3	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN		30 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,3 mOhm a 50 A, 10 V	2 V a 40 µA	22 nC a 5 V	±20 V	2800 pF a 15 V	-	94 W (Tc)
IPB04N03LAT	1.2000	Richiesta di offerta	512	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB04N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		25 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,9 mOhm a 55 A, 10 V	2 V a 60 µA	32 nC a 5 V	±20 V	3877 pF a 15 V	-	107 W(Tc)
FP15R12W1T4B11BOMA1	45.6300	Richiesta di offerta	5531	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo	-40°C~150°C	Montaggio su telaio	Modulo	FP15R12			130 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	24	Invertitore trifase														-	1200 V	28A		2,25 V a 15 V, 15 A				1 mA	SÌ	890 pF a 25 V
IAUC120N04S6N009ATMA1	2.7500	Richiesta di offerta	8758	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	IAUC120		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8-33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		40 V	120A (Tc)	7 V, 10 V	0,9 mOhm a 60 A, 10 V	3,4 V a 90 µA	115 nC a 10 V	±20 V	7360 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
MMBT2222ALT1HTSA1	0,3800	Richiesta di offerta	66	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2222			330 mW		PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																40 V	600 mA						10nA (ICBO)			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	300 MHz
AIHD04N60RFATMA1	-	Richiesta di offerta	5376	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AIHD04	Standard		75 W		PG-TO252-3-313	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001346858	EAR99	8541.29.0095	2.500			400 V, 4 A, 43 Ohm, 15 V												Sosta sul campo di trincea	600 V	8A	12A	2,5 V a 15 V, 4 A	60μJ (acceso), 50μJ (spento)	27 nC	12ns/116ns
IPB100N04S4H2ATMA1	2.9300	Richiesta di offerta	3	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB100		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		40 V	100A (Tc)	10 V	2,4 mOhm a 100 A, 10 V	4 V a 70 µA	90 nC a 10 V	±20 V	7180 pF a 25 V	-	115 W(Tc)
PTFA091503ELV4R250XTMA1	-	Richiesta di offerta	7005	Tecnologie Infineon	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto										scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato	SP000862070	EAR99	8541.29.0095	250
IKU04N60RBKMA1	-	Richiesta di offerta	3020	Tecnologie Infineon	TrenchStop®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	KU04N	Standard		75 W		PG-TO251-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500			400 V, 4 A, 43 Ohm, 15 V											43 ns	Trincea	600 V	8A	12A	2,1 V a 15 V, 4 A	240μJ	27 nC	14ns/146ns
IGW75N65H5XKSA1	6.7100	Richiesta di offerta	334	Tecnologie Infineon	TrenchStop™	Tubo	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IGW75N65	Standard		395 W		PG-TO247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 75 A, 8 Ohm, 15 V												Trincea	650 V	120A	300 A	2,1 V a 15 V, 75 A	2,25 mJ (acceso), 950 µJ (spento)	160 nC	28ns/174ns
IRF100B202	1.6600	Richiesta di offerta	161	Tecnologie Infineon	HEXFET®, StrongIRFET™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IRF100		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001561488	EAR99	8541.29.0095	100		CanaleN		100 V	97A(Tc)	10 V	8,6 mOhm a 58 A, 10 V	4 V a 150 µA	116 nC a 10 V	±20 V	4476 pF a 50 V	-	221 W(Tc)
IMZA120R020M1HXKSA1	37.7400	Richiesta di offerta	7572	Tecnologie Infineon	CoolSiC™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4			SiCFET (carburo di silicio)			PG-TO247-4-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		1200 V	98A (Tc)	15 V, 18 V	26,9 mOhm a 41 A, 18 V	5,2 V a 17,6 mA	83 nC a 18 V	+20 V, -5 V	3460 nF a 25 V	-	375 W(Tc)