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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
BSM300GA160DN13CB7HOSA1	129.6500	Richiesta di offerta	74	Tecnologie Infineon	*	Massa	Obsoleto				BSM300						-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-BSM300GA160DN13CB7HOSA1	EAR99	8541.29.0095	1
IRLR4343TRR	-	Richiesta di offerta	9984	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		55 V	26A (Tc)	4,5 V, 10 V	50 mOhm a 4,7 A, 10 V	1 V a 250 µA	42 nC a 10 V	±20 V	740 pF a 50 V	-	79 W(Tc)
FZ400R12KE3HOSA1	146.4500	Richiesta di offerta	10	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	FZ400R12			2250 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Separare														-	1200 V	650 A		2,15 V a 15 V, 400 A				5 mA	NO	28 nF a 25 V
BSC430N25NSFDATMA1	5.2000	Richiesta di offerta	3509	Tecnologie Infineon	OptiMOS™, StrongIRFET™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	BSC430		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSON-8-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		250 V	36A(Tc)	-	-	-		±20 V		-	-
IGC18T120T8QX1SA1	-	Richiesta di offerta	3310	Tecnologie Infineon	TrenchStop™	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	IGC18T120	Standard				Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			-												Sosta sul campo di trincea	1200 V		45A	2,42 V a 15 V, 15 A	-		-
IRG4BC15UD-LPBF	-	Richiesta di offerta	8850	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA		Standard		49 W		TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			480 V, 7,8 A, 75 Ohm, 15 V											28 ns	-	600 V	14A	42A	2,4 V a 15 V, 7,8 A	240μJ (acceso), 260μJ (spento)	23 nC	17ns/160ns
BSC019N04NSG	-	Richiesta di offerta	1784	Tecnologie Infineon	OptiMOS™3	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8-1	-						0000.00.0000	1		CanaleN		40 V	29A (Ta), 204A (Tc)	10 V	1,9 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 85 µA	108 nC a 10 V	±20 V	8800 pF a 20 V	-	2,5 W (Ta), 125 W (Tc)
IRF7700TR	-	Richiesta di offerta	8975	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-TSSOP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canale P		20 V	8,6 A(Tc)	2,5 V, 4,5 V	15 mOhm a 8,6 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	89 nC a 5 V	±12V	4300 pF a 15 V	-	1,5 W(Tc)
SIGC42T120CQX1SA1	-	Richiesta di offerta	1358	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	SIGC42T120	Standard				Morire	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		1			-												-	1200 V		75A	2,1 V a 15 V, 25 A	-		-
94-4737	-	Richiesta di offerta	2760	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRFR3303		MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN		30 V	33A(Tc)	10 V	31 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±20 V	750 pF a 25 V	-	57 W(Tc)
IRL3716	-	Richiesta di offerta	4857	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		20 V	180A(Tc)	4,5 V, 10 V	4 mOhm a 90 A, 10 V	3 V a 250 µA	79 nC a 4,5 V	±20 V	5090 pF a 10 V	-	210 W(Tc)
SIGC25T60SNCX1SA1	-	Richiesta di offerta	2011	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	SIGC25	Standard				Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		1			400 V, 30 A, 11 Ohm, 15 V												TNP	600 V	30A	90A	2,5 V a 15 V, 30 A	-		44ns/324ns
F3L400R07W3S5B11BPSA1	148.7700	Richiesta di offerta	1648	Tecnologie Infineon	*	Vassoio	Design non per nuovi										-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	8
IPD65R650CEATMA1	-	Richiesta di offerta	5949	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD65R		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001295798	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		650 V	10,1 A(Tc)	10 V	650 mOhm a 2,1 A, 10 V	3,5 V a 210 µA	23 nC a 10 V	±20 V	440 pF a 100 V	-	86 W (Tc)
BC817K-25WH6433	0,0500	Richiesta di offerta	20	Tecnologie Infineon	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC817			500 mW		PG-SOT323-3-1	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	6.217																45 V	500 mA						100nA (ICBO)				700mV a 50mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	170 MHz
BC817-16B5000	0,0200	Richiesta di offerta	180	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817			500 mW		PG-SOT23	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	10.000																45 V	500 mA						100nA (ICBO)			NPN	700mV a 50mA, 500mA	100 a 100 mA, 1 V	170 MHz
BTS247ZE3062AATMA1	-	Richiesta di offerta	3779	Tecnologie Infineon	TEMPFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-5, D²Pak (4 conduttori + lingua), TO-263BB			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-5-2	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		55 V	33A(Tc)	4,5 V, 10 V	18 mOhm a 12 A, 10 V	2 V a 90 µA	90 nC a 10 V	±20 V	1950 pF a 25 V	-	120 W (Tc)
FZ1400R33HE4BPSA1	1.0000	Richiesta di offerta	5934	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FZ1400				Raddrizzatore a ponte monofase	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2	2 Indipendente														Sosta sul campo di trincea	3300 V	1400 d.C		2,3 V a 15 V, 1400 A (tip.)				5 mA	NO	187 nF a 25 V
FS150R12N3T7BPSA1	286.2800	Richiesta di offerta	8	Tecnologie Infineon	EasyPACK™3, TRENCHSTOP™	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FS150R12			20 mW	Standard	AG-ECONO3B	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Invertitore trifase														Sosta sul campo di trincea	1200 V	150A		1,8 V a 15 V, 150 A				12 µA	SÌ	30,1 nF a 25 V
FZ800R33KF2CB3S2NDSA1	-	Richiesta di offerta	7978	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	FZ800			9600 W	Standard	-	scaricamento			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte														-	3300 V	1A		4,25 V a 15 V, 800 A				5 mA	NO	100 nF a 25 V
IRGB4607DPBF	-	Richiesta di offerta	4203	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		58 W		TO-220AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001541648	EAR99	8541.29.0095	50			400 V, 4 A, 100 Ohm, 15 V											48 ns	-	600 V	11A	12A	2,05 V a 15 V, 4 A	140μJ (acceso), 62μJ (spento)	9 nC	27ns/120ns
IRL3705ZS	-	Richiesta di offerta	5661	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRL3705ZS	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		55 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm a 52 A, 10 V	3 V a 250 µA	60 nC a 5 V	±16V	2880 pF a 25 V	-	130 W(Tc)
IPI65R190CFDXKSA1	2.4151	Richiesta di offerta	5968	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IPI65R190		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN		650 V	17,5 A(Tc)	10 V	190 mOhm a 7,3 A, 10 V	4,5 V a 730 µA	68 nC a 10 V	±20 V	1850 pF a 100 V	-	151 W(Tc)
IPC218N04N3X7SA1	1.8480	Richiesta di offerta	1655	Tecnologie Infineon	OptiMOS™3	Massa	Design non per nuovi	-	Montaggio superficiale	Morire	IPC218		MOSFET (ossido di metallo)			Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001155550	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	-	10 V	50 mOhm a 2 A, 10 V	4 V a 200 µA		-		-	-
AUIRFS4115-7TRL	-	Richiesta di offerta	9583	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)	AUIRFS4115		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK (7 conduttori)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001521180	EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		150 V	105A (Tc)	10 V	11,8 mOhm a 63 A, 10 V	5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	5320 pF a 50 V	-	380 W(Tc)
IRG4RC10SPBF	-	Richiesta di offerta	7513	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRG4RC10SPBF	Standard		38 W		D-Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001537126	EAR99	8541.29.0095	75			480 V, 8 A, 100 Ohm, 15 V												-	600 V	14A	18A	1,8 V a 15 V, 8 A	140 µJ (acceso), 2,58 mJ (spento)	15 nC	25ns/630ns
IPP120N04S401AKSA1	-	Richiesta di offerta	7125	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP120N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN		40 V	120A (Tc)	10 V	1,9 mOhm a 100 A, 10 V	4 V a 140 µA	176 nC a 10 V	±20 V	14.000 pF a 25 V	-	188 W(Tc)
IRF7468	-	Richiesta di offerta	4428	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRF7468	EAR99	8541.29.0095	95		CanaleN		40 V	9,4A (Ta)	4,5 V, 10 V	15,5 mOhm a 9,4 A, 10 V	2 V a 250 µA	34 nC a 4,5 V	±12V	2460 pF a 20 V	-	2,5 W(Ta)
IRG4BC20MDPBF	-	Richiesta di offerta	5715	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		60 W		TO-220AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			480 V, 11 A, 50 Ohm, 15 V											37 ns	-	600 V	18A	36A	2,1 V a 15 V, 11 A	410 µJ (acceso), 2,03 mJ (spento)	39 nC	21ns/463ns
1D2209NK005U7742	-	Richiesta di offerta	2372	Tecnologie Infineon	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0080	12