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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
IRFZ24NSTRRPBF	-	Richiesta di offerta	8716	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		55 V	17A(Tc)	10 V	70 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±20 V	370 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 45 W (Tc)
BC858C	-	Richiesta di offerta	7037	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				310 mW		SOT-23-3	scaricamento	RoHS non conforme				EAR99	8541.21.0075	8.460																30 V	100 mA						-			PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	150 MHz
IRL8113L	-	Richiesta di offerta	6936	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)			TO-262	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRL8113L	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		30 V	105A (Tc)	4,5 V, 10 V	6 mOhm a 21 A, 10 V	2,25 V a 250 µA	35 nC a 4,5 V	±20 V	2840 pF a 15 V	-	110 W (Tc)
IRFH4253DTRPBF	2.6300	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	IRFH4253		MOSFET (ossido di metallo)	31 W, 50 W		PQFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 canali N (doppio)			25 V	64A, 145A		3,2 mOhm a 30 A, 10 V	2,1 V a 35 µA	15nC a 4,5 V		1314pF a 13V	Porta a livello logico
IHW30N60T	-	Richiesta di offerta	9979	Tecnologie Infineon	TRENCHSTOP™	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		187 W		PG-TO247-3-21	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1			400 V, 30 A, 10,6 Ohm, 15 V												Sosta sul campo di trincea	600 V	60A	90A	2 V a 15 V, 30 A	770μJ (spento)	167 nC	23ns/254ns
IRLC8743EB	-	Richiesta di offerta	1462	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1					-
IM241S6S1JAUMA1	10.3800	Richiesta di offerta	341	Tecnologie Infineon	IM241, CIPOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Modulo 23-PowerSMD, ala di gabbiano	IM241S6			9 W	Standard	23-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500	Invertitore trifase														-	600 V			1,78 V a 15 V, 500 mA					SÌ
BC857BE6327HTSA1	0,3600	Richiesta di offerta	34	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC857			330 mW		PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																45 V	100 mA						15nA (ICBO)			PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	250 MHz
IRFR3709ZTRPBF	0,9000	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRFR3709		MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN		30 V	86A(Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm a 15 A, 10 V	2,25 V a 250 µA	26 nC a 4,5 V	±20 V	2330 pF a 15 V	-	79 W(Tc)
BDP954E6327HTSA1	-	Richiesta di offerta	2694	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA				5 W		PG-SOT223-4-10	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																100 V	3A						100nA (ICBO)			PNP	500 mV a 200 mA, 2 A	85 a 500 mA, 1 V	100 MHz
IPA60R650CEXKSA1	1.3500	Richiesta di offerta	395	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CE	Tubo	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPA60R650		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	7A(Tc)	10 V	650 mOhm a 2,4 A, 10 V	3,5 V a 200 µA	20,5 nC a 10 V	±20 V	440 pF a 100 V	-	28 W (Tc)
PTFA211801EV5T350XWSA1	-	Richiesta di offerta	7628	Tecnologie Infineon	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000841132	EAR99	8541.29.0075	50
FF450R12KE7PHPSA1	225.3150	Richiesta di offerta	6831	Tecnologie Infineon	C, TRENCHSTOP™	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo					Standard	AG-62MMHB	-	Conformità ROHS3			448-FF450R12KE7PHPSA1			8	Mezzo ponte														Sosta sul campo di trincea	1200 V	450 A		1,75 V a 15 V, 450 A				100 µA	NO	70800 pF a 25 V
IRGS4610DTRRPBF	-	Richiesta di offerta	1809	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		77 W		D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001533042	EAR99	8541.29.0095	800			400 V, 6 A, 47 Ohm, 15 V											74 nn	-	600 V	16A	18A	2 V a 15 V, 6 A	56μJ (acceso), 122μJ (spento)	13 nC	27ns/75ns
IPD70P04P4L08AUMA2	-	Richiesta di offerta	4755	Tecnologie Infineon	OptiMOS®-P2	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD70		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3-313	-					OBSOLETO		1		Canale P		40 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,8 mOhm a 70 A, 10 V	2,2 V a 120 µA	92 nC a 10 V	+5 V, -16 V	5430 pF a 25 V	-	75 W (Tc)
BCX6825E6327HTSA1	-	Richiesta di offerta	2233	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	BCX68			3 W		PG-SOT89	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																20 V	1A						100nA (ICBO)			NPN	500 mV a 100 mA, 1 A	160 a 500 mA, 1 V	100 MHz
BSD314SPEL6327	1.0000	Richiesta di offerta	5563	Tecnologie Infineon	OptiMOS™-P 3	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363			MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT363-6-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P		30 V	1,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	140 mOhm a 1,5 A, 10 V	2 V a 6,3 µA	2,9 nC a 10 V	±20 V	294 pF a 15 V	-	500mW (Ta)
IPN70R1K5CEATMA1	0,7800	Richiesta di offerta	8382	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	IPN70R1		MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		700 V	5,4 A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 1 A, 10 V	3,5 V a 100 µA	10,5 nC a 10 V	±20 V	225 pF a 100 V	-	5 W (Tc)
BSS192PH6327FTSA1	0,6500	Richiesta di offerta	24	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	BSS192		MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canale P		250 V	190mA(Ta)	2,8 V, 10 V	12 Ohm a 190 mA, 10 V	2 V a 130 µA	6,1 nC a 10 V	±20 V	104 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
AUXMAFS4010-7TRL	-	Richiesta di offerta	6208	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	-	-			-			-	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		800		-			-	-	-	-		-		-	-
BSC014N04LSIATMA1	3.0700	Richiesta di offerta	91	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	BSC014		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8 FL	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		40 V	31A (Ta), 100A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,45 mOhm a 50 A, 10 V	2 V a 250 µA	55 nC a 10 V	±20 V	4000 pF a 20 V	-	2,5 W (Ta), 96 W (Tc)
IRF7458PBF	-	Richiesta di offerta	1573	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001555388	EAR99	8541.29.0095	95		CanaleN		30 V	14A (Ta)	10 V, 16 V	8 mOhm a 14 A, 16 V	4 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±30 V	2410 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
IPC100N04S51R9ATMA1	1.7200	Richiesta di offerta	9463	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	IPC100		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8-34	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		40 V	100A (Tc)	7 V, 10 V	1,9 mOhm a 50 A, 10 V	3,4 V a 50 µA	65 nC a 10 V	±20 V	3770 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
BSP89H6327XTSA1	0,6600	Richiesta di offerta	3792	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BSP89H6327		MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT223-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		240 V	350mA(Ta)	4,5 V, 10 V	6 Ohm a 350 mA, 10 V	1,8 V a 108 µA	6,4 nC a 10 V	±20 V	140 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta)
SIGC42T60SNCX7SA1	-	Richiesta di offerta	6168	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	SIGC42T60	Standard				Morire	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		1			400 V, 50 A, 6,8 Ohm, 15 V												TNP	600 V	50A	150A	2,5 V a 15 V, 50 A	-		57ns/380ns
BCV28H6327XTSA1	0,2875	Richiesta di offerta	9596	Tecnologie Infineon	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	BCV28			1 W		PG-SOT89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																30 V	500 mA						100nA (ICBO)			PNP-Darlington	1 V a 100 µA, 100 mA	20000 a 100 mA, 5 V	200 MHz
IPP80R1K2P7XKSA1	1.5800	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P7	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP80R1		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		800 V	4,5 A(Tc)	10 V	1,2 Ohm a 1,7 A, 10 V	3,5 V a 80 µA	11 nC a 10 V	±20 V	300 pF a 500 V	-	37 W (Tc)
SGB10N60AATMA1	-	Richiesta di offerta	1775	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	SGB10N	Standard		92 W		PG-TO263-3-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			400 V, 10 A, 25 Ohm, 15 V												TNP	600 V	20A	40A	2,4 V a 15 V, 10 A	320μJ	52 nC	28ns/178ns
IPI60R099CP	-	Richiesta di offerta	1828	Tecnologie Infineon	*	Massa	Attivo										-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1
IPC302N08N3X2SA1	-	Richiesta di offerta	7395	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC				IPC302N						-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0040	2.000					-