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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
BSP149E6327	-	Richiesta di offerta	1256	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT223-4	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		200 V	660mA(Ta)	0 V, 10 V	1,8 Ohm a 660 mA, 10 V	1 V a 400 µA	14 nC a 5 V	±20 V	430 pF a 25 V	Modalità di esaurimento	1,8 W (Ta)
BCR191WE6327HTSA1	-	Richiesta di offerta	8279	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BCR191			250 mW		PG-SOT323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000															50 V	100 mA						100nA (ICBO)			PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	50 a 5 mA, 5 V	200 MHz	22 kOhm	22 kOhm
94-2304	-	Richiesta di offerta	7624	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IRL2203		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		30 V	116A(Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm a 60 A, 10 V	1 V a 250 µA	60 nC a 4,5 V	±16V	3290 pF a 25 V	-	180 W(Tc)
IRGP4063-EPBF	-	Richiesta di offerta	9533	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		330 W		TO-247 d.C	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25			400 V, 48 A, 10 Ohm, 15 V											Trincea	600 V	96A	144A	2,14 V a 15 V, 48 A	625 µJ (acceso), 1,28 mJ (spento)	95 nC	60ns/145ns
IPI084N06L3GXKSA1	-	Richiesta di offerta	5765	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IPI084N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN		60 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,4 mOhm a 50 A, 10 V	2,2 V a 34 µA	29 nC a 4,5 V	±20 V	4900 pF a 30 V	-	79 W(Tc)
IPD800N06NGBTMA1	-	Richiesta di offerta	4567	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD800N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		60 V	16A (Tc)	10 V	80 mOhm a 16 A, 10 V	4 V a 16 µA	10 nC a 10 V	±20 V	370 pF a 30 V	-	47 W(Tc)
IPU13N03LA G	-	Richiesta di offerta	6499	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPU13N		MOSFET (ossido di metallo)			P-TO251-3-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN		25 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	12,8 mOhm a 30 A, 10 V	2 V a 20 µA	8,3 nC a 5 V	±20 V	1043 pF a 15 V	-	46 W (Tc)
IRF9383MTRPBF	3.0200	Richiesta di offerta	11	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MX isometrico DirectFET™	IRF9383		MOSFET (ossido di metallo)			DIRECTFET™MX	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.800		Canale P		30 V	22A (Ta), 160A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,9 mOhm a 22 A, 10 V	2,4 V a 150 µA	130 nC a 10 V	±20 V	7305 pF a 15 V	-	2,1 W (Ta), 113 W (Tc)
SPP20N60S5XKSA1	7.0000	Richiesta di offerta	90	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SPP20N60		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	20A (Tc)	10 V	190 mOhm a 13 A, 10 V	5,5 V a 1 mA	103 nC a 10 V	±20 V	3000 pF a 25 V	-	208 W(Tc)
BUZ31H3045A	1.2600	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	BUZ31		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		200 V	14,5 A(Tc)	10 V	200 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	1120 pF a 25 V	-	95 W (Tc)
IRFC3006EB	-	Richiesta di offerta	4564	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001566680	OBSOLETO	0000.00.0000	1					-
BSM300GB120DLCHOSA1	317.6450	Richiesta di offerta	6464	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Acquisto per l'ultima volta	-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	BSM300			2500 W	Standard	Modulo	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Mezzo ponte													-	1200 V	625 A		2,6 V a 15 V, 300 A				5 mA	NO	21 nF a 25 V
IRF7313TRPBFXTMA1	0,3739	Richiesta di offerta	8553	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)	2 W (Ta)		PG-DSO-8-902	-	Conformità ROHS3			448-IRF7313TRPBFXTMA1TR			4.000	2 canali N			30 V	6,5A(Ta)		29 mOhm a 5,8 A, 10 V	1 V a 250 µA	33nC a 10 V		650 pF a 25 V	Standard
IPB80N06S4L07ATMA1	-	Richiesta di offerta	3323	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB80N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		60 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,4 mOhm a 80 A, 10 V	2,2 V a 40 µA	75 nC a 10 V	±16V	5680 pF a 25 V	-	79 W(Tc)
FS770R08A6P2BBPSA1	502.7400	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	HybridPACK™	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FS770R08			654 W	Standard	AG-HYBRIDD-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	6	Invertitore trifase													Sosta sul campo di trincea	750 V	450 A		1,35 V a 15 V, 450 A				1 mA	SÌ	80 nF a 50 V
FZ2000R33HE4BOSA1	2.0000	Richiesta di offerta	10	Tecnologie Infineon	IHM-B	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FZ2000			4,2 mW	Standard	AG-IHVB190-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Interruttore singolo													Sosta sul campo di trincea	3300 V	2000 A		2,2 V a 15 V, 2 kA (tip.)				5 mA	NO	280 nF a 25 V
IRG7PH46U-EP	-	Richiesta di offerta	3809	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IRG7PH	Standard		469 W		TO-247 d.C	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001537550	EAR99	8541.29.0095	25			600 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V											Trincea	1200 V	130A	160A	2 V a 15 V, 40 A	2,56 mJ (acceso), 1,78 mJ (spento)	220 nC	45ns/410ns
IRF7353D2TRPBF	-	Richiesta di offerta	5930	Tecnologie Infineon	FETKY™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		30 V	6,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	29 mOhm a 5,8 A, 10 V	1 V a 250 µA	33 nC a 10 V	±20 V	650 pF a 25 V	Diodo Schottky (isolato)	2 W (Ta)
IAUZ40N10S5L120ATMA1	0,6886	Richiesta di offerta	6955	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSDSON-8-33	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		100 V	46A(Tj)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 27 µA	22,6 nC a 10 V	±20 V	1589 pF a 50 V	-	62 W (Tc)
IRFS3306TRLPBF	2.8500	Richiesta di offerta	15	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRFS3306		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		60 V	120A (Tc)	10 V	4,2 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	120 nC a 10 V	±20 V	4520 pF a 50 V	-	230 W(Tc)
IAUC120N06S5L011ATMA1	1.4380	Richiesta di offerta	5673	Tecnologie Infineon	OptiMOS™5	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8-53	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		60 V	310A(Tj)	4,5 V, 10 V	1,1 mOhm a 60 A, 10 V	2,2 V a 130 µA	160 nC a 10 V	±20 V	11.400 pF a 30 V	-	188 W(Tc)
BC846B E6327	-	Richiesta di offerta	5419	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	846 d.C			330 mW		PG-SOT23	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000															65 V	100 mA						15nA (ICBO)			NPN	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	250 MHz
IRF1404L	-	Richiesta di offerta	1051	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)			TO-262	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRF1404L	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		40 V	162A(Tc)	10 V	4 mOhm a 95 A, 10 V	4 V a 250 µA	200 nC a 10 V	±20 V	7360 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
FP75R12N2T4BOSA1	188.0800	Richiesta di offerta	9	Tecnologie Infineon	EconoPIM™2	Vassoio	Interrotto alla SIC	-	-	-	FP75R12				-	-	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	-													-				-
IRFHS8342TRPBF	0,5400	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-PowerVDFN	IRFHS8342		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSDSON-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		30 V	8,8 A (Ta), 19 A (Tc)	4,5 V, 10 V	16 mOhm a 8,5 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	8,7 nC a 10 V	±20 V	600 pF a 25 V	-	2,1 W (Ta)
IPA50R299CPXKSA1079	-	Richiesta di offerta	1497	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-31	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		500 V	12A (Tc)	10 V	299 mOhm a 6,6 A, 10 V	3,5 V a 440 µA	31 nC a 10 V	±20 V	1190 pF a 100 V	-	104 W(Tc)
BSM50GX120DN2BPSA1	214.4100	Richiesta di offerta	6559	Tecnologie Infineon	*	Vassoio	Acquisto per l'ultima volta				BSM50G						-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	15
BSP129H6327XTSA1	0,8700	Richiesta di offerta	5	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BSP129		MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT223-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		240 V	350mA(Ta)	0 V, 10 V	6 Ohm a 350 mA, 10 V	1 V a 108 µA	5,7 nC a 5 V	±20 V	108 pF a 25 V	Modalità di esaurimento	1,8 W (Ta)
IPB80N04S4L04ATMA1	2.1400	Richiesta di offerta	958	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB80N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		40 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	4 mOhm a 80 A, 10 V	2,2 V a 35 µA	60 nC a 10 V	+20 V, -16 V	4690 pF a 25 V	-	71 W(Tc)
IRF7807TRPBF	-	Richiesta di offerta	3917	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		30 V	8,3A(Ta)	4,5 V	25 mOhm a 7 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	17 nC a 5 V	±12V		-	2,5 W(Ta)