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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PTFA220081MV4S500XUMA1	-	Richiesta di offerta	9006	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				-			-	-		-	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato	SP000838882	EAR99	8541.29.0095	500	-		-			-	-											-
FF4MR12KM1HHPSA1	499.8000	Richiesta di offerta	3226	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo					FF4MR12			-			-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato				10																-
SPI07N60S5HKSA1	-	Richiesta di offerta	7945	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	SPI07N			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO262-3-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	7,3 A(Tc)	10 V	600 mOhm a 4,6 A, 10 V	5,5 V a 350 µA	35 nC a 10 V	±20 V	970 pF a 25 V	-	83 W (Tc)
BCW66F E6327	-	Richiesta di offerta	5312	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW66				330 mW	PG-SOT23	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																					45 V	800 mA							20nA (ICBO)	NPN	450mV a 50mA, 500mA	100 a 100 mA, 1 V	170 MHz
IPB12CN10N G	-	Richiesta di offerta	5134	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB12C			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						100 V	67A(Tc)	10 V	12,6 mOhm a 67 A, 10 V	4 V a 83 µA	65 nC a 10 V	±20 V	4320 pF a 50 V	-	125 W (Tc)
PTFB093608FVV2S250XTMA1	-	Richiesta di offerta	6077	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	65 V		Montaggio su telaio	H-36260-2			960 MHz	LDMOS		H-36260-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001199696	OBSOLETO	0000.00.0000	1			-		2,8 A	112 W	19dB											-										28 V
IAUT165N08S5N029ATMA2	3.9000	Richiesta di offerta	9477	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSFN	IAUT165			MOSFET (ossido di metallo)		PG-HSOF-8-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN						80 V	165A(Tc)	6 V, 10 V	2,9 mOhm a 80 A, 10 V	3,8 V a 108 µA	90 nC a 10 V	±20 V	6370 pF a 40 V	-	167 W(Tc)
IRF6628TRPBF	-	Richiesta di offerta	3980	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MX isometrico DirectFET™				MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™MX	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.800		CanaleN						25 V	27A (Ta), 160A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,5 mOhm a 27 A, 10 V	2,35 V a 100 µA	47 nC a 4,5 V	±20 V	3770 pF a 15 V	-	2,8 W (Ta), 96 W (Tc)
BC848BL3E6327	0,0900	Richiesta di offerta	180	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3					250 mW	PG-SOT23	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.468																					30 V	100 mA							15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	250 MHz
IRFSL4610	-	Richiesta di offerta	8877	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IRFSL461			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRFSL4610	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						100 V	73A(Tc)	10 V	14 mOhm a 44 A, 10 V	4 V a 100 µA	140 nC a 10 V	±20 V	3550 pF a 50 V	-	190 W(Tc)
PTFA181001HL V1 R250	-	Richiesta di offerta	3319	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	65 V		Montaggio superficiale	Confezione da 2 pezzi, terminali ad aletta, flangiati	PTFA181001		1,88GHz	LDMOS		PG-64248-2	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	250			1μA		750 mA	100 W	16,5dB											-										28 V
92-0262PBF	-	Richiesta di offerta	7132	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Attivo					92-0262						-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato			0000.00.0000	1									-
IRFR120NPBF	-	Richiesta di offerta	4484	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63				MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						100 V	9,4 A(Tc)	10 V	210 mOhm a 5,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	25 nC a 10 V	±20 V	330 pF a 25 V	-	48 W (Tc)
IRG4PC30UPBF	-	Richiesta di offerta	5777	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IRG4PC30	Standard			100 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	400				480 V, 12 A, 23 Ohm, 15 V																-	600 V	23A	92A	2,1 V a 15 V, 12 A	160μJ (acceso), 200μJ (spento)	50 nC	17ns/78ns
IRF3704ZCSTRLP	-	Richiesta di offerta	7573	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB				MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN						20 V	67A(Tc)	4,5 V, 10 V	7,9 mOhm a 21 A, 10 V	2,55 V a 250 µA	13 nC a 4,5 V	±20 V	1220 pF a 10 V	-	57 W(Tc)
FF17MR12W1M1HPB11BPSA1	148.8400	Richiesta di offerta	30	Tecnologie Infineon	CoolSiC™	Vassoio	Attivo		-	Montaggio su telaio	Modulo	FF17MR12			MOSFET (ossido di metallo)	-	AG-EASY1B	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	-							1200 V (1,2 kV)	-		-	-	-		-	-
IPS80R1K2P7AKMA1	0,6448	Richiesta di offerta	1246	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P7	Tubo	Design non per nuovi		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	IPS80R1			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO251-3-342	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN						800 V	4,5 A(Tc)	10 V	1,2 Ohm a 1,7 A, 10 V	3,5 V a 80 µA	11 nC a 10 V	±20 V	300 pF a 500 V	-	37 W (Tc)
IKW40N120CS7XKSA1	9.9200	Richiesta di offerta	143	Tecnologie Infineon	TRENCHSTOP™	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IKW40N120	Standard			357 W	PG-TO247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				600 V, 40 A, 4 Ohm, 15 V															175 n	Sosta sul campo di trincea	1200 V	82A	120A	2 V a 15 V, 40 A	2,55 mJ (acceso), 1,75 mJ (spento)	230 nC	27ns/190ns
PXFC192207SHV1R250XTMA1	-	Richiesta di offerta	5702	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	28 V			H-37248G-4/2	PXFC192207		1.805GHz~1,99GHz	LDMOS		H-37288G-4/2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001282070	EAR99	8541.29.0095	250	Doppio		10μA			50 W	20dB											-
IPB60R099CPATMA1	9.4000	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	CoolMOS™CP	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB60R099			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						600 V	31A(Tc)	10 V	99 mOhm a 18 A, 10 V	3,5 V a 1,2 mA	80 nC a 10 V	±20 V	2800 pF a 100 V	-	255 W(Tc)
IRLR2905TRPBF	1.5600	Richiesta di offerta	31	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRLR2905			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN						55 V	42A(Tc)	4 V, 10 V	27 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 250 µA	48 nC a 5 V	±16V	1700 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IKW40N60DTPXKSA1	3.5100	Richiesta di offerta	226	Tecnologie Infineon	TrenchStop™	Tubo	Design non per nuovi		-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IKW40N60	Standard			246 W	PG-TO247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				400 V, 40 A, 10,1 Ohm, 15 V															87 ns	Sosta sul campo di trincea	600 V	67A	120A	1,8 V a 15 V, 40 A	1,06 mJ (acceso), 610 µJ (spento)	177 nC	18ns/222ns
IPL70R2K1CESATMA1	-	Richiesta di offerta	3637	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC					IPL70R						scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001409154	EAR99	8541.29.0095	5.000									2,3 A(Tc)
BSO051N03MSGXUMA1	0,2800	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	OptiMOS™3 M	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				MOSFET (ossido di metallo)		PG-DSO-8	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						30 V	14A	-	5,1 mOhm a 18 A, 10 V	2 V a 250 µA		±20 V	3200 pF a 15 V	-	2,5 W
IPP60R380P6XKSA1	-	Richiesta di offerta	4829	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P6	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP60R			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO220-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001017058	EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN						600 V	10,6 A(Tc)	10 V	380 mOhm a 3,8 A, 10 V	4,5 V a 320 µA	19 nC a 10 V	±20 V	877 pF a 100 V	-	83 W (Tc)
BSC067N06LS3GATMA1	1.6600	Richiesta di offerta	7233	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	BSC067			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TDSON-8-5	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN						60 V	15A (Ta), 50A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,7 mOhm a 50 A, 10 V	2,2 V a 35 µA	67 nC a 10 V	±20 V	5100 pF a 30 V	-	2,5 W (Ta), 69 W (Tc)
IRF7807VD1TRPBF	-	Richiesta di offerta	1120	Tecnologie Infineon	FETKY™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN						30 V	8,3A(Ta)	4,5 V	25 mOhm a 7 A, 4,5 V	3 V a 250 µA	14 nC a 4,5 V	±20 V		Diodo Schottky (isolato)	2,5 W(Ta)
BSP296L6433	0,2700	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA				MOSFET (ossido di metallo)		PG-SOT223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN						100 V	1,1 A (Ta)	4,5 V, 10 V	700 mOhm a 1,1 A, 10 V	1,8 V a 400 µA	17,2 nC a 10 V	±20 V	364 pF a 25 V	-	1,79 W(Ta)
IRLR3103TRLPBF	-	Richiesta di offerta	7601	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63				MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001558904	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						30 V	55A (Tc)	4,5 V, 10 V	19 mOhm a 33 A, 10 V	1 V a 250 µA	50 nC a 4,5 V	±16V	1600 pF a 25 V	-	107 W(Tc)
IRL2203NSTRRPBF	-	Richiesta di offerta	7063	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB				MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001576488	EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN						30 V	116A(Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm a 60 A, 10 V	3 V a 250 µA	60 nC a 4,5 V	±16V	3290 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 180 W (Tc)