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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
IPD65R950CFDBTMA1	-	Richiesta di offerta	3025	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD65R			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN					650 V	3,9 A(Tc)	10 V	950 mOhm a 1,5 A, 10 V	4,5 V a 200 µA	14,1 nC a 10 V	±20 V	380 pF a 100 V	-	36,7 W(Tc)
IRG4BC30W-S	-	Richiesta di offerta	6415	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRG4BC30W-S	Standard			100 W		D2PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRG4BC30W-S	EAR99	8541.29.0095	50				480 V, 12 A, 23 Ohm, 15 V															-	600 V	23A	92A	2,7 V a 15 V, 12 A	130μJ (acceso), 130μJ (spento)	51 nC	25ns/99ns
FP25R12W2T4B11BOMA1	63.3200	Richiesta di offerta	74	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FP25R12				175 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	15	Invertitore trifase																		Sosta sul campo di trincea	1200 V	39A		2,25 V a 15 V, 25 A					1 mA	SÌ	1,45 nF a 25 V
IPB015N06NF2SATMA1	2.8200	Richiesta di offerta	794	Tecnologie Infineon	StrongIRFET™2	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB015			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN					60 V	37A (Ta), 195A (Tc)	6 V, 10 V	1,5 mOhm a 100 A, 10 V	3,3 V a 186 µA	233 nC a 10 V	±20 V	10.500 pF a 30 V	-	3,8 W (Ta), 250 W (Tc)
BF1005SE6433XT	-	Richiesta di offerta	6694	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	8 V		Montaggio superficiale	TO-253-4, TO-253AA	BF1005		800 MHz	MOSFET			PG-SOT-143-3D	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	20.000	CanaleN		25 mA		-	22dB											1,6dB										5 V
IPD50P03P4L11ATMA1	1.5700	Richiesta di offerta	9014	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD50			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3-11	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P					30 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	10,5 mOhm a 50 A, 10 V	2 V a 85 µA	55 nC a 10 V	+5 V, -16 V	3770 pF a 25 V	-	58 W (Tc)
IQE030N06NM5CGATMA1	3.1000	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	8-PowerTDFN	IQE030N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TTFN-9-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN					60 V	21A (Ta), 137A (Tc)	6 V, 10 V	3 mOhm a 20 A, 10 V	3,3 V a 50 µA	49 nC a 10 V	±20 V	3800 pF a 30 V	-	2,5 W (Ta), 107 W (Tc)
FS450R12KE3BOSA1	770.8400	Richiesta di offerta	1980	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Design non per nuovi		-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FS450R12				2100 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4	Invertitore trifase																		Sosta sul campo di trincea	1200 V	600 A		2,15 V a 15 V, 450 A					5 mA	SÌ	32 nF a 25 V
FS300R120E4B0SA1	-	Richiesta di offerta	5062	Tecnologie Infineon	*	Massa	Attivo												scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
F4100R17N3E4BPSA1	217.5700	Richiesta di offerta	7753	Tecnologie Infineon	EconoPACK™3	Vassoio	Attivo		-			F4100					-		scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	-																		-				-
IKN06N60RC2ATMA1	0,9500	Richiesta di offerta	5	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	IKN06N	Standard			7,2 W		PG-SOT223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	448-IKN06N60RC2ATMA1DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000				400 V, 6 A, 49 Ohm, 15 V														42 ns	-	600 V	8A	18A	2,3 V a 15 V, 6 A	151μJ (acceso), 104μJ (spento)	31 nC	8,8 n/174 n
IPI075N15N3G	-	Richiesta di offerta	4585	Tecnologie Infineon	OptiMOS™3	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA				MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3-1	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN					150 V	120A (Tc)	8 V, 10 V	7,5 mOhm a 100 A, 10 V	4 V a 270 µA	93 nC a 10 V	±20 V	5470 pF a 75 V	-	300 W(Tc)
IPS60R210PFD7SAKMA1	2.0900	Richiesta di offerta	308	Tecnologie Infineon	CoolMOS™PFD7	Tubo	Design non per nuovi		-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPS60R			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO251-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN					650 V	16A (Tc)	10 V	210 mOhm a 4,9 A, 10 V	4,5 V a 240 µA	23 nC a 10 V	±20 V	1015 pF a 400 V	-	64 W (Tc)
AIMZA75R020M1HXKSA1	17.0765	Richiesta di offerta	7974	Tecnologie Infineon	*	Tubo	Attivo												-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	448-AIMZA75R020M1HXKSA1			240
IRL3714ZSTRLPBF	-	Richiesta di offerta	8093	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB				MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001557964	EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN					20 V	36A(Tc)	4,5 V, 10 V	16 mOhm a 15 A, 10 V	2,55 V a 250 µA	7,2 nC a 4,5 V	±20 V	550 pF a 10 V	-	35 W (Tc)
AUIRGR4045DTRL	-	Richiesta di offerta	6363	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRGR4045	Standard			77 W		TO-252AA	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001511556	EAR99	8541.29.0095	3.000				400 V, 6 A, 47 Ohm, 15 V														74 nn	Trincea	600 V	12A	18A	2 V a 15 V, 6 A	56μJ (acceso), 122μJ (spento)	19,5 nC	27ns/75ns
BSZ0908NDXTMA1	-	Richiesta di offerta	8235	Tecnologie Infineon	OptiMOS®	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	BSZ0908			MOSFET (ossido di metallo)	700 mW (Ta), 860 mW (Ta)		PG-WISON-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000	2 canali N (doppio)						30 V	4,8 A(Ta), 7,6 A(Ta)		18 mOhm a 9 A, 10 V, 9 mOhm a 9 A, 10 V	2 V a 250 µA	3nC a 4,5 V, 6,4 nC a 4,5 V		340pF a 15V, 730pF a 15V	Porta a livello logico, azionamento da 4,5 V
FS75R07N2E4B11BPSA1	115.4649	Richiesta di offerta	8163	Tecnologie Infineon	EconoPACK™2	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FS75R07				250 W	Standard	AG-ECONO2B	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	15	Invertitore trifase																		Sosta sul campo di trincea	650 V	75A		1,95 V a 15 V, 75 A					1 mA	SÌ	4,6 nF a 25 V
BFP420H6433	0,1800	Richiesta di offerta	80	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343					210 mW		PG-SOT343-4-2	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000						21dB														4,5 V	60mA										NPN		60 a 20 mA, 4 V	25GHz	1,1 dB a 1,8 GHz
BSP171PH6327XTSA1	0,8900	Richiesta di offerta	3302	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BSP171			MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT223-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canale P					60 V	1,9A(Ta)	4,5 V, 10 V	300 mOhm a 1,9 A, 10 V	2 V a 460 µA	20 nC a 10 V	±20 V	460 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta)
2PS18012E44G40113NOSA1	-	Richiesta di offerta	5751	Tecnologie Infineon	PrimeSTACK™	Vassoio	Obsoleto		-25°C~60°C	Montaggio su telaio	Modulo	2PS18012				5600 W	Standard	Modulo	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8543.70.9860	1	Invertitore trifase																		-	1200 V	2560A		-						SÌ
FP50R12KT3BOSA1	181.1200	Richiesta di offerta	10	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	FP50R12				280 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Invertitore trifase																		-	1200 V	75A		2,15 V a 15 V, 50 A					5 mA	SÌ	3,5 nF a 25 V
IPU103N08N3 G	-	Richiesta di offerta	4486	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPU103N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO251-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN					80 V	50A (Tc)	6 V, 10 V	10,3 mOhm a 46 A, 10 V	3,5 V a 46 µA	35 nC a 10 V	±20 V	2410 pF a 40 V	-	100 W (Tc)
IM241L6T2BAKMA1	12.4500	Richiesta di offerta	548	Tecnologie Infineon	IM241, CIPOS™	Tubo	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante		IM241L6				15 W	Standard	23-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	15	Invertitore trifase																		-	600 V			1,62 V a 15 V, 2 A						SÌ
AIHD10N60RATMA1	-	Richiesta di offerta	4575	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AIHD10	Standard			150 W		PG-TO252-3-313	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001346846	EAR99	8541.29.0095	2.500				400 V, 10 A, 23 Ohm, 15 V															Sosta sul campo di trincea	600 V	20A	30A	2,1 V a 15 V, 10 A	210μJ (acceso), 380μJ (spento)	64 nC	14ns/192ns
IPD096N08N3GATMA1	1.4000	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD096			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN					80 V	73A(Tc)	6 V, 10 V	9,6 mOhm a 46 A, 10 V	3,5 V a 46 µA	35 nC a 10 V	±20 V	2410 pF a 40 V	-	100 W (Tc)
BSF885N03LQ3G	0,3900	Richiesta di offerta	10	Tecnologie Infineon	*	Massa	Attivo												-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	5.000
BCX6916E6327	0,1100	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA					3 W		PG-SOT89-4-2	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																				20 V	1A							100nA (ICBO)				500 mV a 100 mA, 1 A	100 a 500 mA, 1 V	100 MHz
BSC072N03LDGATMA1	-	Richiesta di offerta	9711	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	BSC072N03			MOSFET (ossido di metallo)	57 W		PG-TDSON-8-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000	2 canali N (doppio)						30 V	11,5 A		7,2 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	41nC a 10 V		3500 pF a 15 V	Porta a livello logico
IPSH5N03LA G	-	Richiesta di offerta	8019	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	IPSH5N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO251-3-11	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN					25 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,4 mOhm a 50 A, 10 V	2 V a 35 µA	22 nC a 5 V	±20 V	2653 pF a 15 V	-	83 W (Tc)