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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
IMZA65R039M1HXKSA1	18.0600	Richiesta di offerta	202	Tecnologie Infineon	CoolSiC™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4			SiCFET (carburo di silicio)			PG-TO247-4-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		650 V	50A (Tc)	18 V	50 mOhm a 25 A, 18 V	5,7 V a 7,5 mA	41 nC a 18 V	+20 V, -2 V	1393 pF a 400 V	-	176 W(Tc)
IRF520NLPBF	-	Richiesta di offerta	2323	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)			TO-262	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRF520NLPBF	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		100 V	9,7 A(Tc)	10 V	200 mOhm a 5,7 A, 10 V	4 V a 250 µA	25 nC a 10 V	±20 V	330 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 48 W (Tc)
IPAN60R210PFD7SXKSA1	2.3400	Richiesta di offerta	831	Tecnologie Infineon	CoolMOS™PFD7	Tubo	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPAN60		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-FP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		650 V	16A (Tc)	10 V	210 mOhm a 4,9 A, 10 V	4,5 V a 240 µA	23 nC a 10 V	±20 V	1015 pF a 400 V	-	25 W (Tc)
SPP80P06PHXKSA1	5.9100	Richiesta di offerta	3	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SPP80P06		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		Canale P		60 V	80A (Tc)	10 V	23 mOhm a 64 A, 10 V	4 V a 5,5 mA	173 nC a 10 V	±20 V	5033 pF a 25 V	-	340 W(Tc)
FS150R12KE3BOSA1	314.7000	Richiesta di offerta	55	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FS150R12			700 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Invertitore trifase														TNP	1200 V	200A		2,15 V a 15 V, 150 A				5 mA	SÌ	10,5 nF a 25 V
IPP082N10NF2SAKMA1	1.7200	Richiesta di offerta	133	Tecnologie Infineon	StrongIRFET™2	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP082N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		100 V	15A (Ta), 77A (Tc)	6 V, 10 V	8,2 mOhm a 50 A, 10 V	3,8 V a 46 µA	42 nC a 10 V	±20 V	2000 pF a 50 V	-	3,8 W (Ta), 100 W (Tc)
AUIRFZ24NSTRL	-	Richiesta di offerta	9576	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AURFZ24		MOSFET (ossido di metallo)			D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		55 V	17A(Tc)	10 V	70 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±20 V	370 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 45 W (Tc)
IRFU2607ZPBF	-	Richiesta di offerta	1103	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)			IPAK (TO-251AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001576352	EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN		75 V	42A(Tc)	10 V	22 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 50 µA	51 nC a 10 V	±20 V	1440 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRFH5110TRPBF	-	Richiesta di offerta	9045	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	IRFH5110		MOSFET (ossido di metallo)			8-PQFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		100 V	11A (Ta), 63A (Tc)	10 V	12,4 mOhm a 37 A, 10 V	4 V a 100 µA	72 nC a 10 V	±20 V	3152 pF a 25 V	-	3,6 W (Ta), 114 W (Tc)
IRFC9034NB	-	Richiesta di offerta	5000	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	Morire			MOSFET (ossido di metallo)			Morire	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	448-IRFC9034NB	OBSOLETO		1		-		55 V	19A	10 V	100 mOhm a 19 A, 10 V	-		-		-	-
IPT60T065S7XTMA1	3.5864	Richiesta di offerta	2846	Tecnologie Infineon	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo										-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato				2.000
IKP30N65H5XKSA1	3.5900	Richiesta di offerta	4030	Tecnologie Infineon	TrenchStop™	Tubo	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IKP30N65	Standard		188 W		PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			400 V, 15 A, 23 Ohm, 15 V											51 ns	Trincea	650 V	55A	90A	2,1 V a 15 V, 30 A	280μJ (acceso), 100μJ (spento)	70 nC	19ns/177ns
SIGC18T60NCX7SA1	-	Richiesta di offerta	5950	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	SIGC18	Standard				Morire	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		1			300 V, 20 A, 13 Ohm, 15 V												TNP	600 V	20A	60A	2,5 V a 15 V, 20 A	-		21ns/110ns
SIPC06S2N06LATX2LA1	-	Richiesta di offerta	1894	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto	-					-				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		-			-	-	-	-		-		-	-
FF600R12KE4BOSA1	313.6900	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	C	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 150°C	Montaggio su telaio	Modulo	FF600R12				Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Mezzo ponte														Sosta sul campo di trincea	1200 V	600 A		2,2 V a 15 V, 600 A				5 mA	NO	38 nF a 25 V
IRF2903ZSTRRP	-	Richiesta di offerta	3075	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		30 V	75A (Tc)	10 V	2,4 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	240 nC a 10 V	±20 V	6320 pF a 25 V	-	290 W(Tc)
IRG8CH20K10D	-	Richiesta di offerta	1429	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto				IRG8CH						scaricamento		Non applicabile	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1
FF450R45T3E4BPSA1	-	Richiesta di offerta	8656	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Interrotto alla SIC										-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
BSZ035N03LSGATMA1	1.6700	Richiesta di offerta	5634	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	BSZ035		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSDSON-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		30 V	20A (Ta), 40A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	56 nC a 10 V	±20 V	4400 pF a 15 V	-	2,1 W (Ta), 69 W (Tc)
IHW50N65R5XKSA1	4.7800	Richiesta di offerta	8845	Tecnologie Infineon	TrenchStop®	Tubo	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IHW50N65	Standard		282 W		PG-TO247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 25 A, 8 Ohm, 15 V											95 ns	-	650 V	80A	150A	1,7 V a 15 V, 50 A	740μJ (acceso), 180μJ (spento)	230 nC	26ns/220ns
IPW65R070C6FKSA1	11.2600	Richiesta di offerta	2918	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IPW65R070		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO247-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		650 V	53,5 A(Tc)	10 V	70 mOhm a 17,6 A, 10 V	3,5 V a 1,76 mA	170 nC a 10 V	±20 V	3900 pF a 100 V	-	391W(Tc)
TMOSP12034	1.1600	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	*	Massa	Attivo										scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	1
FP10R12YT3B4BOMA1	75.1800	Richiesta di offerta	5917	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Design non per nuovi				FP10R12						-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato			0000.00.0000	20
IRGPH50F	-	Richiesta di offerta	2524	Tecnologie Infineon	-	Borsa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		200 W		TO-247AC	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25															-	1200 V	45A		2,9 V a 15 V, 25 A
IPB60R360CFD7ATMA1	2.8900	Richiesta di offerta	1534	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CFD7	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB60R360		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		600 V	7A(Tc)	10 V	360 mOhm a 2,9 A, 10 V	4,5 V a 140 µA	14 nC a 10 V	±20 V	679 pF a 400 V	-	43 W (Tc)
AUIRFS3006-7TRL	4.2330	Richiesta di offerta	8438	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)			MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001521716	EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		60 V	240A(Tc)		2,1 mOhm a 168 A, 10 V	4 V a 250 µA	300 nC a 10 V		8850 pF a 50 V	-	375 W(Tc)
IQE036N08NM6ATMA1	1.1064	Richiesta di offerta	2006	Tecnologie Infineon	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo										-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	448-IQE036N08NM6ATMA1TR			5.000
ISC009N06LM5ATMA1	4.7800	Richiesta di offerta	8085	Tecnologie Infineon	OptiMOS™5	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	ISC009N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSON-8-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		60 V	41A (Ta), 348A (Tc)	4,5 V, 10 V	0,9 mOhm a 50 A, 10 V	2,3 V a 147 µA	209 nC a 10 V	±20 V	13.000 pF a 30 V	-	3 W (Ta), 214 W (Tc)
BC817K-16	-	Richiesta di offerta	7309	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817			500 mW		SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000																45 V	500 mA						100nA (ICBO)			NPN	700mV a 50mA, 500mA	100 a 100 mA, 1 V	170 MHz
IPD60R360P7ATMA1	1.7700	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P7	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD60R		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		600 V	9A (Tc)	10 V	360 mOhm a 2,7 A, 10 V	4 V a 140 µA	13 nC a 10 V	±20 V	555 pF a 400 V	-	41 W (Tc)