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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PTVA101K02EVV1XWSA1	-	Richiesta di offerta	8837	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto	50 V		Montaggio su telaio	H-36275-4			1,03GHz~1,09GHz	LDMOS			H-36275-4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001033548	EAR99	8541.29.0095	30	Doppio		-		950 W	17,5dB											-
IKQ120N120CS7XKSA1	19.7400	Richiesta di offerta	6026	Tecnologie Infineon	TRENCHSTOP™	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard			1004 W		PG-TO247-3-46	-	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				-														205 n	Sosta sul campo di trincea	1200 V	216A	360A	2 V a 15 V, 120 A	10,3 mJ (acceso), 5,72 mJ (spento)	710 nC	44ns/205ns
IRLHS6342TR2PBF	-	Richiesta di offerta	9864	Tecnologie Infineon	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto			Montaggio superficiale	6-PowerVDFN				MOSFET (ossido di metallo)			6-PQFN (2x2)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	400		CanaleN					30 V	8,7 A (Ta), 19 A (Tc)		15,5 mOhm a 8,5 A, 4,5 V	1,1 V a 10 µA	11 nC a 4,5 V		1019 pF a 25 V	-
IPD60R520C6BTMA1	-	Richiesta di offerta	5233	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ C6	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD60R			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN					600 V	8,1 A(Tc)	10 V	520 mOhm a 2,8 A, 10 V	3,5 V a 230 µA	23,4 nC a 10 V	±20 V	512 pF a 100 V	-	66 W (Tc)
IRFC9034NB	-	Richiesta di offerta	5000	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Massa	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	Morire				MOSFET (ossido di metallo)			Morire	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	448-IRFC9034NB	OBSOLETO		1		-					55 V	19A	10 V	100 mOhm a 19 A, 10 V	-		-		-	-
IRG8CH20K10D	-	Richiesta di offerta	1429	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto					IRG8CH							scaricamento		Non applicabile	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1
IPT60T065S7XTMA1	3.5864	Richiesta di offerta	2846	Tecnologie Infineon	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo												-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato				2.000
BSZ035N03LSGATMA1	1.6700	Richiesta di offerta	5634	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	BSZ035			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSDSON-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN					30 V	20A (Ta), 40A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	56 nC a 10 V	±20 V	4400 pF a 15 V	-	2,1 W (Ta), 69 W (Tc)
IKP30N65H5XKSA1	3.5900	Richiesta di offerta	4030	Tecnologie Infineon	TrenchStop™	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IKP30N65	Standard			188 W		PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				400 V, 15 A, 23 Ohm, 15 V														51 ns	Trincea	650 V	55A	90A	2,1 V a 15 V, 30 A	280μJ (acceso), 100μJ (spento)	70 nC	19ns/177ns
FF600R12KE4BOSA1	313.6900	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	C	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 150°C	Montaggio su telaio	Modulo	FF600R12					Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Mezzo ponte																		Sosta sul campo di trincea	1200 V	600 A		2,2 V a 15 V, 600 A				5 mA	NO	38 nF a 25 V
FF450R45T3E4BPSA1	-	Richiesta di offerta	8656	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Interrotto alla SIC												-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
IRF2903ZSTRRP	-	Richiesta di offerta	3075	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB				MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN					30 V	75A (Tc)	10 V	2,4 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	240 nC a 10 V	±20 V	6320 pF a 25 V	-	290 W(Tc)
SIGC18T60NCX7SA1	-	Richiesta di offerta	5950	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	SIGC18	Standard					Morire	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		1				300 V, 20 A, 13 Ohm, 15 V															TNP	600 V	20A	60A	2,5 V a 15 V, 20 A	-		21ns/110ns
SIPC06S2N06LATX2LA1	-	Richiesta di offerta	1894	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto		-						-				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		-						-	-	-	-		-		-	-
IRF6706S2TRPBF	-	Richiesta di offerta	2887	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico S1				MOSFET (ossido di metallo)			DirectFET™ isometrico S1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.800		CanaleN					25 V	17A (Ta), 63A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,8 mOhm a 17 A, 10 V	2,35 V a 25 µA	20 nC a 4,5 V	±20 V	1810 pF a 13 V	-	1,8 W (Ta), 26 W (Tc)
BSM35GB120DN2HOSA1	-	Richiesta di offerta	8314	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	BSM35GB120				280 W	Standard	Modulo	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Mezzo ponte																		-	1200 V	50A		3,2 V a 15 V, 35 A				1 mA	NO	2 nF a 25 V
F4100R17N3P4B58BPSA1	247.2800	Richiesta di offerta	10	Tecnologie Infineon	EconoPACK™3	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	F4100R				20 mW	Raddrizzatore a ponte trifase	AG-ECONO3B	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Invertitore a ponte intero																		Sosta sul campo di trincea	1700 V	100A		2,25 V a 15 V, 100 A				1 mA	SÌ	9 nF a 25 V
SPB04N60C3ATMA1	-	Richiesta di offerta	4783	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	SPB04N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN					650 V	4,5 A(Tc)	10 V	950 mOhm a 2,8 A, 10 V	3,9 V a 200 µA	25 nC a 10 V	±20 V	490 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
BC858CWH6327	0,0400	Richiesta di offerta	39	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323					250 mW		PG-SOT323-3-1	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	7.053																				30 V	100 mA						15nA (ICBO)			PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	250 MHz
IAUT260N10S5N019ATMA1	6.2800	Richiesta di offerta	3	Tecnologie Infineon	OptiMOS™-5	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSFN	IAUT260			MOSFET (ossido di metallo)			PG-HSOF-8-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN					100 V	260A(Tc)	6 V, 10 V	1,9 mOhm a 100 A, 10 V	3,8 V a 210 µA	166 nC a 10 V	±20 V	11830 pF a 50 V	-	300 W(Tc)
IPB180N10S403ATMA1	5.5100	Richiesta di offerta	343	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)	IPB180			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-7-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN					100 V	180A(Tc)	10 V	3,3 mOhm a 100 A, 10 V	3,5 V a 180 µA	140 nC a 10 V	±20 V	10120 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
BCW60DE6327HTSA1	0,0492	Richiesta di offerta	5475	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW60				330 mW		PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																				32 V	100 mA						20nA (ICBO)			NPN	550 mV a 1,25 mA, 50 mA	380 a 2 mA, 5 V	250 MHz
FF2MR12KM1HOSA1	1.0000	Richiesta di offerta	10	Tecnologie Infineon	CoolSiC™	Vassoio	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FF2MR12			MOSFET (ossido di metallo)	-		AG-62MM	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	2 canali N (mezzo ponte)						1200 V (1,2 kV)	500A (Tc)		2,13 mOhm a 500 A, 15 V	5,15 V a 224 mA	1340nC a 15 V		39700pF a 800V	-
IRG7PH28UD1PBF	-	Richiesta di offerta	5921	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IRG7PH	Standard			115 W		TO-247AC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001536202	EAR99	8541.29.0095	25				600 V, 15 A, 22 Ohm, 15 V															Trincea	1200 V	30A	100A	2,3 V a 15 V, 15 A	543μJ (spento)	90 nC	-/229ns
IPA60R125C6E8191XKSA1	-	Richiesta di offerta	2694	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto					IPA60R							scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001214406	EAR99	8541.29.0095	500								-
IFS75S12N3T4_B11	96.4800	Richiesta di offerta	220	Tecnologie Infineon	*	Massa	Attivo												-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
IMW120R040M1HXKSA1	21.3000	Richiesta di offerta	1471	Tecnologie Infineon	CoolSiC™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3				SiCFET (carburo di silicio)			PG-TO247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN					1200 V	55A (Tc)	15 V, 18 V	54,4 mOhm a 19,3 A, 18 V	5,2 V a 10 mA	39 nC a 18 V	+20 V, -5 V	1620 nF a 25 V	-	227 W(Tc)
SPP77N06S2-12	-	Richiesta di offerta	6787	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SPP77N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN					55 V	80A (Tc)	10 V	12 mOhm a 38 A, 10 V	4 V a 93 µA	60 nC a 10 V	±20 V	2350 pF a 25 V	-	158 W(Tc)
BSL806NL6327HTSA1	-	Richiesta di offerta	4389	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	BSL806			MOSFET (ossido di metallo)	500 mW		PG-TSOP6-6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)						20 V	2,3 A		57 mOhm a 2,3 A, 2,5 V	750mV a 11μA	1,7 nC a 2,5 V		259 pF a 10 V	Porta a livello logico
IPB80P04P407ATMA1	-	Richiesta di offerta	2393	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB80P			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canale P					40 V	80A (Tc)	10 V	7,4 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 150 µA	89 nC a 10 V	±20 V	6085 pF a 25 V	-	88 W (Tc)