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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
FF1200R17KE3NOSA1	1.0000	Richiesta di offerta	6992	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Design non per nuovi	-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	FF1200			595000 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2	Chopper singolo													-	1700 V			2,45 V a 15 V, 1200 A				5 mA	NO	110 nF a 25 V
IRF7488TRPBF	-	Richiesta di offerta	8813	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		80 V	6,3A(Ta)	10 V	29 mOhm a 3,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	57 nC a 10 V	±20 V	1680 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
IRL3302STRL	-	Richiesta di offerta	8120	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		20 V	39A(Tc)	4,5 V, 7 V	20 mOhm a 23 A, 7 V	700 mV a 250 µA (min)	31 nC a 4,5 V	±10 V	1300 pF a 15 V	-	57 W(Tc)
IPA65R190CFDXKSA1	-	Richiesta di offerta	3510	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPA65R		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-111	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		650 V	17,5 A(Tc)	10 V	190 mOhm a 7,3 A, 10 V	4,5 V a 730 µA	68 nC a 10 V	±20 V	1850 pF a 100 V	-	34 W (Tc)
SMBTA06UPNE6327HTSA1	0,4100	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	SMBTA06			330 mW		PG-SC74-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000															80 V	500mA						100 nA			PNP, PNP	250mV a 10mA, 100mA	100 a 100 mA, 1 V	100 MHz
AUIRFS3004	-	Richiesta di offerta	5909	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AUIRFS3004		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK-3 (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		40 V	195A(Tc)	10 V	1,75 mOhm a 195 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	9200 pF a 25 V	-	380 W(Tc)
IRLB8314PBF	1.0400	Richiesta di offerta	591	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IRLB8314		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		30 V	171A(Tc)	4,5 V, 10 V	2,4 mOhm a 68 A, 10 V	2,2 V a 100 µA	60 nC a 4,5 V	±20 V	5050 pF a 15 V	-	125 W (Tc)
BSL296SNH6327XTSA1	-	Richiesta di offerta	2001	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSOP6-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		100 V	1,4A(Ta)	4,5 V, 10 V	460 mOhm a 1,26 A, 10 V	1,8 V a 100 µA	4 nC a 5 V	±20 V	152,7 pF a 25 V	-	2 W (Ta)
IRF6610TR1PBF	-	Richiesta di offerta	8486	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ quadrato isometrico			MOSFET (ossido di metallo)			DIRECTFET™QUADRATO	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		20 V	15A (Ta), 66A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,8 mOhm a 15 A, 10 V	2,55 V a 250 µA	17 nC a 4,5 V	±20 V	1520 pF a 10 V	-	2,2 W (Ta), 42 W (Tc)
IRF7306PBF	-	Richiesta di offerta	9086	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF73		MOSFET (ossido di metallo)	2 W		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001564984	EAR99	8541.29.0095	95	2 canali P (doppio)			30 V	3,6 A		100 mOhm a 1,8 A, 10 V	1 V a 250 µA	25nC a 10V		440 pF a 25 V	Porta a livello logico
IPI05N03LA	-	Richiesta di offerta	3001	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IPI05N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN		25 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,9 mOhm a 55 A, 10 V	2 V a 50 µA	25 nC a 5 V	±20 V	3110 pF a 15 V	-	94 W (Tc)
AUIRFR6215TRL	3.0000	Richiesta di offerta	1119	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AUIRFR6215		MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		150 V	13A(Tc)	10 V	295 mOhm a 6,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	66 nC a 10 V	±20 V	860 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
SPB80N06SL-07	-	Richiesta di offerta	8592	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo										scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	100
SGB07N120ATMA1	2.7031	Richiesta di offerta	6161	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	SGB07N	Standard		125 W		PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			800 V, 8 A, 47 Ohm, 15 V											TNP	1200 V	16,5 A	27A	3,6 V a 15 V, 8 A	1 milione di J	70 nC	27ns/440ns
IRF9520NS	-	Richiesta di offerta	6501	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRF9520NS	EAR99	8541.29.0095	50		Canale P		100 V	6,8 A(Tc)	10 V	480 mOhm a 4 A, 10 V	4 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±20 V	350 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 48 W (Tc)
IPA60R230P6XKSA1	2.9300	Richiesta di offerta	109	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P6	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPA60R230		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	16,8 A(Tc)	10 V	230 mOhm a 6,4 A, 10 V	4,5 V a 530 µA	31 nC a 10 V	±20 V	1450 pF a 100 V	-	33 W (Tc)
BSP135H6433XTMA1	1.5900	Richiesta di offerta	22	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BSP135		MOSFET (ossido di metallo)			SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN		600 V	120mA (Ta)	0 V, 10 V	45 Ohm a 120 mA, 10 V	1 V a 94 µA	4,9 nC a 5 V	±20 V	146 pF a 25 V	Modalità di esaurimento	1,8 W (Ta)
AIMW120R035M1HXKSA1	42.4400	Richiesta di offerta	7547	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			SiCFET (carburo di silicio)			PG-TO247-3-41	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		1200 V	52A(Tc)	18 V	46 mOhm a 25 A, 18 V	5,7 V a 10 mA	59 nC a 18 V	+23V, -7V	2130 pF a 800 V	-	228 W(Tc)
IPI80P03P4-05AKSA1	0,7900	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3-1	-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1		Canale P		30 V	80A (Tc)	10 V	5 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 253 µA	130 nC a 10 V	±20 V	10.300 pF a 25 V	-	137 W(Tc)
IPP052N06L3GHKSA1	-	Richiesta di offerta	9518	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP052M		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000453616	EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN		60 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	5 mOhm a 80 A, 10 V	2,2 V a 58 µA	50 nC a 4,5 V	±20 V	8400 pF a 30 V	-	115 W(Tc)
FF600R12ME4CB11BPSA1	395.8320	Richiesta di offerta	7457	Tecnologie Infineon	EconoDUAL™3	Vassoio	Design non per nuovi	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FF600R12			4050 W	Standard	AG-ECONOD	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	2 Indipendente													Sosta sul campo di trincea	1200 V	1060A		2,1 V a 15 V, 600 A				3 mA	SÌ	37 nF a 25 V
SPP15N65C3XKSA1	1.8100	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		650 V	15A (Tc)	10 V	280 mOhm a 9,4 A, 10 V	3,9 V a 675 µA	63 nC a 10 V	±20 V	1600 pF a 25 V	-	156 W(Tc)
IRF7701TR	-	Richiesta di offerta	8482	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-TSSOP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001575290	EAR99	8541.29.0095	4.000		Canale P		12 V	10A (Tc)	1,8 V, 4,5 V	11 mOhm a 10 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	100 nC a 4,5 V	±8 V	5050 pF a 10 V	-	1,5 W(Ta)
IPU05N03LA	-	Richiesta di offerta	5100	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPU05N		MOSFET (ossido di metallo)			P-TO251-3-1	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000014903	EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN		25 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,3 mOhm a 30 A, 10 V	2 V a 50 µA	25 nC a 5 V	±20 V	3110 pF a 15 V	-	94 W (Tc)
IRF9310PBF	-	Richiesta di offerta	8118	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001566550	EAR99	8541.29.0095	95		Canale P		30 V	20A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,6 mOhm a 20 A, 10 V	2,4 V a 100 µA	165 nC a 10 V	±20 V	5250 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
PTFB260605ELV1XWSA1	-	Richiesta di offerta	1245	Tecnologie Infineon	*	Vassoio	Obsoleto										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000800738	OBSOLETO	0000.00.0000	1
IPP80N06S4L05AKSA1	-	Richiesta di offerta	3124	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP80N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN		60 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,1 mOhm a 80 A, 10 V	2,2 V a 60 µA	110 nC a 10 V	±16V	8180 pF a 25 V	-	107 W(Tc)
IPA70R600P7SXKSA1	1.2400	Richiesta di offerta	187	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P7	Tubo	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPA70R600		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		700 V	8,5 A(Tc)	10 V	600 mOhm a 1,8 A, 10 V	3,5 V a 90 µA	10,5 nC a 10 V	±16V	364 pF a 400 V	-	25 W (Tc)
BCR166E6327	1.0000	Richiesta di offerta	3452	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR166			200 mW		PG-SOT23-3-11	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1															50 V	100 mA						100nA (ICBO)			PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	70 a 5 mA, 5 V	160 MHz	4,7 kOhm	47 kOhm
IRFIRF7314PBF	-	Richiesta di offerta	4372	Tecnologie Infineon	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1