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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
BSC205N10LSG	1.0000	Richiesta di offerta	9423	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN				MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						100 V	7,4 A(Ta), 45 A(Tc)	4,5 V, 10 V	20,5 mOhm a 45 A, 10 V	2,4 V a 43 µA	41 nC a 10 V	±20 V	2900 pF a 50 V	-	76 W(Tc)
FS800R07A2E3BOSA2	-	Richiesta di offerta	3574	Tecnologie Infineon	HybridPACK™2	Vassoio	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FS800R07				1500 W	Standard	Modulo	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		3	Invertitore trifase																		Sosta sul campo di trincea	650 V	700 A		1,6 V a 15 V, 550 A					5 mA	SÌ	52 nF a 25 V
DF80R07W1H5FPB11BPSA1	59.2000	Richiesta di offerta	30	Tecnologie Infineon	EasyPACK™	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	DF80R07				20 mW	Standard	AG-EASY1B-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	2 Indipendente																		Sosta sul campo di trincea	650 V	40A		1,72 V a 15 V, 20 A					12 µA	SÌ	2 nF a 25 V
IRG4IBC30WPBF-INF	1.5600	Richiesta di offerta	844	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		Standard			45 W		TO220Pacchetto completo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1				480 V, 12 A, 23 Ohm, 15 V															-	600 V	17A	92A	2,7 V a 15 V, 12 A	130μJ (acceso), 130μJ (spento)	51 nC	25ns/99ns
SPP11N60CFDXKSA1	-	Richiesta di offerta	7918	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SPP11N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN						650 V	11A(Tc)	10 V	440 mOhm a 7 A, 10 V	5 V a 500 µA	64 nC a 10 V	±20 V	1200 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
AUIRF4905XKMA1	-	Richiesta di offerta	4467	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto					AUIRF4905							-					OBSOLETO		1
IRF6215LPBF	-	Richiesta di offerta	2346	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA				MOSFET (ossido di metallo)			TO-262	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001564822	EAR99	8541.29.0095	50		Canale P						150 V	13A (Tc)	10 V	290 mOhm a 6,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	66 nC a 10 V	±20 V	860 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 110 W (Tc)
IPD90P04P4L04ATMA2	3.2600	Richiesta di offerta	3044	Tecnologie Infineon	OptiMOS®-P2	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD90			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3-313	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P						40 V	90A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,3 mOhm a 90 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	176 nC a 10 V	+5 V, -16 V	11570 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
IPI530N15N3GXKSA1	-	Richiesta di offerta	5036	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IPI530			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN						150 V	21A(Tc)	8 V, 10 V	53 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 35 µA	12 nC a 10 V	±20 V	887 pF a 75 V	-	68 W(Tc)
AURFN8403TR	-	Richiesta di offerta	7640	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	IRFN8403			MOSFET (ossido di metallo)			8-PQFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN						40 V	95A (Tc)	10 V	3,3 mOhm a 50 A, 10 V	3,9 V a 100 µA	98 nC a 10 V	±20 V	3174 pF a 25 V	-	4,3 W (Ta), 94 W (Tc)
BSM300GA170DLS	161.7500	Richiesta di offerta	33	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	BSM300				2500 W	Standard	Modulo	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																		-	1700 V	600 A		3,3 V a 15 V, 300 A					600 µA	NO	20 nF a 25 V
IMT65R022M1HXTMA1	-	Richiesta di offerta	3711	Tecnologie Infineon	*	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC					IMT65R							-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato				2.000
IPT014N10N5ATMA1	6.6700	Richiesta di offerta	5431	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-	Montaggio superficiale	8-PowerSFN				MOSFET (ossido di metallo)			PG-HSOF-8-1	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		-						100 V	362A	10 V	-	-		-		-	-
ISC007N04NM6ATMA1	3.3300	Richiesta di offerta	3685	Tecnologie Infineon	OptiMOS™6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	ISC007N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8 FL	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN						40 V	48A (Ta), 381A (Tc)	6 V, 10 V	0,7 mOhm a 50 A, 10 V	2,8 V a 1,05 mA	117 nC a 10 V	±20 V	8400 pF a 20 V	-	3 W (Ta), 188 W (Tc)
IPF042N10NF2SATMA1	2.5100	Richiesta di offerta	792	Tecnologie Infineon	StrongIRFET™2	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)				MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-7	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN						100 V	21A (Ta), 139A (Tc)	6 V, 10 V	4,25 mOhm a 80 A, 10 V	3,8 V a 93 µA	85 nC a 10 V	±20 V	4000 pF a 50 V	-	3,8 W (Ta), 167 W (Tc)
BSS119NH7978XTSA1	0,1200	Richiesta di offerta	15	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT23-3-5	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN						100 V	190mA(Ta)	4,5 V, 10 V	6 Ohm a 190 mA, 10 V	2,3 V a 13 µA	0,6 nC a 10 V	±20 V	20,9 pF a 25 V	-	500 mW (Ta)
IAUC100N08S5N031ATMA1	2.8800	Richiesta di offerta	2499	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	IAUC100			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8-34	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN						80 V	100A (Tc)	6 V, 10 V	3,1 mOhm a 50 A, 10 V	3,8 V a 95 µA	76 nC a 10 V	±20 V	5525 pF a 40 V	-	167 W(Tc)
PTFA212001FV4XWSA1	-	Richiesta di offerta	4527	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	65 V		Montaggio superficiale	Confezione da 2 pezzi, terminali ad aletta, flangiati	PTFA212001		2,14GHz	LDMOS			H-37260-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	40			10 µA		1,6 A	50 W	15,8dB											-									30 V
IRFR7546TRPBF	1.0400	Richiesta di offerta	9	Tecnologie Infineon	StrongIRFET™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRFR7546			MOSFET (ossido di metallo)			DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN						60 V	56A(Tc)	6 V, 10 V	7,9 mOhm a 43 A, 10 V	3,7 V a 100 µA	87 nC a 10 V	±20 V	3020 pF a 25 V	-	99 W (Tc)
IRFU3410PBF	1.2500	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Design non per nuovi		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IRFU3410			MOSFET (ossido di metallo)			IPAK (TO-251AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						100 V	31A(Tc)	10 V	39 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	56 nC a 10 V	±20 V	1690 pF a 25 V	-	3 W (Ta), 110 W (Tc)
IRF8010SPBF	-	Richiesta di offerta	5468	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB				MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						100 V	80A (Tc)	10 V	15 mOhm a 45 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V	3830 pF a 25 V	-	260 W(Tc)
BSL205NL6327	-	Richiesta di offerta	3099	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	BSL205			MOSFET (ossido di metallo)	500 mW		PG-TSOP6-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)							20 V	2,5 A		50 mOhm a 2,5 A, 4,5 V	1,2 V a 11 µA	3,2 nC a 4,5 V		419 pF a 10 V	Porta a livello logico
BC847SE6433BTMA1	-	Richiesta di offerta	2856	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BC847				250 mW		PG-SOT363-PO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000																				45 V	100mA							15nA (ICBO)			2 NPN (doppio)	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	250 MHz
BTS244ZNKSA1	-	Richiesta di offerta	9725	Tecnologie Infineon	TEMPFET®	Tubo	Obsoleto		-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-5 Formati principali				MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-5-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN						55 V	35A (Tc)	4,5 V, 10 V	13 mOhm a 19 A, 10 V	2 V a 130 µA	130 nC a 10 V	±20 V	2660 pF a 25 V	Diodo di rilevamento della temperatura	170 W(Tc)
IPAN60R125PFD7SXKSA1	2.8800	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	CoolMOS™PFD7	Tubo	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPAN60			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-FP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	25A (Tc)	10 V	125 mOhm a 7,8 A, 10 V	4,5 V a 390 µA	36 nC a 10 V	±20 V	1503 pF a 400 V	-	32 W (Tc)
IPA040N06NXKSA1	2.6000	Richiesta di offerta	4247	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPA040			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN						60 V	69A(Tc)	6 V, 10 V	4 mOhm a 69 A, 10 V	3,3 V a 50 µA	44 nC a 10 V	±20 V	3375 pF a 30 V	-	36 W (Tc)
IPSA70R1K2P7SAKMA1	0,7900	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	CoolMOS™P7	Tubo	Design non per nuovi		-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPSA70			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO251-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						700 V	4,5 A(Tc)	10 V	1,2 Ohm a 900 mA, 10 V	3,5 V a 40 µA	4,8 nC a 400 V	±16V	174 pF a 400 V	-	25 W (Tc)
BFR380FH6327XTSA1	0,4400	Richiesta di offerta	19	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-723	BFR380				380 mW		PG-TSFP-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000							9,5dB~13,5dB													9V	80 mA										NPN		90 a 40 mA, 3 V	14GHz			1,1 dB ~ 1,6 dB a 1,8 GHz ~ 3 GHz
IPW90R340C3FKSA1	-	Richiesta di offerta	5223	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IPW90R			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO247-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	240		CanaleN						900 V	15A (Tc)	10 V	340 mOhm a 9,2 A, 10 V	3,5 V a 1 mA	94 nC a 10 V	±20 V	2400 pF a 100 V	-	208 W(Tc)
BCR183E6359HTMA1	-	Richiesta di offerta	5416	Tecnologie Infineon	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR183				200 mW		PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000010801	EAR99	8541.21.0075	3.000																				50 V	100 mA							100nA (ICBO)			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	200 MHz	10 kOhm	10 kOhm