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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
SPW11N60CFDFKSA1	-	Richiesta di offerta	9689	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	SPW11N	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO247-3-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	240		CanaleN	650 V	11A(Tc)	10 V	440 mOhm a 7 A, 10 V	5 V a 500 µA	64 nC a 10 V	±20 V	1200 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
IRF630NS	-	Richiesta di offerta	6230	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRF630NS	EAR99	8541.29.0095	200		CanaleN	200 V	9,3 A(Tc)	10 V	300 mOhm a 5,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±20 V	575 pF a 25 V	-	82 W (Tc)
FF225R17ME4PBPSA1	234.8150	Richiesta di offerta	8761	Tecnologie Infineon	EconoDUAL™3	Vassoio	Attivo	-40°C~150°C	Montaggio su telaio	Modulo	FF225R17		20 mW	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	6	Mezzo ponte												Sosta sul campo di trincea	1700 V	450 A	2,3 V a 15 V, 225 A	3 mA	SÌ	18,5 nF a 25 V
FZ1200R45KL3B5NOSA1	2.0000	Richiesta di offerta	6997	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo	-50°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	FZ1200		13500 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato			8541.29.0095	1	Separare												-	4500 V	1200 A	2,85 V a 15 V, 1200 A	5 mA	NO	280 nF a 25 V
IRFHM9331TR2PBF	-	Richiesta di offerta	3299	Tecnologie Infineon	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		Montaggio superficiale	8-PowerTDFN		MOSFET (ossido di metallo)			PQFN (3x3)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	400		Canale P	30 V	11A (Ta), 24A (Tc)		10 mOhm a 11 A, 20 V	2,4 V a 25 µA	48 nC a 10 V		1543 pF a 25 V	-
SPB16N50C3ATMA1	-	Richiesta di offerta	7074	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	SPB16N	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	560 V	16A (Tc)	10 V	280 mOhm a 10 A, 10 V	3,9 V a 675 µA	66 nC a 10 V	±20 V	1600 pF a 25 V	-	160 W(Tc)
IPA80R1K4CEXKSA2	1.6600	Richiesta di offerta	490	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPA80R1	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	800 V	3,9 A(Tc)	10 V	1,4 Ohm a 2,3 A, 10 V	3,9 V a 240 µA	23 nC a 10 V	±20 V	570 pF a 100 V	-	31 W (Tc)
IPTC020N13NM6ATMA1	4.5336	Richiesta di offerta	4576	Tecnologie Infineon	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo									-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	448-IPTC020N13NM6ATMA1TR			1.800
IPB096N03LGATMA1	-	Richiesta di offerta	8412	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB096N	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	30 V	35A (Tc)	4,5 V, 10 V	9,6 mOhm a 30 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±20 V	1600 pF a 15 V	-	42 W (Tc)
IRL3705ZSTRLPBF	2.0500	Richiesta di offerta	927	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRL3705	MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	55 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm a 52 A, 10 V	3 V a 250 µA	60 nC a 5 V	±16V	2880 pF a 25 V	-	130 W(Tc)
BCX6925H6327XTSA1	0,3105	Richiesta di offerta	7967	Tecnologie Infineon	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	BCX6925		3 W		PG-SOT89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000														20 V	1A		100nA (ICBO)			PNP	500 mV a 100 mA, 1 A	160 a 500 mA, 1 V	100 MHz
IPS60R360PFD7SAKMA1	1.4100	Richiesta di offerta	982	Tecnologie Infineon	CoolMOS™PFD7	Tubo	Design non per nuovi	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPS60R	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO251-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN	650 V	10A (Tc)	10 V	360 mOhm a 2,9 A, 10 V	4,5 V a 140 µA	12,7 nC a 10 V	±20 V	534 pF a 400 V	-	43 W (Tc)
BSS119 E6433	-	Richiesta di offerta	9138	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT23	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000		CanaleN	100 V	170mA (Ta)	4,5 V, 10 V	6 Ohm a 170 mA, 10 V	2,3 V a 50 µA	2,5 nC a 10 V	±20 V	78 pF a 25 V	-	360 mW(Ta)
IRLR3717TRPBF	-	Richiesta di offerta	8613	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001553200	EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	20 V	120A (Tc)	4,5 V, 10 V	4 mOhm a 15 A, 10 V	2,45 V a 250 µA	31 nC a 4,5 V	±20 V	2830 pF a 10 V	-	89 W(Tc)
IRF7805ATR	-	Richiesta di offerta	4346	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN	30 V	13A (Ta)	4,5 V	11 mOhm a 7 A, 4,5 V	3 V a 250 µA	31 nC a 5 V	±12V		-	2,5 W(Ta)
IPI80P03P405AKSA1	-	Richiesta di offerta	5044	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IPI80P	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000396316	EAR99	8541.29.0095	500		Canale P	30 V	80A (Tc)	10 V	5 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 253 µA	130 nC a 10 V	±20 V	10.300 pF a 25 V	-	137 W(Tc)
IRF540ZSTRL	-	Richiesta di offerta	4899	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	100 V	36A(Tc)	10 V	26,5 mOhm a 22 A, 10 V	4 V a 250 µA	63 nC a 10 V	±20 V	1770 pF a 25 V	-	92 W (Tc)
BSP320S E6327	-	Richiesta di offerta	6029	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT223-4	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	60 V	2,9A(Ta)	10 V	120 mOhm a 2,9 A, 10 V	4 V a 20 µA	12 nC a 10 V	±20 V	340 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta)
SPD07N20GBTMA1	-	Richiesta di offerta	1932	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	SPD07N	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	200 V	7A(Tc)	10 V	400 mOhm a 4,5 A, 10 V	4 V a 1 mA	31,5 nC a 10 V	±20 V	530 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
IPI024N06N3GXKSA1	3.2600	Richiesta di offerta	8269	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IPI024	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	60 V	120A (Tc)	10 V	2,4 mOhm a 100 A, 10 V	4 V a 196 µA	275 nC a 10 V	±20 V	23.000 pF a 30 V	-	250 W(Tc)
IRF3707ZCSTRLP	-	Richiesta di offerta	1242	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	30 V	59A(Tc)	4,5 V, 10 V	9,5 mOhm a 21 A, 10 V	2,25 V a 25 µA	15 nC a 4,5 V	±20 V	1210 pF a 15 V	-	57 W(Tc)
IRFS4610TRRPBF	-	Richiesta di offerta	1037	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001573460	EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	100 V	73A(Tc)	10 V	14 mOhm a 44 A, 10 V	4 V a 100 µA	140 nC a 10 V	±20 V	3550 pF a 50 V	-	190 W(Tc)
FS20R06W1E3B11BOMA1	39.0600	Richiesta di offerta	2305	Tecnologie Infineon	EasyPACK™	Vassoio	Attivo	-40°C~150°C	Montaggio su telaio	Modulo	FS20R06		135 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	24	Ponte completo												Sosta sul campo di trincea	600 V	35A	2 V a 15 V, 20 A	1 mA	SÌ	1,1 nF a 25 V
BSR302KL6327	0,0900	Richiesta di offerta	4943	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	3.000
IMW65R030M1HXKSA1	21.6000	Richiesta di offerta	5674	Tecnologie Infineon	CoolSiC™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IMW65R	SiCFET (carburo di silicio)			PG-TO247-3-41	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	650 V	58A (Tc)	18 V	42 mOhm a 29,5 A, 18 V	5,7 V a 8,8 mA	48 nC a 18 V	+20 V, -2 V	1643 pF a 400 V	-	197 W(Tc)
BCW61BE6327HTSA1	0,0529	Richiesta di offerta	8915	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW61		330 mW		PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000														32 V	100 mA		20nA (ICBO)			PNP	550 mV a 1,25 mA, 50 mA	180 a 2 mA, 5 V	250 MHz
IPI50R350CPXKSA1	-	Richiesta di offerta	7407	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IPI50R350	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000680736	EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN	500 V	10A (Tc)	10 V	350 mOhm a 5,6 A, 10 V	3,5 V a 370 µA	25 nC a 10 V	±20 V	1020 pF a 100 V	-	89 W(Tc)
BCP5516H6327XTSA1	0,2968	Richiesta di offerta	6485	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BCP55		2 W		PG-SOT223-4-10	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000														60 V	1A		100nA (ICBO)			NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	100 MHz
IPB80N06S407ATMA2	1.7700	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB80N	MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	60 V	80A (Tc)	10 V		4 V a 40 µA	56 nC a 10 V	±20 V	4500 pF a 25 V	-	79 W(Tc)
BSS119E6327	-	Richiesta di offerta	8245	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT23	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	100 V	170mA (Ta)	4,5 V, 10 V	6 Ohm a 170 mA, 10 V	2,3 V a 50 µA	2,5 nC a 10 V	±20 V	78 pF a 25 V	-	360 mW(Ta)