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Transistor(24)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
BC847B	0,1000	Richiesta di offerta	127	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000												45 V	100 mA	100 nA	NPN	500mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
AS3401	0,2900	Richiesta di offerta	61	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canale P	30 V	4,4A(Ta)	2,5 V, 10 V	55 mOhm a 4,4 A, 10 V	1,4 V a 250 µA	7,2 nC a 10 V	±12V	680 pF a 15 V	-	1,2 W (Ta)
MMBT4403	0,1200	Richiesta di offerta	126	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 mW	SOT-23-3L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000												40 V	600 mA	100 nA	PNP	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	200 MHz
AS2302	0,1900	Richiesta di offerta	34	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000	CanaleN	20 V	3A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	55 mOhm a 3 A, 4,5 V	1,25 V a 250 µA	3,81 nC a 4,5 V	±10 V	220 pF a 10 V	-	700mW (Ta)
MMBT5401	0,1200	Richiesta di offerta	27	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000												150 V	600 mA	50nA (ICBO)	PNP	500mV a 5mA, 50mA	60 a 10 mA, 5 V	300 MHz
MMBT2222A	0,1600	Richiesta di offerta	37	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2222		350 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000												40 V	600 mA	10nA	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	300 MHz
AS1M040120T	21.5300	Richiesta di offerta	27	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS1M040120T	EAR99	8541.21.0095	30	CanaleN	1200 V	60A (Tc)	20 V	55 mOhm a 40 A, 20 V	4 V a 10 mA	142 nC a 20 V	+25 V, -10 V	2946 pF a 1000 V	-	330 W(Tc)
MMBT5551	0,1200	Richiesta di offerta	36	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 mW	SOT-23-3L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-MMBT5551TR	EAR99	8541.21.0095	3.000												160 V	600 mA	50nA (ICBO)	NPN	200 mV a 5 mA, 50 mA	80 a 10 mA, 5 V	100 MHz
AS2M040120P	21.5100	Richiesta di offerta	7607	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN	1200 V	60A (Tc)	20 V	55 mOhm a 40 A, 20 V	4 V a 10 mA	142 nC a 20 V	+25 V, -10 V	2946 pF a 1000 V	-	330 W(Tc)
AS3400	0,2900	Richiesta di offerta	8	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS3400DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	30 V	5,6A(Ta)	2,5 V, 10 V	27 mOhm a 5,6 A, 10 V	1,5 V a 250 µA	4,8 nC a 4,5 V	±12V	535 pF a 15 V	-	1,2 W (Ta)
BCP56-16	0,4300	Richiesta di offerta	15	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			1,6 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.500												80 V	1A	100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	-
AS2324	0,2900	Richiesta di offerta	36	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	100 V	2A (Ta)	4,5 V, 10 V	280 mOhm a 2 A, 10 V	3 V a 250 µA	5,3 nC a 10 V	±20 V	330 pF a 50 V	-	1,2 W (Ta)
AS1M025120P	39.5400	Richiesta di offerta	128	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS1M025120P	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN	1200 V	90A (Tc)	20 V	34 mOhm a 50 A, 20 V	4 V a 15 mA	195 nC a 20 V	+25 V, -10 V	3600 pF a 1000 V	-	463 W(Tc)
AS2312	0,2800	Richiesta di offerta	33	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000	CanaleN	20 V	6,8A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	18 mOhm a 6,8 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	11,05 nC a 4,5 V	±10 V	888 pF a 10 V	-	1,2 W (Ta)
BSS123	0,1400	Richiesta di offerta	73	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000	CanaleN	100 V	200mA (Ta)	4,5 V, 10 V	5 Ohm a 200 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	1,8 nC a 10 V	±20 V	14 pF a 50 V	-	350 mW(Ta)
MMBT2907A	0,1200	Richiesta di offerta	40	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 mW	SOT-23-3L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000												60 V	800 mA	20nA	PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	200 MHz
2N7002E	0,1400	Richiesta di offerta	44	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-2N7002ETR	EAR99	8541.21.0095	3.000	CanaleN	60 V	340mA (Ta)	4,5 V, 10 V	5 Ohm a 300 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	2,4 nC a 10 V	±20 V	18 pF a 30 V	-	350 mW(Ta)
MMBT3904	0,1000	Richiesta di offerta	194	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT390		300 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000												40 V	200 mA	50nA	NPN	300 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	250 MHz
BSS84	0,1900	Richiesta di offerta	153	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000	Canale P	50 V	130mA (Ta)	4,5 V, 10 V	8 Ohm a 150 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA		±20 V	30 pF a 30 V	-	225 mW (Ta)
AS1M025120T	39.5600	Richiesta di offerta	30	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS1M025120T	EAR99	8541.21.0095	30	CanaleN	1200 V	65A (Tc)	20 V	34 mOhm a 50 A, 20 V	4 V a 15 mA	195 nC a 20 V	+25 V, -10 V	4200 pF a 1000 V	-	370 W(Tc)
AS1M080120P	11.9700	Richiesta di offerta	128	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS1M080120P	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN	1200 V	36A(Tc)	20 V	98 mOhm a 20 A, 20 V	4 V a 5 mA	79 nC a 20 V	+25 V, -10 V	1475 pF a 1000 V	-	192 W(Tc)
MMBT4401	0,1200	Richiesta di offerta	162	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 mW	SOT-23-3L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000												40 V	600 mA	100 nA	NPN	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 1 V	250 MHz
AS6004	0,5000	Richiesta di offerta	15	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3L	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)				3.000	Canale P	60 V	4A (Ta)	4,5 V, 10 V	120 mOhm a 4 A, 10 V	3 V a 250 µA	25 nC a 10 V	±20 V	930 pF a 30 V	-	1,5 W(Ta)
BSS138	0,1700	Richiesta di offerta	95	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000	CanaleN	50 V	220mA (Ta)	4,5 V, 10 V	3 Ohm a 500 mA, 10 V	1,6 V a 250 µA		±20 V	27 pF a 25 V	-	350 mW(Ta)