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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMZJ3798B81HE3_A/I | - | ![]() | 9304 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMZJ3798 | 1,5 W | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µA a 18,2 V | 24 V | 19 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 2KBP01M-E4/72 | - | ![]() | 7998 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Scatola | Obsoleto | -55°C ~ 165°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBPM | 2KBP01 | Standard | KBPM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V a 3,14 A | 5 µA a 100 V | 2A | Monofase | 100 V | ||||||||||||||
![]() | 1N5258C-TR | 0,0288 | ![]() | 1005 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5258 | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA a 27 V | 36 V | 70 Ohm | ||||||||||||||
| BU1510-E3/51 | 1.3650 | ![]() | 3506 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, BU | BU1510 | Standard | isoCINK+™BU | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1,05 V a 7,5 A | 5 µA a 1000 V | 3,4A | Monofase | 1 kV | |||||||||||||||
![]() | KBP04M-E4/51 | - | ![]() | 4193 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Vassoio | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBPM | KBP04 | Standard | KBPM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1 V a 1 A | 5 µA a 400 V | 1,5 A | Monofase | 400 V | ||||||||||||||
![]() | DF06M-E3/45 | 0,7800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-EDIP (0,300", 7,62 mm) | DF06 | Standard | DFM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 1 A | 5 µA a 600 V | 1A | Monofase | 600 V | ||||||||||||||
![]() | VS-MBRS190-M3/5BT | 0,4900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | MBRS190 | Schottky | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.200 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 90 V | 780 mV a 1 A | 500 µA a 90 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 42 pF a 5 V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | GBU25H08-M3/P | 2.4100 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, GBU | Standard | GBU | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,05 V a 12,5 A | 10 µA a 800 V | 4,5 A | Monofase | 800 V | |||||||||||||||
![]() | MBRB16H60HE3_B/I | 0,7920 | ![]() | 6600 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | MBRB16 | Schottky | TO-263AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 60 V | 730 mV a 16 A | 100 µA a 60 V | -65°C ~ 175°C | 16A | - | |||||||||||||
![]() | RS3K-M3/9AT | 0,1881 | ![]() | 9255 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | RS3K | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,3 V a 2,5 A | 500 n | 10 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 34 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SML4739HE3/61 | - | ![]() | 3919 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±10% | 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | SML4739 | 1 W | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 10 µA a 7 V | 9,1 V | 5 Ohm | |||||||||||||||
![]() | GF1D-2HE3_A/H | - | ![]() | 8002 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | DO-214BA | Standard | DO-214BA (GF1) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 112-GF1D-2HE3_A/HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,1 V a 1 A | 2 µs | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | FGP10B-E3/54 | - | ![]() | 4154 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | SUPERECTIFIER® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | FGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 950 mV a 1 A | 35 ns | 2 µA a 100 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 25 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | VS-VSKCS401/045 | 52.7730 | ![]() | 7501 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | AGGIUNGI UN PAK (3) | VSKCS401 | Schottky | ADD-A-PAK® | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | VSVSKCS401045 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 45 V | 200A | 720 mV a 200 A | 20 mA a 45 V | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
![]() | B380C800G-E4/51 | 0,6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 125°C (TJ) | Foro passante | 4-Circolare, WOG | B380 | Standard | WOG | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V a 900 mA | 10 µA a 600 V | 900 mA | Monofase | 600 V | ||||||||||||||
| GSIB2520N-M3/45 | 2.2333 | ![]() | 9498 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB2520 | Standard | GSIB-5S | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V a 12,5 A | 10 µA a 200 V | 25A | Monofase | 200 V | |||||||||||||||
![]() | VS-KBPC806PBF | 4.3300 | ![]() | 865 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | VS-KBPC8 | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, D-72 | KBPC806 | Standard | D-72 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | VSKBPC806PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 V a 3 A | 10 µA a 600 V | 8A | Monofase | 600 V | |||||||||||||
| AZ23C5V1-HE3_A-08 | - | ![]() | 2190 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | Automobilistico, AEC-Q101, AZ23 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 mW | SOT-23-3 | scaricamento | 112-AZ23C5V1-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 paio di anodo comune | 2 µA a 2 V | 5,1 V | 60 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | MBRB1060HE3_B/I | 0,6930 | ![]() | 4526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | MBRB1060 | Schottky | TO-263AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 60 V | 800 mV a 10 A | 100 µA a 60 V | -65°C ~ 150°C | 10A | - | |||||||||||||
![]() | PTV6.8B-E3/84A | - | ![]() | 4350 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | eSMP® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±6% | 150°C | Montaggio superficiale | DO-220AA | PTV6.8 | 600 mW | DO-220AA (SMP) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V a 200 mA | 20 µA a 3,5 V | 7,3 V | 6 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZD27B82P-M3-08 | 0,4200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | BZD27B-M | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27B82 | 800 mW | DO-219AB (SMF) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 62 V | 82 V | 100 ohm | ||||||||||||||
![]() | V6PW60HM3/I | 0,6000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | Schottky | SlimDPAK | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 60 V | 580 mV a 6 A | 400 µA a 60 V | -40°C~150°C | 6A | 750 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||
| GSD2004C-E3-18 | 0,0378 | ![]() | 2510 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | GSD2004 | Standard | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 240 V | 225 mA | 1 V a 100 mA | 50 n | 100 nA a 240 V | 150°C (massimo) | |||||||||||||
![]() | G5SBA80-M3/51 | 1.0096 | ![]() | 4161 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Vassoio | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, GBU | G5SBA80 | Standard | GBU | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1,05 V a 3 A | 5 µA a 800 V | 2,8 A | Monofase | 800 V | ||||||||||||||
![]() | G3SBA20L-M3/51 | - | ![]() | 6359 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Vassoio | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, GBU | G3SBA20 | Standard | GBU | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V a 2 A | 5 µA a 200 V | 2,3 A | Monofase | 200 V | ||||||||||||||
![]() | ZMM5228B-13 | - | ![]() | 6849 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AA (vetro) | ZMM52 | 500 mW | DO-213AA (GL34) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | ZMM5228B-13GI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 3,9 V | 23 Ohm | ||||||||||||||
![]() | TLZ33C-GS18 | 0,0335 | ![]() | 5656 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | TLZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TLZ33 | 500 mW | SOD-80 MiniMELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 40 nA a 29,4 V | 33 V | 65 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZX384B36-G3-08 | 0,0445 | ![]() | 1696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | BZX384-G | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | BZX384B36 | 200 mW | SOD-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 nA a 25,2 V | 36 V | 90 Ohm | |||||||||||||||
![]() | GP10-4004-E3/54 | 0,1780 | ![]() | 3331 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | - | 1A | - | |||||||||||||||
![]() | ESH3B-M3/57T | 0,2454 | ![]() | 5110 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | ESH3 | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 900 mV a 3 A | 40 ns | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 175°C | 3A | 70 pF a 4 V, 1 MHz |

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