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Diodi (29505)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)
MMBZ4707-G3-08	-	Richiesta di offerta	1779	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4707		350 mW	SOT-23-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	15.000							10 nA a 15,2 V						20 V
MBR20100CT-M3/4W	1.5900	Richiesta di offerta	4	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	TMBS®	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-3	MBR20100	Schottky		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	MBR20100CT-M3/4WGI	EAR99	8541.10.0080	50	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)	1 paio di catodo comune	100 V	10A	800 mV a 10 A		100 µA a 100 V	-65°C ~ 150°C
BZT03C62-TAP	0,2640	Richiesta di offerta	5869	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	BZT03	Nastro e scatola (TB)	Attivo	±6,45%	175°C (TJ)	Foro passante	SOD-57, assiale	BZT03C62		1,3 W	SOD-57	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	25.000					1,2 V a 500 mA		1 µA a 47 V						62 V	80 Ohm
NS8ATHE3_A/P	-	Richiesta di offerta	2496	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Foro passante	TO-220-2	NS8	Standard		TO-220AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1.000	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)		50 V		1,1 V a 8 A		10 µA a 50 V	-55°C ~ 150°C	8A	55 pF a 4 V, 1 MHz
BYW32-TR	0,5700	Richiesta di offerta	36	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Foro passante	SOD-57, assiale	BYW32	Valanga		SOD-57	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	5.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)		200 V		1,1 V a 1 A	200 n	5 µA a 200 V	-55°C ~ 175°C	2A	-
VSSB310-M3/52T	0,4600	Richiesta di offerta	28	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	TMBS®	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SB310	Schottky		DO-214AA (PMI)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	750	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)		100 V		700 mV a 3 A		250 µA a 100 V	-40°C~150°C	1,9 A	230 pF a 4 V, 1 MHz
TZQ5226B-GS08	0,0303	Richiesta di offerta	6404	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	Variante SOD-80	TZQ5226		500 mW	SOD-80 QuadroMELF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	12.500					1,5 V a 200 mA		25 µA a 1 V						3,3 V	28 Ohm
BZM55B75-TR3	0,0433	Richiesta di offerta	6790	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	Automobilistico, AEC-Q101, BZM55	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	2-SMD, senza piombo	BZM55B75		500 mW	MicroMELF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000					1,5 V a 200 mA		100 nA a 56 V						75 V	1500 Ohm
SS2H10HM3_A/I	0,1510	Richiesta di offerta	7165	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SS2H10	Schottky		DO-214AA (PMI)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	112-SS2H10HM3_A/ITR	EAR99	8541.10.0080	3.200	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)		100 V		790 mV a 2 A		10 µA a 100 V	-65°C ~ 175°C	2A	-
SE30PAD-M3/I	0,1155	Richiesta di offerta	9619	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	eSMP®	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-221BC, piazzola esposta per conduttori piatti SMA	SE30	Standard		DO-221BC (SMPA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	14.000	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)		200 V		1,16 V a 3 A	1,3 µs	5 µA a 200 V	-55°C ~ 175°C	3A	13 pF a 4 V, 1 MHz
VS-20CWT10FNTRR	-	Richiesta di offerta	7276	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	20CWT10	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	VS20CWT10FNTRR	EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)	1 paio di catodo comune	100 V	10A	890 mV a 20 A		50 µA a 100 V	175°C (massimo)
TZMA12-GS08	0,1497	Richiesta di offerta	8066	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80	TZMA12		500 mW	SOD-80 MiniMELF	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	12.500					1,5 V a 200 mA		100 nA a 9,1 V						12 V	20 Ohm
GSIB2560NL-01M3/P	-	Richiesta di offerta	8795	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GSIB-5S	GSIB2560	Standard		GSIB-5S	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	1					1 V a 12,5 A		10 µA a 600 V		3,5 A		Monofase	600 V
S4PG-BHM3_B/I	-	Richiesta di offerta	5634	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	Automotive, AEC-Q101, eSMP®	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	TO-277, 3-PowerDFN	S4PG	Standard		TO-277A (SMPC)	-				112-S4PG-BHM3_B/I	EAR99	8541.10.0080	1	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)		400 V		1,1 V a 4 A	2,5 µs	10 µA a 400 V	-55°C ~ 150°C	4A	30 pF a 4 V, 1 MHz
V12PM63-M3/H	0,3219	Richiesta di offerta	3381	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-277, 3-PowerDFN		Schottky		TO-277A (SMPC)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	112-V12PM63-M3/HTR	EAR99	8541.10.0080	1.500	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)		60 V		650 mV a 12 A		30 µA a 60 V	-40°C ~ 175°C	4,6A	2400 pF a 4 V, 1 MHz
1N4730A-T	-	Richiesta di offerta	4682	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4730		1,3 W	DO-41	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0050	5.000					1,2 V a 200 mA		50 µA a 1 V						3,9 V	400 ohm
BAS81-GS18	0,3600	Richiesta di offerta	4	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80	BAS81	Schottky		SOD-80 MiniMELF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	10.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità		40 V		1 V a 15 mA		200 nA a 40 V	125°C (massimo)	30mA	1,6 pF a 1 V, 1 MHz
SMAZ5936B-E3/61	0,1219	Richiesta di offerta	6145	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	SMAZ5936		500 mW	DO-214AC (SMA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.800					1,5 V a 200 mA		1 µA a 22,8 V						30 V	28 Ohm
BZX84B13-E3-18	0,0324	Richiesta di offerta	8512	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	BZX84	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B13		300 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000							100 nA a 8 V						13 V	30 Ohm
BZG03B91TR3	-	Richiesta di offerta	5215	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	Automobilistico, AEC-Q101, BZG03B	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	BZG03		1,25 W	DO-214AC	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0050	6.000					1,2 V a 500 mA		1 µA a 68 V						91 V	200 ohm
V2P6XHM3/H	0,4400	Richiesta di offerta	20	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-220AA	V2P6	Schottky		DO-220AA (SMP)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)		60 V		640 mV a 2 A		100 µA a 60 V	-40°C ~ 175°C	2A	240 pF a 4 V, 1 MHz
2KBP06ML-6145E4/72	-	Richiesta di offerta	3294	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	-	Scatola	Obsoleto		-55°C ~ 165°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBPM	2KBP06	Standard		KBPM	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	200					1,1 V a 3,14 A		5 µA a 600 V		2A		Monofase	600 V
VS-60HFUR-300	-	Richiesta di offerta	2798	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	*	Massa	Attivo					60HFU				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	100
VS-10BQ030-M3/5BT	0,3600	Richiesta di offerta	6	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	10BQ030	Schottky		DO-214AA (PMI)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.200	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)		30 V		420 mV a 1 A		500 µA a 30 V	-55°C ~ 150°C	1A	2000 pF a 5 V, 1 MHz
SMBZ5934B-M3/5B	0,1906	Richiesta di offerta	7767	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBZ5934		550 mW	DO-214AA (SMBJ)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.200					1,5 V a 200 mA		1 µA a 18,2 V						24 V	19 Ohm
VS-150U120DM12	36.8068	Richiesta di offerta	3670	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	-	Tubo	Attivo			Telaio, montaggio con perno	DO-205AA, DO-8, Prigioniero	150U120	Standard		DO-205AA (DO-8)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	VS150U120DM12	EAR99	8541.10.0080	25	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)		1200 V		1,47 V a 600 A			-40°C~180°C	150A	-
BZX384C33-E3-18	0,0324	Richiesta di offerta	3669	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	BZX384	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	BZX384C33		200 mW	SOD-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000							50 nA a 23,1 V						33 V	80 Ohm
BZX84B3V6-E3-18	0,0324	Richiesta di offerta	6693	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	BZX84	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B3V6		300 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000							5 µA a 1 V						3,6 V	90 Ohm
MMSZ5236B-G3-18	0,0409	Richiesta di offerta	6658	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-123	MMSZ5236		500 mW	SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000							3 µA a 6 V						7,5 V	6 Ohm
TLZ33-GS08	0,0335	Richiesta di offerta	9579	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	TLZ	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80	TLZ33		500 mW	SOD-80 MiniMELF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	12.500					1,5 V a 200 mA								33 V	65 Ohm