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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAV99W,115 | - | ![]() | 2469 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | Automobilistico, AEC-Q101, BAV99 | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | BAV99 | Standard | SOT-323 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BAV99W,115-954 | 1 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | Connessione in serie da 1 paio | 100 V | 150 mA (CC) | 1,25 V a 150 mA | 4nn | 500 nA a 80 V | 150°C (massimo) | ||||||||
![]() | BZV85-C47,113 | 0,0300 | ![]() | 109 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1,3 W | DO-41 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZV85-C47,113-954 | 1 | 1 V a 50 mA | 50 nA a 33 V | 47 V | 100 ohm | |||||||||||
![]() | BZB84-C51,215 | 1.0000 | ![]() | 2995 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | - | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 mW | SOT-23 | scaricamento | 0000.00.0000 | 1 | 1 paio di anodo comune | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 35,7 V | 51 V | 180 Ohm | ||||||||||||
![]() | BZX884-C13.315 | - | ![]() | 7950 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-882 | BZX884-C13 | 250 mW | DFN1006-2 | scaricamento | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 8 V | 13 V | 10 Ohm | ||||||||||||
![]() | BZV55-B3V6,115 | 0,0200 | ![]() | 218 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 200°C | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 mW | LLD; MiniMelf | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZV55-B3V6,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA a 1 V | 3,6 V | 90 Ohm |

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