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Diodi(545)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (Max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)
BZV85-C47,113	0,0300	Richiesta di offerta	109	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale			1,3 W	DO-41	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV85-C47,113-954			1						1 V a 50 mA		50 nA a 33 V				47 V	100 ohm
PMEG2015EA115	-	Richiesta di offerta	9032	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323		Schottky		SOD-323	scaricamento					EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)		20 V		660 mV a 1,5 A		50 µA a 15 V	-65°C ~ 125°C	1,5 A	25 pF a 5 V, 1 MHz
BAV99W,115	-	Richiesta di offerta	2469	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101, BAV99	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BAV99	Standard		SOT-323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BAV99W,115-954			1		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità	Connessione in serie da 1 paio	100 V	150 mA (CC)	1,25 V a 150 mA	4nn	500 nA a 80 V	150°C (massimo)
BZX884-C13.315	-	Richiesta di offerta	7950	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-882	BZX884-C13		250 mW	DFN1006-2	scaricamento						0000.00.0000	1						900 mV a 10 mA		100 nA a 8 V				13 V	10 Ohm
BZB84-B4V3215	-	Richiesta di offerta	4379	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±2%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300 mW	TO-236AB	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-BZB84-B4V3215-954			1						900 mV a 10 mA		3 µA a 1 V				4,3 V	90 Ohm
BZV55-C3V0,115	0,0200	Richiesta di offerta	210	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80			500 mW	LLD; MiniMelf	scaricamento			REACH Inalterato	2156-BZV55-C3V0,115-954			1						900 mV a 10 mA		10 µA a 1 V				3 V	95 Ohm
BZX84J-B20,115	0,0300	Richiesta di offerta	12	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F			550 mW	SOD-323F	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX84J-B20,115-954			1						1,1 V a 100 mA		50 nA a 14 V				20 V	20 Ohm
PZU6.2B2L,315	1.0000	Richiesta di offerta	3739	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-882	PZU6.2		250 mW	DFN1006-2	scaricamento						0000.00.0000	1						1,1 V a 100 mA		500 nA a 3 V				6,2 V	30 Ohm
BZV55-B3V6,115	0,0200	Richiesta di offerta	218	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80			500 mW	LLD; MiniMelf	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV55-B3V6,115-954			1						900 mV a 10 mA		5 µA a 1 V				3,6 V	90 Ohm
BZX79-B43,133	-	Richiesta di offerta	4691	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	BZX79-B43		400 mW	ALF2	scaricamento						0000.00.0000	1						900 mV a 10 mA		50 nA a 30,1 V				43 V	150 Ohm
1N4740A,133	0,0300	Richiesta di offerta	83	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo									scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-1N4740A,133-954			1
BZV90-C3V0,115	0,1500	Richiesta di offerta	2	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			1,5 W	SOT-223	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV90-C3V0,115-954	EAR99	8541.10.0050	1						1 V a 50 mA		10 µA a 1 V				3 V	95 Ohm
BZX79-C56,113	0,0200	Richiesta di offerta	400	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			400 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX79-C56,113-954			1						900 mV a 10 mA		50 nA a 39,2 V				56 V	200 ohm
BZB84-B12.215	-	Richiesta di offerta	2966	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%	-	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300 mW	SOT-23	scaricamento						0000.00.0000	1	1 paio di anodo comune					900 mV a 10 mA		100 nA a 8 V				12 V	25 Ohm
BZX84-A16.215	0,1000	Richiesta di offerta	4	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX84-A16,215-954	EAR99	8541.10.0050	1						900 mV a 10 mA		50 nA a 700 mV				16 V	40 Ohm
PMEG1020EV,115	0,0600	Richiesta di offerta	264	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666		Schottky		SOT-666	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PMG1020EV,115-954			4.991		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)		10 V		460 mV a 2 A		3 mA a 10 V	150°C (massimo)	2A	45 pF a 5 V, 1 MHz
BZB84-B13.215	-	Richiesta di offerta	5137	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%	-	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-B13		300 mW	TO-236AB	scaricamento						0000.00.0000	1	1 paio di anodo comune					900 mV a 10 mA		100 nA a 8 V				13 V	30 Ohm
BZV85-C6V2,133	0,0400	Richiesta di offerta	96	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale			1 W	DO-41	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV85-C6V2,133-954			1						1 V a 50 mA		2 µA a 3 V				6,2 V	4 Ohm
BZX79-B2V7,143	0,0200	Richiesta di offerta	80	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			400 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX79-B2V7,143-954			1						900 mV a 10 mA		20 µA a 1 V				2,7 V	100 ohm
BZV85-C8V2,133	0,0300	Richiesta di offerta	66	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale			1,3 W	DO-41	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV85-C8V2,133-954			1						1 V a 50 mA		700 nA a 5 V				8,2 V	5 Ohm
BZB784-C2V7,115	0,0300	Richiesta di offerta	75	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%	-	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323			180 mW	SOT-323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZB784-C2V7,115-954	EAR99	8541.10.0050	1	1 paio di anodo comune					900 mV a 10 mA		20 µA a 1 V				2,7 V	100 ohm
BZV85-C43,133	-	Richiesta di offerta	7382	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale			1,3 W	DO-41	scaricamento						0000.00.0000	1						1 V a 50 mA		50 nA a 30 V				43 V	75 Ohm
BZX79-C56,143	0,0200	Richiesta di offerta	367	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			400 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX79-C56,143-954			1						900 mV a 10 mA		50 nA a 39,2 V				56 V	200 ohm
BAS40-04.215	0,0200	Richiesta di offerta	2929	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					BAS40				-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BAS40-04,215-954			13.000
BAS28.215	0,0300	Richiesta di offerta	799	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	TO-253-4, TO-253AA	BAS28	Standard		SOT-143B	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BAS28,215-954			1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)	2 Indipendente	75 V	215 mA (CC)	1,25 V a 150 mA	4nn	1 µA a 75 V	150°C (massimo)
NZH9V1B,115	0,0200	Richiesta di offerta	198	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-123F			500 mW	SOD-123F	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-NZH9V1B,115-954	EAR99	8541.10.0070	1						900 mV a 10 mA		500 nA a 6 V				9,1 V	8 Ohm
BZV55-C5V1.115	0,0200	Richiesta di offerta	84	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80			500 mW	LLD; MiniMelf	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV55-C5V1,115-954			1						900 mV a 10 mA		2 µA a 2 V				5,1 V	60 Ohm
BZT52H-B4V3,115	0,0200	Richiesta di offerta	73	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C (TA)	Montaggio superficiale	SOD-123F	BZT52		375 mW	SOD-123F	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZT52H-B4V3,115-954			1						900 mV a 10 mA		3 µA a 1 V				4,3 V	95 Ohm
BZX84-C30,215	0,0200	Richiesta di offerta	50	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX84-C30,215-954			1						900 mV a 10 mA		50 nA a 21 V				30 V	80 Ohm
PZU4.3B2.115	-	Richiesta di offerta	2424	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±2%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F			310 mW	SC-90	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-PZU4.3B2,115-954			1						1,1 V a 100 mA		3 µA a 1 V				4,3 V	90 Ohm