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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tensione accoppiata a corrente - Dispersione inversa @ Vr | Corrente accoppiata alla tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52H-B16.115 | - | ![]() | 2958 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C (TA) | Montaggio superficiale | SOD-123F | 375 mW | SOD-123F | - | RoHS non conforme | Venditore non definito | 2156-BZT52H-B16,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 11,2 V | 16 V | 20 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZX884-C33,315 | - | ![]() | 8749 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-882 | 250 mW | DFN1006-2 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZX884-C33,315-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 23,1 V | 33 V | 80 Ohm | |||||||||||||||
![]() | PZU2.4BA,115 | 0,0200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | 320 mW | SOD-323 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-PZU2.4BA,115-954 | 1 | 1,1 V a 100 mA | 50 µA a 1 V | 2,4 V | 100 ohm | |||||||||||||||
![]() | BZX884-B27315 | 0,0300 | ![]() | 479 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | scaricamento | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C75,215 | 0,0200 | ![]() | 209 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZX84-C75,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 52,5 V | 75 V | 255 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZX79-C16,133 | - | ![]() | 3155 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | BZX79-C16 | 400 mW | ALF2 | scaricamento | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 11,2 V | 16 V | 40 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | BZX384-B22.115 | - | ![]() | 4745 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 mW | SOD-323 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZX384-B22,115-954 | 1 | 1,1 V a 100 mA | 50 nA a 15,4 V | 22 V | 55 Ohm | ||||||||||||||
![]() | NZH9V1B,115 | 0,0200 | ![]() | 198 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123F | 500 mW | SOD-123F | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-NZH9V1B,115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV a 10 mA | 500 nA a 6 V | 9,1 V | 8 Ohm | |||||||||||||
![]() | NZH20C,115 | 0,0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±3% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123F | 500 mW | SOD-123F | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-NZH20C,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 40 nA a 15 V | 20 V | 28 Ohm | |||||||||||||||
![]() | PZU24B2L,315 | 0,0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-882 | 250 mW | DFN1006-2 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-PZU24B2L,315-954 | 10.764 | 1,1 V a 100 mA | 50 nA a 19 V | 24 V | 30 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZV55-C11.115 | 0,0200 | ![]() | 284 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 mW | LLD; MiniMelf | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZV55-C11,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 8 V | 11 V | 20 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZV90-C30,115 | 1.0000 | ![]() | 9642 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | BZV90-C30 | 1,5 W | SOT-223 | scaricamento | 0000.00.0000 | 1 | 1 V a 50 mA | 50 nA a 21 V | 30 V | 80 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | PMEG4005EGW,118 | 1.0000 | ![]() | 2203 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | scaricamento | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS28.215 | 0,0300 | ![]() | 799 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | TO-253-4, TO-253AA | BAS28 | Standard | SOT-143B | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BAS28,215-954 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 2 Indipendente | 75 V | 215 mA (CC) | 1,25 V a 150 mA | 4nn | 1 µA a 75 V | 150°C (massimo) | ||||||||||||
![]() | PZU9.1B2L,315 | 0,0300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-882 | 250 mW | DFN1006-2 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-PZU9.1B2L,315-954 | 10.764 | 1,1 V a 100 mA | 500 nA a 6 V | 9,1 V | 10 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BAT17.215 | 0,0700 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BAT17,215-954 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B20,113 | 0,0200 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 200°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 400 mW | ALF2 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZX79-B20,113-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 14 V | 20 V | 55 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZV85-C5V1,133 | 0,0400 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | 200°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZV85-C5V1,133-954 | 1 | 1 V a 50 mA | 3 µA a 2 V | 5,1 V | 10 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZV55-C6V2.115 | 0,0200 | ![]() | 93 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 mW | LLD; MiniMelf | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZV55-C6V2,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA a 4 V | 6,2 V | 10 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZT52-C33X | - | ![]() | 9569 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | Automobilistico, AEC-Q101, BZT52 | Massa | Attivo | ±6,06% | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123 | 350 mW | SOD-123 | - | RoHS non conforme | Venditore non definito | 2156-BZT52-C33X-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 23,1 V | 33 V | 40 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZB84-C2V4,215 | - | ![]() | 2536 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | - | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-C2V4 | 300 mW | TO-236AB | scaricamento | 0000.00.0000 | 1 | 1 paio di anodo comune | 900 mV a 10 mA | 50 µA a 1 V | 2,4 V | 100 ohm | |||||||||||||||
![]() | BZX84-B4V3,215 | 0,0200 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZX84-B4V3,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA a 1 V | 4,3 V | 90 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZX884-C10.315 | 0,0300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-882 | 250 mW | DFN1006-2 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZX884-C10,315-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 200 nA a 7 V | 10 V | 10 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZX585-B62.115 | 0,0300 | ![]() | 95 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | 300 mW | SOD-523 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZX585-B62,115-954 | 9.366 | 1,1 V a 100 mA | 50 nA a 43,4 V | 62 V | 215 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZV55-B3V3,115 | 0,0200 | ![]() | 191 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 200°C | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 mW | LLD; MiniMelf | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZV55-B3V3,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA a 1 V | 3,3 V | 95 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZV85-C4V7,133 | 0,0300 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1,3 W | DO-41 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZV85-C4V7,133-954 | 1 | 1 V a 50 mA | 3 µA a 1 V | 4,7 V | 13 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BAW56.215 | - | ![]() | 2043 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAW56 | Standard | SOT-23 | scaricamento | 0000.00.0000 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 215 mA (CC) | 1.25 | 500 | 150°C (massimo) | 80 | 150 | ||||||||||||||
![]() | BZX79-C47,143 | 0,0200 | ![]() | 175 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 400 mW | ALF2 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZX79-C47,143-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 700 mV | 47 V | 170 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1N4738A,133 | 0,0400 | ![]() | 132 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-1N4738A,133-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | PZU3.6B2L,315 | 0,0300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-882 | 250 mW | DFN1006-2 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-PZU3.6B2L,315-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 9.947 | 1,1 V a 100 mA | 5 µA a 1 V | 3,6 V | 90 Ohm |

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