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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Corrente: max | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Resistenza @ Se, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDH05SG60CXKSA1 | - | ![]() | 8217 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CoolSiC™+ | Tubo | Interrotto alla SIC | Foro passante | TO-220-2 | IDH05SG60 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO220-2-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 600 V | 2,3 V a 5 A | 0 ns | 30 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | 5A | 110 pF a 1 V, 1 MHz | ||||||||||
| DD170N16SHPSA1 | 58.7800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Attivo | Montaggio su telaio | Modulo | DD170N16 | Standard | BG-PB34SB-1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Connessione in serie da 1 paio | 1600 V | 165A | 9 mA a 1600 V | 135°C (massimo) | ||||||||||||||
![]() | IDD10SG60CXTMA2 | 6.7900 | ![]() | 490 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CoolSiC™+ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | IDD10SG60 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO252-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 600 V | 2,1 V a 10 A | 0 ns | 90 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 290 pF a 1 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | IDH12G65C6XKSA1 | 6.1100 | ![]() | 420 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | IDH12G65 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO220-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,35 V a 12 A | 0 ns | 40 µA a 420 V | -55°C ~ 175°C | 27A | 594pF a 1 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BAL99E6327 | 0,0400 | ![]() | 249 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Standard | PG-SOT23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 8.959 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 80 V | 1,25 V a 150 mA | 4nn | 1 µA a 70 V | -65°C ~ 150°C | 250 mA | 1,5 pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | SIDC14D60F6X1SA2 | - | ![]() | 1098 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | Morire | SIDC14D60 | Standard | Segato su pellicola | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,6 V a 45 A | 27 µA a 600 V | -40°C~150°C | 45A | - | |||||||||||
![]() | SIDC42D120H6X1SA3 | - | ![]() | 6376 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | Morire | SIDC42D | Standard | Segato su pellicola | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,6 V a 75 A | 27 µA a 1200 V | -55°C ~ 150°C | 75A | - | |||||||||||
![]() | D1961SH45TXPSA1 | 2.0000 | ![]() | 3114 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Attivo | Montaggio su telaio | DO-200AE | D1961SH45 | Standard | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 4500 V | 2,5 V a 2500 A | 150 mA a 4500 V | 0°C ~ 140°C | 2380A | - | |||||||||||
![]() | BAS3005B02VH6327XTSA1 | 0,4500 | ![]() | 256 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | BAS3005 | Schottky | PG-SC79-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 620 mV a 500 mA | 25 µA a 30 V | -55°C ~ 125°C | 500mA | 10 pF a 5 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | IDH10SG60CXKSA2 | 7.1200 | ![]() | 360 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CoolSiC™+ | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | IDH10SG60 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO220-2-1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 600 V | 2,1 V a 10 A | 0 ns | 90 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 290 pF a 1 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | DZ1070N22KHPSA3 | 516.2600 | ![]() | 7807 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Attivo | Montaggio su telaio | Modulo | DZ1070 | Standard | Modulo | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 2200 V | 1,11 V a 3000 A | 150 mA a 2200 V | -40°C~150°C | 1100A | - | |||||||||||
![]() | BAS40-04B5003 | - | ![]() | 4318 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | PG-SOT23 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | Connessione in serie da 1 paio | 40 V | 120 mA (CC) | 1 V a 40 mA | 100 CV | 1 µA a 30 V | 150°C (massimo) | |||||||||||
![]() | EDD630N16P60HPSA1 | - | ![]() | 1929 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | Montaggio su telaio | Modulo | EDD630 | Standard | BG-PB60ECO-1 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | SP001689146 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 1600 V | 630A | - | ||||||||||||
![]() | BAT1704WE6327HTSA1 | - | ![]() | 4494 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | SC-70, SOT-323 | BAT1704 | PG-SOT323 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 130 mA | 150 mW | 0,75 pF a 0 V, 1 MHz | Schottky - Collegamento in serie a 1 paio | 4V | 15 Ohm a 5 mA, 10 kHz | ||||||||||||||
![]() | BAT6404WE6327HTSA1 | - | ![]() | 3772 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Automobilistico, AEC-Q101, BAT64 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | BAT6404 | Schottky | PG-SOT323 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | Connessione in serie da 1 paio | 40 V | 250 mA | 750 mV a 100 mA | 5 nn | 2 µA a 30 V | 150°C (massimo) | |||||||||||
![]() | DD500S33HE3BPSA1 | 975.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Attivo | Montaggio su telaio | Modulo | DD500S33 | Standard | AG-IHVB130-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 2 Indipendente | 3300 V | - | 3,85 V a 500 A | da 500 A a 1800 V | -40°C~150°C | |||||||||||
![]() | BAV70WE6327 | - | ![]() | 1236 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | BAV70 | Standard | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 1 paio di catodo comune | 80 V | 200 mA (CC) | 1,25 V a 150 mA | 4nn | 150 nA a 70 V | 150°C (massimo) | ||||||||||
![]() | IDP15E65D2XKSA1 | 1.8500 | ![]() | 354 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | IDP15E65 | Standard | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 650 V | 2,3 V a 15 A | 47 nn | 40 µA a 650 V | -40°C ~ 175°C | 15A | - | ||||||||||
![]() | D770N20TXPSA1 | - | ![]() | 4092 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Morsetto | DO-200AA, A-PUK | D770N | Standard | - | scaricamento | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 2000 V | 1,08 V a 400 A | 30 mA a 2000 V | -40°C~180°C | 770A | - | ||||||||||||
![]() | D1050N18TXPSA1 | 141.7400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Attivo | Montaggio su telaio | DO-200AB, B-PUK | D1050N | Standard | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1800 V | 1 V a 1000 A | 60 mA a 1800 V | -40°C~180°C | 1050A | - | |||||||||||
![]() | D1050N12TXPSA1 | - | ![]() | 5213 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Morsetto | DO-200AB, B-PUK | D1050N | Standard | - | scaricamento | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1 V a 1000 A | 60 mA a 1200 V | -40°C~180°C | 1050A | - | ||||||||||||
![]() | BAT64B5003 | - | ![]() | 5508 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT64 | Schottky | PG-SOT23 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 40 V | 750 mV a 100 mA | 5 nn | 2 µA a 30 V | 150°C (massimo) | 120 mA | 6 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BAT15-098LRHE6327 | 0,1900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TA) | 4-XFDFN | BAT15 | PG-TSLP-4-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 110 mA | Schottky - 2 Indipendente | 4V | ||||||||||||||||
![]() | D400N18BVFXPSA1 | - | ![]() | 1316 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a perno | DO-205AA, DO-8, Prigioniero | D400N | Standard | - | scaricamento | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1800 V | 40 mA a 1800 V | -40°C~180°C | 450A | - | |||||||||||||
![]() | IRD3CH9DB6 | - | ![]() | 9224 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | Morire | IRD3CH9 | Standard | Morire | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | SP001544374 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1200 V | 2,7 V a 10 A | 154 ns | 200 nA a 1200 V | -40°C~150°C | 10A | - | ||||||||||
![]() | IDK10G65C5XTMA1 | - | ![]() | 3919 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CoolSiC™+ | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | IDK10G65 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO263-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,8 V a 10 A | 0 ns | 1,7 mA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 300 pF a 1 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | D450S16TXPSA1 | - | ![]() | 1563 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | DO-200AA, A-PUK | D450S | Standard | - | scaricamento | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1600 V | 2,25 V a 1200 A | 6,2 µs | 10 mA a 1600 V | -25°C~180°C | 443A | - | |||||||||||
![]() | IRD3CH16DF6 | - | ![]() | 7260 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | IRD3CH16 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | SP001540428 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IDK12G65C5XTMA1 | - | ![]() | 2464 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CoolSiC™+ | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | IDK12G65 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO263-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,8 V a 12 A | 0 ns | 2,1 mA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 12A | 360 pF a 1 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BAV99B5003 | - | ![]() | 6262 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV99 | Standard | PG-SOT23 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | Connessione in serie da 1 paio | 80 V | 200 mA (CC) | 1,25 V a 150 mA | 4nn | 150 nA a 70 V | 150°C (massimo) |

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