Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]()  |                                                           SIDC32D170HX1SA3 | - | ![]()  |                              9535 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | Morire | SIDC32D | Standard | Segato su pellicola | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1700 V | 1,8 V a 50 A | 27 µA a 1700 V | -55°C ~ 150°C | 50A | - | |||||
![]()  |                                                           SIDC81D120E6X1SA4 | - | ![]()  |                              9814 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | Morire | SIDC81D | Standard | Segato su pellicola | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,9 V a 100 A | 27 µA a 1200 V | -55°C ~ 150°C | 100A | - | |||||
![]()  |                                                           SIDC03D60F6X1SA1 | - | ![]()  |                              5797 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | Morire | SIDC03 | Standard | Morire | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,6 V a 6 A | 27 µA a 600 V | -40°C ~ 175°C | 6A | - | |||||
![]()  |                                                           D770N14TXPSA1 | - | ![]()  |                              5128 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | DO-200AA, A-PUK | D770N | Standard | - | scaricamento | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1400 V | 1,08 V a 400 A | 30 mA a 1400 V | -40°C~180°C | 770A | - | ||||||
![]()  |                                                           DDB6U145N16LHOSA1 | 170.6400 | ![]()  |                              9772 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Attivo | Montaggio su telaio | Modulo | DDB6U145 | Standard | Modulo | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 | - | 3 Indipendente | 1600 V | - | 1,43 V a 150 A | 5 mA a 1600 V | -40°C~150°C | |||||
![]()  |                                                           AIDK16S65C5ATMA1 | 4.2744 | ![]()  |                              2438 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | AIDK16 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO263-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 16 A | 0 ns | 90 µA a 650 V | -40°C ~ 175°C | 16A | 483pF a 1V, 1MHz | |||||
![]()  |                                                           ND260N08KHPSA1 | - | ![]()  |                              4546 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | Montaggio su telaio | Modulo | ND260N | Standard | BG-PB50ND-1 | - | Non applicabile | REACH Inalterato | SP000540046 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,32 V a 800 A | 30 mA a 800 V | 150°C (massimo) | 260A | - | |||||
![]()  |                                                           IDH20G65C5XKSA1 | - | ![]()  |                              3532 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CoolSiC™+ | Tubo | Interrotto alla SIC | Foro passante | TO-220-2 | IDH20 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO220-2-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 700 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 20A | 590pF a 1 V, 1 MHz | ||||
![]()  |                                                           IDK10G65C5XTMA2 | 5.3600 | ![]()  |                              1 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CoolSiC™+ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | IDK10G65 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO263-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,8 V a 10 A | 0 ns | -55°C ~ 175°C | 10A | 300 pF a 1 V, 1 MHz | |||||
![]()  |                                                           SIDC23D120E6X1SA1 | - | ![]()  |                              3681 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | Morire | SIDC23D | Standard | Segato su pellicola | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,9 V a 25 A | 27 µA a 1200 V | -55°C ~ 150°C | 25A | - | |||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | 11.2900 | ![]()  |                              240 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CoolSiC™+ | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | IDW20G65 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 180 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 300 pF a 1 V, 1 MHz | |||||
![]()  |                                                           DD380N16AHPSA1 | 229.0200 | ![]()  |                              3 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Attivo | Montaggio su telaio | Modulo | DD380N16 | Standard | Modulo | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 2 Indipendente | 1600 V | 380A | 1,4 V a 1500 A | 25 mA a 1600 V | -40°C~150°C | |||||
![]()  |                                                           IDK09G65C5XTMA2 | 2.7991 | ![]()  |                              8514 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CoolSiC™+ | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | IDK09G65 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO263-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,8 V a 9 A | 0 ns | 1,6 mA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 9A | 270 pF a 1 V, 1 MHz | ||||
![]()  |                                                           D121N16BXPSA1 | - | ![]()  |                              2746 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a perno | DO-205AA, DO-8, Prigioniero | D121N | Standard | - | scaricamento | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1600 V | 20 mA a 1600 V | -40°C~180°C | 230A | - | |||||||
![]()  |                                                           SIDC06D60F6X1SA2 | - | ![]()  |                              3377 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | Morire | SIDC06D60 | Standard | Morire | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,6 V a 15 A | 27 µA a 600 V | -40°C ~ 175°C | 15A | - | |||||
![]()  |                                                           IDD12SG60CXTMA1 | - | ![]()  |                              9536 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CoolSiC™+ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | IDD12SG60 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO252-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 600 V | 2,1 V a 12 A | 0 ns | 100 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | 12A | 310 pF a 1 V, 1 MHz | |||||
![]()  |                                                           BAW79D E6327 | 0,1100 | ![]()  |                              4 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | TO-243AA | BAW79 | Standard | PG-SOT89 | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 400 V | 1A (CC) | 1,6 V a 1 A | 1 µs | 1 µA a 400 V | 150°C (massimo) | ||||
![]()  |                                                           IDWD30G120C5XKSA1 | 20.7500 | ![]()  |                              494 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CoolSiC™+ | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | IDWD30 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO247-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,65 V a 30 A | 0 ns | 248 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 87A | 1980 pF a 1 V, 1 MHz | ||||
![]()  |                                                           SIDC19D60SIC3 | - | ![]()  |                              5268 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | Morire | SIDC19D | SiC (carburo di silicio) Schottky | Segato su pellicola | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | SP000013870 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 600 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 200 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | 6A | 300 pF a 1 V, 1 MHz | |||
![]()  |                                                           BAS3010B03WE6327HTSA1 | 0,4600 | ![]()  |                              14 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | BAS3010 | Schottky | PG-SOD323-3D | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 550 mV a 1 A | 20 µA a 30 V | -65°C ~ 125°C | 1A | 40 pF a 5 V, 1 MHz | |||||
![]()  |                                                           IDT08S60C | 3.0800 | ![]()  |                              4 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO220-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 600 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 100 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | 8A | 310 pF a 1 V, 1 MHz | |||||
![]()  |                                                           SIDC06D120F6X1SA2 | - | ![]()  |                              2530 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | Morire | SIDC06D120 | Standard | Segato su pellicola | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 2,1 V a 5 A | 27 µA a 1200 V | -55°C ~ 150°C | 5A | - | |||||
![]()  |                                                           D1030N24TXPSA1 | - | ![]()  |                              9647 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Morsetto | DO-200AB, B-PUK | D1030N24 | Standard | - | scaricamento | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 2400 V | 1,11 V a 10.000 A | 40 mA a 2400 V | -40°C ~ 160°C | 1030A | - | ||||||
![]()  |                                                           DZ600N14KHQSA2 | - | ![]()  |                              4930 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | Montaggio su telaio | Modulo | DZ600N14 | Standard | BG-PB501-1 | scaricamento | Non applicabile | REACH Inalterato | SP000860148 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1400 V | 1,4 V a 2200 A | 40 mA a 1400 V | 150°C (massimo) | 735A | - | |||||
![]()  |                                                           IDK05G65C5XTMA2 | 1.5789 | ![]()  |                              3805 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CoolSiC™+ | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | IDK05G65 | SiC (carburo di silicio) Schottky | PG-TO263-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,8 V a 5 A | 0 ns | 830 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 5A | 160 pF a 1 V, 1 MHz | ||||
![]()  |                                                           IDP2308T1XUMA1 | 2.3085 | ![]()  |                              7941 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | IDP2308 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 2.500 | |||||||||||||||||||
![]()  |                                                           D3501N32TS20XPSA1 | - | ![]()  |                              3928 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | DO-200AE | Standard | BG-D12035K-1 | - | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 3200 V | 1,27 V a 4000 A | 100 mA a 3200 V | 160°C | 4870A | - | ||||||||
![]()  |                                                           BAV70W E6433 | - | ![]()  |                              7190 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | BAV70 | Standard | PG-SOT323 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 50.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 1 paio di catodo comune | 80 V | 200 mA (CC) | 1,25 V a 150 mA | 4 ns | 150 nA a 70 V | 150°C (massimo) | |||||
![]()  |                                                           ND89N12KXPSA1 | 110.0580 | ![]()  |                              6790 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Attivo | Montaggio su telaio | Modulo | Standard | - | - | Conformità ROHS3 | 448-ND89N12KXPSA1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,5 V a 300 A | 20 mA a 1,2 kV | 150°C | 89A | - | |||||||
![]()  |                                                           BAS2103WE6433HTMA1 | 0,0648 | ![]()  |                              6805 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | BAS2103 | Standard | PG-SOD323-3D | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1,25 V a 200 mA | 50 n | 100 nA a 200 V | 150°C (massimo) | 250 mA | 5 pF a 0 V, 1 MHz | 

Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

Unità di prodotto standard

Produttori mondiali

Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)