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Normativa attuale: diodi, transistor(1067)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tensione - Anodo - Catodo (Vak)(Max) | Corrente del regolatore (massima) | Tensione - Limitazione (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5285/TR | 18.6900 |  | 1726 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5285 | 475 mW | DO-7 | - | REACH Inalterato | 150-1N5285/TR | 100 | 100 V | 297 µA | 1 V | |||||
 | JAN1N5287UR-1/TR | 36.6000 | | 6882 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5287 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JAN1N5287UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 363 µA | 1 V | ||
| JANKCA1N5301 | - | | 6555 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANKCA1N5301 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,54 mA | 1,55 V | |||
| JAN1N5312UR-1/TR | 30.4650 | | 9225 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5312 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JAN1N5312UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 4,29 mA | 2,6 V | ||
 | J504 TO-92 2L | 7.3300 | | 1 | 0.00000000 | Sistemi integrati lineari, Inc. | J500 | Massa | Attivo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) | J504 | 350 mW | TO-92 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 1.000 | 800mV | |||||
| JAN1N5302UR-1 | 36.6900 | | 5768 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5302 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,65mA | 1,6 V | ||
| 1N5286UR-1 | 21.8250 | | 1221 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5286 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 330μA | 1 V | |||
| JANHCA1N5314 | - | | 7147 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 500 mW | DO-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANHCA1N5314 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 5,17 mA | 2,9 V | |||
| 1N5310 | 18.7800 | | 5082 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5310 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-1N5310 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 3,63 mA | 2,35 V | ||
 | CDLL5286 | 25.3350 | | 2324 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | CDLL52 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 V | 330μA | 1 V | |||
| JANS1N5297UR-1/TR | 131.5650 | | 9704 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANS1N5297UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,1mA | 1,35 V | |||
 | JANTX1N5290-1 | 25.2800 | | 46 | 0.00000000 | Soluzioni tecnologiche MACOM | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Interrotto alla SIC | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5290 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 100 V | 517μA | 1,05 V | |||
| CDLL5287 | 25.0950 | | 8625 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | CDLL52 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 V | 363 µA | 1 V | |||
| 1N5288UR-1/TR | 22.0050 | | 1821 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5288 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-1N5288UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 429 µA | 1,05 V | ||
| 1N7049-1 | 7.1700 | | 4052 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | 1N7049 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||
| CDLL5306 | 25.0950 | | 1149 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | CDLL53 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 V | 2,42 mA | 1,95 V | |||
| JANTX1N5295-1/TR | 34.1550 | | 6696 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5295 | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N5295-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 902 µA | 1,25 V | ||
| JAN1N5288-1/TR | 25.8900 | | 4350 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5288 | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JAN1N5288-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 429 µA | 1,05 V | ||
| 1N5302UR-1 | 22.1850 | | 8748 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5302 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,65mA | 1,6 V | |||
 | CMJ3500 TR PBFREE | 6.2200 | | 5 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ3500 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 V | 4,1mA | 3,2 V | ||
| 1N5290-1/TR | 18.7950 | | 5452 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5290 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-1N5290-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 517μA | 1,05 V | ||
| CDLL5304 | 25.0950 | | 4201 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | CDLL53 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 V | 1,98 mA | 1,75 V | |||
 | CD5292 | 19.2450 | | 2027 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | CD529 | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CD5292 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100 V | 682μA | 1,13 V | ||||
| JANTX1N5285UR-1/TR | 38.4300 | | 2948 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5285 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N5285UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 297 µA | 1 V | ||
| CD5287 | 19.2450 | | 3571 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | CD528 | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CD5287 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100 V | 363 µA | 1 V | ||||
| CD5312 | 19.2450 | | 1485 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | CD531 | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CD5312 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100 V | 4,29 mA | 2,6 V | ||||
| JANTX1N5305UR-1 | 35,7000 | | 8920 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5305 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 2,2 mA | 1,85 V | |||
| JANTX1N5306UR-1 | 38.2650 | | 8987 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5306 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 2,42 mA | 1,95 V | ||
| JANTXV1N5298UR-1 | 40.2450 | | 1321 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5298 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | - | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,21mA | 1,4 V | ||||
| JANTX1N5285-1/TR | 33.4650 | | 8251 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5285 | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N5285-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 297 µA | 1 V |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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