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Normativa attuale: diodi, transistor(20)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tensione - Anodo - Catodo (Vak)(Max) | Corrente del regolatore (massima) | Tensione - Limitazione (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CMJH180 TR PBFREE | 6.5000 |  | 2 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJH180 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 V | 20 mA | 4,6 V | ||
| CMJ1500 TR PBGRATIS | 6.2200 | | 13 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ1500 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 V | 1,72 mA | 2V | ||
 | CMJ1000TR | - | | 1782 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ1000 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | REACH Inalterato | 1514-CMJ1000TR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 100 V | 1,32 mA | 1,7 V | |||
| CMJ1000 TR PBGRATIS | 6.2200 | | 26 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ1000 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 V | 1,32 mA | 1,7 V | ||
| CMJ2700 TR PBFREE | 6.2800 | | 2 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ2700 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 V | 3,1mA | 2,7 V | ||
| CMJ5750 TR PB GRATUITO | 6.2800 | | 8 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ5750 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 V | 6,5mA | 4,5 V | ||
| CMJ0300 TR PBFREE | 6.2800 | | 326 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ0300 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 V | 420μA | 800mV | ||
| CMJ5750TR | - | | 2854 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ5750 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | REACH Inalterato | 1514-CMJ5750TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 100 V | 6,5mA | 4,5 V | |||
| CMJH120 TR PBFREE | 6.5000 | | 2 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJH120 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 V | 14,4 mA | 3,8 V | ||
| CMJH150 TR PBGRATIS | 6.5000 | | 12 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJH150 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 V | 18 mA | 4,3 V | ||
| CMJ0500 TR PBFREE | 6.2800 | | 5 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ0500 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 V | 630 µA | 1,1 V | ||
| CMJ2000 TR PBFREE | 6.2800 | | 1 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ2000 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 V | 2,32 mA | 2,3 V | ||
 | CCL0035BK | - | | 1356 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | CCL0035 | 600 mW | DO-35 | scaricamento | REACH Inalterato | 1514-CCL0035BK | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 100 V | 60mA | 400mV | |||
| CCL0035TR | - | | 4551 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | CCL0035 | 600 mW | DO-35 | scaricamento | REACH Inalterato | 1514-CCL0035TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 100 V | 60mA | 400mV | |||
| CMJ3500 TR PBFREE | 6.2200 | | 5 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ3500 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 V | 4,1mA | 3,2 V | ||
| CMJH100 TR PBGRATIS | 6.5000 | | 30 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJH100 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 V | 12 mA | 3,5 V | ||
| CMJ0130 TR PBFREE | 6.2200 | | 6 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ0130 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 V | 210μA | 800mV | ||
| CMJ0750 TR PBFREE | 3.4200 | | 4230 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ0750 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 V | 920μA | 1,4 V | ||
| CMJ4500 TR PB GRATUITO | 6.2200 | | 7 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ4500 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 V | 5,1mA | 3,7 V | ||
| CMJH080 TR PBFREE | 6.5000 | | 1 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJH080 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 V | 9,84 mA | 3,1 V |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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