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Protezione del circuito(236)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Capacità @ Frequenza Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Canali unidirezionali Tensione - Standoff inverso (tipico) Tensione - Guasto (Min) Tensione - Bloccaggio (Max) @ Ipp Corrente - Impulso di picco (10/1000μs) Potenza-Impulso di picco Protezione della linea elettrica Canali bidirezionali
DF3A3.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.6FU(TE85L,F) 0,3900
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 ECAD 129 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener DF3A3.6 110 pF a 1 MHz USM scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 2 1 V 3,4 V - - - NO
CSLZ30V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ30V,L3F 0,2200
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CSLZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener CSLZ 7,5 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 10.000 1 23 V (massimo) 28 V 51 V (sugger.) 2,5 A (8/20 µs) - NO
CEZ30V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ30V,L3F 0,3100
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CEZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 Zener 21pF @ 1MHz ESC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 8.000 1 30 V 28 V 47,5 V (sugger.) 4A (8/20μs) 200 W NO
DF5A6.8CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8CFU(TE85L,F 0,4400
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 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Zener DF5A6.8 23 pF a 1 MHz USV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 4 5 V 6,4 V - - - NO
MUZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ20V,LF 0,3500
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener 29 pF a 1 MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 20 V 18,8 V 30,5 V (sugger.) 5A (8/20μs) 200 W NO
CUZ6V8,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ6V8,H3F 0,3500
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 Zener 88pF @ 1MHz USC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 6,8 V 6,4 V 13 V (suggerimento) 10A (8/20μs) 180 W NO
DF2B6.8E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8E,L3F 0,2000
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 ECAD 26 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 Zener DF2B6.8 15 pF a 1 MHz ESC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 8.000 5 V (massimo) 5,8 V - - - NO 1
DF3A5.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6FU(TE85L,F) 0,3900
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 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener DF3A5.6 65 pF a 1 MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) DF3A5.6FU(TE85LF)TR EAR99 8541.10.0080 3.000 2 2,5 V 5,3 V - - - NO
DF2B29FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B29FU,H3XHF 0,3900
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 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Automobilistico Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 Zener 9 pF a 1 MHz USC scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 24 V (massimo) 26V 47V 3A (8/20μs) 140 W NO 1
DF2S23P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S23P2FU,H3F 0,4900
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 Zener DF2S23 160 pF a 1 MHz USC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 21 V (massimo) 21,5 V 27,3 V (sugger.) 14A (8/20μs) 500W NO
DF2S6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M5CT,L3F 0,4000
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOD-882 Zener 0,6 pF a 1 MHz CST2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 5 V (massimo) 5,5 V 15 V 2,5 A (8/20 µs) 37 W NO
DF2B6.8FS(TPL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS(TPL3,T) -
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 ECAD 2628 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, cavo piatto Zener DF2B 15 pF a 1 MHz fSC scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 5 V (massimo) 5,8 V 8,5 V (sugger.) 1A (8/20μs) - NO 1
DF5A3.6JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6JE,LM -
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 ECAD 7472 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOT-553 Zener DF5A3.6 110 pF a 1 MHz ESV scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 4.000 4 1 V 3,4 V - - - NO
DF2S23P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S23P2CTC,L3F 0,4200
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 ECAD 40 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener DF2S23 160 pF a 1 MHz CST2C scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 21 V (massimo) 21,5 V 35,7 V 14A (8/20μs) 500W NO
DF5A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2F(TE85L,F) 0,4500
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 ECAD 2483 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 Zener DF5A6.2 55 pF a 1 MHz SMV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 4 3V 5,8 V - - - NO
CUHZ6V8,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ6V8,H3F 0,4600
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 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CUHZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, cavo piatto Zener 585pF @ 1MHz US2H scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 6,8 V 6,4 V 7,2 V (sugger.) 73A (8/20μs) 1800 W (1,8 kW) NO
DF6F6.8MCTC(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage DF6F6.8MCTC(TE85L) 0,6600
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 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro tagliato (CT) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 6-XFDFN Tampone esposto Sterzo (da binario a binario) DF6F 0,6 pF a 1 MHz CST6C - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 5.000 5 V (massimo) 6V 24 V 2,5 A (8/20 µs) - SÌ 4
MUZ6V8,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ6V8,LF 0,3500
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener 88pF @ 1MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 6,8 V 6,4 V 13 V (suggerimento) 10A (8/20μs) 180 W NO
DF5A3.6CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6CFU(TE85L,F 0,0824
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 ECAD 5805 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Zener DF5A3.6 52pF @ 1MHz USV scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 4 1,8 V 3,4 V - - - NO
CUZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ24V,H3F 0,3500
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 Zener 26 pF a 1 MHz USC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 24 V 22,8 V 36,5 V (sugger.) 4,5 A (8/20 µs) 200 W NO
DF3A6.8LSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LSU,LF -
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 ECAD 7165 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DF3A6.8 USM - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000
CUZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ5V6,H3F 0,3500
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 ECAD 13 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 Zener 125 pF a 1 MHz USC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 5,6 V 5,3 V 9 V (suggerimento) 12A (8/20μs) 155 W NO
DF6A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6A6.8FU,LF 0,3100
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Zener DF6A6.8 45 pF a 1 MHz US6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 4 - 6,4 V - - - NO
CEZ36V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ36V,L3F 0,3400
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 ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CEZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 Zener 18 pF a 1 MHz ESC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 8.000 1 36V 34 V 63 V (sugger.) 3A (8/20μs) 200 W NO
DF2S6.8UCT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8UCT(TPL3) -
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 ECAD 6434 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOD-882 Zener DF2S6.8 1,6 pF a 1 MHz CST2 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 19 V (massimo) 22V - - - NO
DF3A6.2CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2CT(TPL3) 0,3300
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-101, SOT-883 Zener DF3A6.2 55 pF a 1 MHz CST3 - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 2 3V 5,8 V - - - NO
DF5A3.3JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.3JE,LM -
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 ECAD 5258 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOT-553 Zener DF5A 115 pF a 1 MHz ESV - RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 4.000 4 - 3,1 V - - - NO
CUHZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ20V,H3F 0,3600
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CUHZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, cavo piatto Zener 180 pF a 1 MHz US2H scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 20 V 18,8 V 20,6 V (sugger.) 36A (8/20μs) 2100 W (2,1 kW) NO
DF2B7ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7ACT,L3F 0,2000
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 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-882 Zener DF2B7 8,5 pF a 1 MHz CST2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 5,5 V (massimo) 5,8 V 20 V 4A (8/20μs) 80 W NO 1
CEZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ5V6,L3F 0,3100
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 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CEZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 Zener 125 pF a 1 MHz ESC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 8.000 1 5,6 V 5,3 V 9 V (suggerimento) 12A (8/20μs) 155 W NO
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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