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Protezione del circuito(236)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Capacità @ Frequenza Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) ECCN HTSUS Pacchetto standard Canali unidirezionali Tensione - Standoff inverso (tipico) Tensione - Guasto (Min) Tensione - Bloccaggio (Max) @ Ipp Corrente - Impulso di picco (10/1000μs) Potenza-Impulso di picco Protezione della linea elettrica Canali bidirezionali
DF2S6.8MFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS,L3F 0,4800
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, cavo piatto Zener DF2S6.8 0,5 pF a 1 MHz fSC scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 5 V (massimo) 6V 15 V (suggerimento) 1A (8/20μs) - NO
DF3A5.6LFV(TPL3,Z) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 0,3900
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 ECAD 20 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOT-723 Zener DF3A5.6 8 pF a 1 MHz VESM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 8.000 2 3,5 V 5,3 V - - - NO
DF2S6.2FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2FS,L3M 0,1800
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 ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOD-923 Zener DF2S6.2 32 pF a 1 MHz SOD-923 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 5 V 5,8 V - - - NO
DF2B7AE,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AE,H3F 0,2200
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 ECAD 4067 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 Zener DF2B7 8,5 pF a 1 MHz ESC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 4.000 5,5 V (massimo) 5,8 V 20 V 4A (8/20μs) 80 W NO 1
CUHZ8V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ8V2,H3F 0,4600
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CUHZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, cavo piatto Zener 450 pF a 1 MHz US2H scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 8,2 V 7,7 V 8,5 V (sugger.) 68A (8/20μs) 1900 W (1,9 kW) NO
DF2S6.8ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8ASL,L3F 0,2000
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 ECAD 67 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener DF2S6.8 25 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 5 V (massimo) 6,4 V - - - NO
CEZ16V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ16V,L3F 0,3100
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 ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CEZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 Zener 35 pF a 1 MHz ESC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 8.000 1 16V 15,3 V 27 V (sugger.) 5,5 A (8/20 µs) 200 W NO
CSLZ8V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ8V2,L3F 0,2200
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CSLZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener CSLZ 18 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 10.000 1 6,5 V (massimo) 7,7 V 17 V (sugger.) 2,5 A (8/20 µs) 55 W NO
DF2B6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5CT,L3F 0,4900
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOD-882 Zener 0,3 pF a 1 MHz CST2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 5 V (massimo) 5,5 V 15 V 2,5 A (8/20 µs) 37 W NO 1
DF2S5M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M5SL,L3F 0,3100
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 ECAD 20 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener DF2S5 0,6 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 3,3 V (massimo) 3,6 V 16 V (suggerimento) 2,5 A (8/20 µs) 37 W NO
MSZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ20V,LF 0,3400
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MSZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Zener 29 pF a 1 MHz S-Mini scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 20 V 18,8 V 30,5 V (sugger.) 5A (8/20μs) 200 W NO
DF3A6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8CT(TPL3) -
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 ECAD 2063 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-101, SOT-883 Zener DF3A6.8 45 pF a 1 MHz CST3 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 2 5 V 6,4 V - - - NO
DF2S8.2FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2FS,L3M 0,1800
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 ECAD 52 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOD-923 Zener DF2S8.2 20 pF a 1 MHz SOD-923 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 6,5 V (massimo) 7,7 V - - - NO
DF2B7AE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AE,L3F 0,2200
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 ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 Zener DF2B7 8,5 pF a 1 MHz ESC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 8.000 5,5 V (massimo) 5,8 V 20 V 4A (8/20μs) 80 W NO 1
DF5A3.6F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6F(TE85L,F) 0,0845
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 ECAD 6930 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 Zener DF5A3.6 110 pF a 1 MHz SMV scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 4 1 V 3,4 V - - - NO
DF5A6.2LFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2LFUTE85LF 0,4200
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Zener DF5A6.2 6,5 pF a 1 MHz USV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 4 5 V 5,9 V - - - NO
MUZ12V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ12V,LF 0,3500
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener 44 pF a 1 MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 12V 11,4 V 26 V (sugger.) 7A (8/20μs) 200 W NO
DF3A3.3FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3FV,L3F 0,2200
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 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOT-723 Zener DF3A3.3 115 pF a 1 MHz VESM - RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 8.000 2 - 3,1 V - - - NO
DF2S6.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2ASL,L3F 0,1900
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 ECAD 21 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener DF2S6.2 32 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 5 V (massimo) 5,8 V - - - NO
MUZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ24V,LF 0,3500
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 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener 26 pF a 1 MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 24 V 22,8 V 36,5 V (sugger.) 4,5 A (8/20 µs) 200 W NO
DF2B5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M5CT,L3F 0,4800
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOD-882 Zener 0,3 pF a 1 MHz CST2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 3,3 V (massimo) 3,6 V 15 V 2,5 A (8/20 µs) 37 W NO 1
DF2S16FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S16FS,L3M 0,1700
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 ECAD 103 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOD-923 Zener DF2S16 10 pF a 1 MHz SOD-923 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 12 V (massimo) 15,3 V - - - NO
DF3D6.8MS,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MS,LF 0,2700
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 Sterzo (da binario a binario) DF3D6.8 0,5 pF a 1 MHz SSM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 2 5 V (massimo) 6V 11 V (suggerimento) 1A (8/20μs) - SÌ
DF3A6.8F,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8F,LF 0,3700
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Zener DF3A6.8 45 pF a 1 MHz S-Mini scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 2 5 V 6,4 V - - - NO
CUHZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ5V6,H3F 0,4600
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CUHZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, cavo piatto Zener 860pF @ 1MHz US2H scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 5,6 V 5,3 V 5,7 V (sugger.) 91A (8/20μs) 1750 W (1,75 kW) NO
DF2S6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8CT(TPL3) -
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 ECAD 6391 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Scopo generale Montaggio superficiale SOD-882 Zener DF2S 25 pF a 1 MHz CST2 - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 5 V 6,4 V - - - NO
DF2B7AFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AFS,L3M 0,1900
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 ECAD 16 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-923 Zener DF2B7 8,5 pF a 1 MHz SOD-923 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 5,5 V (massimo) 5,8 V 20 V 4A (8/20μs) 80 W NO 1
DF6D5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6D5M4N,LF -
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 ECAD 3836 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 6-UFDFN Zener DF6D5M4 0,2 pF a 1 MHz 6-DFN (1,25x1) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 3,6 V (massimo) 4V 15 V 2A (8/20μs) 30 W NO 2
MUZ6V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ6V2,LF 0,3500
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 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener 105 pF a 1 MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 6,2 V 5,8 V 10 V (suggerimento) 11A (8/20μs) 175 W NO
DF2B6.8FS(TPL4,D) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS(TPL4,D) -
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 ECAD 2802 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, cavo piatto Zener DF2B 15 pF a 1 MHz fSC scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 8.000 5 V (massimo) 5,8 V 8,5 V (sugger.) 1A (8/20μs) - NO 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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