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Protezione del circuito(236)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Capacità @ Frequenza Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) ECCN HTSUS Pacchetto standard Canali unidirezionali Tensione - Standoff inverso (tipico) Tensione - Guasto (Min) Tensione - Bloccaggio (Max) @ Ipp Corrente - Impulso di picco (10/1000μs) Potenza-Impulso di picco Protezione della linea elettrica Canali bidirezionali
DF3A3.3FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3FU(TE85L,F) 0,3800
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener DF3A 115 pF a 1 MHz USM - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 2 1 V 3,1 V - - - NO
DF3D6.8MFVL3F(A Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFVL3F(A -
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 ECAD 1007 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOT-723 Sterzo (da binario a binario) DF3D6.8 0,5 pF a 1 MHz VESM scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 2 5 V (massimo) 6V 15 V (suggerimento) 1A (8/20μs) - SÌ
DF2S24FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S24FS,L3M 0,1800
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 ECAD 27 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOD-923 Zener DF2S24 8,5 pF a 1 MHz SOD-923 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 19 V (massimo) 22,8 V - - - NO
DF2S8.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2ASL,L3F 0,2000
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 ECAD 170 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener DF2S8.2 20 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 6,5 V (massimo) 7,7 V - - - NO
DF2S20FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S20FS,L3M 0,1800
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 ECAD 16 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOD-923 Zener DF2S20 9 pF a 1 MHz SOD-923 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 15 V (massimo) 18,8 V - - - NO
DF2B5M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M5SL,L3F 0,3600
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 ECAD 9925 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener DF2B5 0,3 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 3,3 V (massimo) 3,6 V 25 V (suggerimento) 2,5 A (8/20 µs) 37 W NO 1
CSLZ20V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ20V,L3F 0,2200
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CSLZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener CSLZ 9,5 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 10.000 1 15 V (massimo) 18,8 V 30 V (suggerimento) 2,5 A (8/20 µs) - NO
DF5A3.3FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.3FU(TE85L,F) 0,0824
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 ECAD 4079 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Zener DF5A3.3 115 pF a 1 MHz USV scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 4 1 V 3,1 V - - - NO
CEZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ24V,L3F 0,3100
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 ECAD 3601 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CEZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 Zener 26 pF a 1 MHz ESC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 8.000 1 24 V 22,8 V 36,5 V (sugger.) 4,5 A (8/20 µs) 200 W NO
CUHZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ24V,H3F 0,3600
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 ECAD 5063 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CUHZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, cavo piatto Zener 150 pF a 1 MHz US2H scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 24 V 22,8 V 25,5 V (sugger.) 27A (8/20μs) 2100 W (2,1 kW) NO
DF2S6.8UFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8UFS,L3M 0,3400
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 ECAD 100 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi - Scopo generale Montaggio superficiale SOD-923 Zener DF2S6.8 1,6 pF a 1 MHz SOD-923 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 19 V (massimo) 5,3 V, 22 V - - - NO
DF2S6.8UCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8UCT,L3F 0,3200
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOD-882 Zener DF2S6.8 1,6 pF a 1 MHz CST2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 19 V (massimo) 22V - - - NO
CUHZ16V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ16V,H3F 0,4600
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 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CUHZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, cavo piatto Zener 210 pF a 1 MHz US2H scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 16V 15,3 V 17 V (sugger.) 42A (8/20μs) 2100 W (2,1 kW) NO
DF2B7SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7SL,L3F 0,2000
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 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener DF2B7 6pF @ 1MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 5,3 V (massimo) 5,8 V 16V 3A (8/20μs) 45 W NO 1
MUZ16V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ16V,LF 0,3500
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener 35 pF a 1 MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 16V 15,3 V 27 V (sugger.) 5,5 A (8/20 µs) 200 W NO
DF2B12M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M4SL,L3F 0,3200
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener DF2B12 0,2 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 11 V (massimo) 11,5 V 22V 1A (8/20μs) 22 W NO 1
MSZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ30V,LF 0,3400
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MSZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Zener 21pF @ 1MHz S-Mini scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 30 V 28 V 47,5 V (sugger.) 4A (8/20μs) 200 W NO
DF3D6.8MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFV,L3F 0,5550
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 ECAD 9890 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi - Scopo generale Montaggio superficiale SOT-723 Sterzo (da binario a binario) DF3D6.8 0,5 pF a 1 MHz VESM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 8.000 2 5 V (massimo) 6V 15 V (suggerimento) 1A (8/20μs) - SÌ
CEZ8V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ8V2,L3F 0,3100
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 ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CEZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 Zener 67pF @ 1MHz ESC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 8.000 1 8,2 V 7,7 V 16,5 V (sugger.) 8,5 A (8/20 µs) 200 W NO
DF2B7AFU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AFU,H3F 0,2200
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 ECAD 26 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 Zener DF2B7 8,5 pF a 1 MHz USC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 5,5 V (massimo) 5,8 V 20 V 4A (8/20μs) 80 W NO 1
CEZ20V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ20V,L3F 0,3100
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 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CEZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 Zener 29 pF a 1 MHz ESC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 8.000 1 20 V 18,8 V 30,5 V (sugger.) 5A (8/20μs) 200 W NO
DF5A6.2JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2JE,LM 0,3100
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 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOT-553 Zener DF5A6.2 55 pF a 1 MHz ESV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 4.000 4 3V 5,8 V - - - NO
MUZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ5V6,LF 0,3600
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener 125 pF a 1 MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 5,6 V 5,3 V 9 V (suggerimento) 12A (8/20μs) 155 W NO
MSZ12V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ12V,LF 0,3400
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MSZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Zener 44 pF a 1 MHz S-Mini scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 12V 11,4 V 26 V (sugger.) 7A (8/20μs) 200 W NO
DF5A6.2CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2CFU(TE85L,F 0,4400
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 ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Zener DF5A6.2 25 pF a 1 MHz USV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 4 5 V 5,8 V - - - NO
CSLZ10V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V,L3F 0,2200
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CSLZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener CSLZ 16 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 10.000 1 8 V (massimo) 9,4 V 18 V (suggerimento) 2,5 A (8/20 µs) 60 W NO
CUHZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ36V,H3F 0,3600
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CUHZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, cavo piatto Zener 105 pF a 1 MHz US2H scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 36V 34 V 41,2 V (sugger.) 23A (8/20μs) 2100 W (2,1 kW) NO
CSLZ6V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ6V2,L3F 0,2200
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CSLZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener CSLZ 30 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 10.000 1 5 V (massimo) 5,8 V 10,5 V (sugger.) 2,5 A (8/20 µs) 87 W NO
DF2S6.8CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8CT,L3F 0,1900
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOD-882 Zener DF2S6.8 25 pF a 1 MHz CST2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 - 6,4 V - - - NO
DF2S6.8MFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS,L3M 0,3700
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 ECAD 30 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-923 Zener DF2S6.8 0,45 pF a 1 MHz SOD-923 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 5 V (massimo) 6V 15 V 3A 45 W NO
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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