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Isolatori(2080)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VOT8024AM-T2 | 0,4219 |  | 5798 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VOT8024 | cUL, UL | 1 | Triac | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - | ||||||||||
 | CNY117-2X007T | 0,2997 | | 2997 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY117 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||
 | VO217AT | 0,2596 | | 3867 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | VO217 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 3μs, 2μs | 30 V | 1 V | 60 mA | 4000 Vrm | 100% a 1 mA | 130% a 1 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||
 | VO615A-2X009T | 0,4700 | | 980 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VO615 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,43 V | 60 mA | 5000 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 6μs, 5μs | 300mV | ||||||||||
 | SFH601-3X007T | 1.6600 | | 3398 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | SFH601 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 100 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||
 | VO4158H-X006 | - | | 5776 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | VO4158 | cUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 800 V | 300 mA | 500μA | SÌ | 5 kV/μs | 2mA | - | ||||||||||
 | VO3063 | 1.5800 | | 2 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | VO306 | cUR, UR | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 600 V | 100 mA | 200μA (suggerimento) | SÌ | 1,5 kV/μs | 5mA | - | ||||||||||
 | SFH610A-3 | 1.0400 | | 2 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH610 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||
 | TCMT1111 | - | | 7379 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | TCMT1111 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3μs, 4μs | 70 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 5μs, 3μs | 300mV | |||||||||
| SFH601-4X016 | - | | 8292 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | SFH601 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 100 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||
 | 6N136-X019T | 1.7900 | | 277 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N136 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8mA | - | 15 V | 1,33 V | 25 mA | 5300 Vrm | 19% a 16 mA | - | 200ns, 200ns | - | ||||||||||
| 6N1135-X009T | - | | 2424 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N1135 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8mA | - | 15 V | 1,6 V | 25 mA | 5300 Vrm | 7% a 16 mA | - | 300ns, 300ns | - | |||||||||
| SFH6206AGB | - | | 8255 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | SFH6206 | - | - | - | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||
| ILD1211T | - | | 3227 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | - | - | ILD1211 | - | - | - | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||
| ILD5-X009T | - | | 1510 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | ILD5 | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2,6 µs, 2,2 µs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 50% a 10 mA | 400% a 10 mA | 1,1 µs, 2,5 µs | 400mV | ||||||||||
 | VOL617A-2T | 0,5400 | | 8 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VOL617 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3,5 µs, 5 µs | 80 V | 1,16 V | 60 mA | 5000 Vrm | 63% a 5 mA | 125% a 5 mA | 6μs, 5,5μs | 400mV | ||||||||||
 | CNY17F-1X001 | 0,2221 | | 9414 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||
| TCDT1101G | 0,6800 | | 693 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | TCDT1101 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 7μs, 6,7μs | 32V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 11μs, 7μs | 300mV | |||||||||
| VO205AT | 0,6900 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | VO205 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 3μs, 2μs | 70 V | 1,3 V | 60 mA | 4000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||
| CNY117-1 | 0,2178 | | 9541 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY117 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||
| SFH600-0X001 | - | | 8508 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH600 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2,5μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 3,2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||
| VO4157D-X007T | - | | 4324 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | VO4157 | cUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 700 V | 300 mA | 500μA | SÌ | 5 kV/μs | 1,6 mA | - | ||||||||||
| TCLT1019 | 0,8300 | | 8646 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TCLT1019 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 6μs, 5μs | 300mV | |||||||||
| VO221AT | 0,3493 | | 1771 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | VO221 | DC | 1 | Darlington con base | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | - | 30 V | 1 V | 60 mA | 4000 Vrm | 100% a 1 mA | - | 3μs, 3μs | 1 V | ||||||||||
| CNY117F-4X017T | 0,3937 | | 8865 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY117 | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||
 | SFH6916 | 3.0200 | | 8 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | SFH6916 | DC | 4 | Transistor | 16-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 40 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 300% a 5 mA | 5μs, 4μs | 400mV | |||||||||
| SFH610A-4 | 1.0400 | | 3 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH610 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||
 | TCLT1005 | 0,7200 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TCLT1005 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 6μs, 5μs | 300mV | |||||||||
| VO4158H-X017T | 1.4822 | | 4163 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | VO4158 | cUR, FIMKO, UR, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 800 V | 300 mA | 500μA | SÌ | 5 kV/μs | 2mA | - | ||||||||||
 | MOC8111 | - | | 2264 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MOC81 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | 2μs, 11μs | 70 V | 1,3 V | 90 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 3μs, 18μs | 400mV |
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