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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HCPL2530V | 1.0000 |  | 1824 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450ns, 500ns | - | ||||||||||||||||||
 | MOC3081TM | - | | 9060 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC308 | UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC3081TM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 800 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 15 mA | - | ||||||||||||||||
 | 4N45 | - | | 5871 | 0.00000000 | Strumenti texani | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 60mA | - | 7V | 1,4 V | 20 mA | 3750 Vrm | 200% a 10 mA | 1000% a 10 mA | 5 µs, 150 µs | - | ||||||||||||||||
 | MOC8107 | - | | 9682 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC8107-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 300% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | TPC816A C9G | 0,3900 | | 117 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | TPC816 | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | IS281K | 0,6000 | | 5 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | IS281 | DC | 1 | Transistor | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | - | - | - | 200mV | |||||||||||||||
 | IL410-X017 | 3.7200 | | 845 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD | IL410 | CSA, UR, VDE | 1 | Triac | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,16 V | 60 mA | 5300 Vrm | 600 V | 300 mA | 500 µA | SÌ | 10 kV/μs | 2mA | 35 µs | |||||||||||||||||
 | H11B815SD | - | | 5413 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | H11B | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11B815SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 mA | 300 µs, 250 µs (massimo) | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600% a 1 mA | 7500% a 1 mA | - | 1 V | |||||||||||||||
 | MOCD217R1M | - | | 5746 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOCD21 | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOCD217R1M-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,05 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 1 mA | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||
| MOC207R1M | - | | 2902 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOC207 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,15 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | 4N35S(TB) | - | | 8656 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907173503 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | - | 10μs, 9μs | 300mV | ||||||||||||||||
| PS8802-1-V-AX | 9.6900 | | 380 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Striscia | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | PS8802 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 8mA | - | - | 1,7 V | 25 mA | 2500 Vrm | 15% a 16 mA | 45% a 16 mA | - | - | |||||||||||||||
 | EL817(S)(B)(TD)-V | - | | 2542 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | PS2861-1-V-F3-LA | - | | 9011 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 40mA | 4μs, 5μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 2500 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||
 | VOT8123AD-V | 1.1600 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | VOT8123 | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 10mA | - | ||||||||||||||||
 | SFH628A-3X016 | 1.4100 | | 4 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | SFH628 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3,5 µs, 5 µs | 55 V | 1,1 V | 50 mA | 5300 Vrm | 100% a 1 mA | 320% a 1 mA | 6μs, 5,5μs | 400mV | |||||||||||||||
| MOC3052TVM | 1.1200 | | 492 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC305 | UR, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | MOC3052TVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 600 V | 220μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 10mA | - | |||||||||||||||
| EL3061S1(TB)-V | - | | 8846 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | EL3061 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903610015 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 1kV/μs | 15 mA | - | |||||||||||||||
 | ACPL-C61L-500E | 3.7600 | | 11 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ACPL-C61 | DC | 1 | Tri-Stato | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SO Alto | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 10 mA | 10 MBd | 12ns, 12ns | 1,5 V | 8mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 90ns, 90ns | |||||||||||||||
 | SFH6106-1X001 | 0,2913 | | 3463 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | SFH6106 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
| H11AA3 | - | | 1474 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11AA | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | 10μs, 10μs (massimo) | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 10 mA | - | 10μs, 10μs (massimo) | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP209D(TP,F) | 2.9000 | | 8964 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | TLP209 | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 5A991G | 8541.49.8000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550(TOJS-O,F) | - | | 3724 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP550(TOJS-OF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PS2703-1-A | - | | 2750 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mA | 10μs, 10μs | 120 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | TCDT1123G | 0,6800 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | TCDT1123 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 4,2 µs, 4,7 µs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 7μs, 5μs | 300mV | |||||||||||||||
 | PS2832-4-A | - | | 4967 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | DC | 4 | Darlington | 16-SSOP | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | PS2832-4A | EAR99 | 8541.49.8000 | 45 | 60mA | 20 µs, 5 µs | 300 V | 1,2 V | 50 mA | 2500 Vrm | 400% a 1 mA | 4500% a 1 mA | - | 1 V | ||||||||||||||||
| TLP754F(D4-TP4,F) | - | | 8338 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP754 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 30 V | 8-SMD | scaricamento | 264-TLP754F(D4-TP4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||||
 | FODM121C | - | | 8710 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||||
 | OPIA4N35DTUE | - | | 3169 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 50mA | 5μs, 4μs | 60 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 60% a 2 mA | 600% a 2 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
| TCMT1114 | - | | 2882 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | TCMT1114 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3μs, 4μs | 70 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 5μs, 3μs | 300mV |
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