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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F16G08AFABAWP:B | - |  | 5812 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F16G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 16Gbit | FLASH | 2G×8 | Parallelo | - | |||||
 | MTFC16GAKAEJP-4M IT | - | | 3087 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | MTFC16 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,9 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | MMC | - | |||||
 | MT40A4G4SA-062E:F | 22.8900 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (7,5x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT40A4G4SA-062E:F | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1,5GHz | Volatile | 16Gbit | 19 ns | DRAM | 4G×4 | Parallelo | 15ns | |
| MT29F2G16ABAGAWP-AIT:G | 2.5267 | | 6696 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F2G16 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT29F2G16ABAGAWP-AIT:G | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 128Mx16 | Parallelo | - | ||||
 | MT28F400B3SG-8 SCOMMESSA | - | | 7797 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-SOIC (0,496", larghezza 12,60 mm) | MT28F400B3 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 44-SO | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Non volatile | 4Mbit | 80 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 80ns | |||
 | MT46H128M16LFB7-6 PESO:B | - | | 1369 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-VFBGA | MT46H128M16 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (10x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 2Gbit | 5 nn | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
 | M29F800FT5AN6F2TR | - | | 8453 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F800 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 8Mbit | 55 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 55ns | |||
 | MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A TR | 38.9700 | | 5954 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F1T08 | FLASH-NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:ATR | 8542.32.0071 | 2.000 | 333 MHz | Non volatile | 1Tbit | FLASH | 128G x 8 | Parallelo | - | |||
 | MT48LC64M4A2P-75 L:D | - | | 2939 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC64M4A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 64M x 4 | Parallelo | 15ns | ||
| MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR | - | | 9704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F1T08 | FLASH-NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 2.000 | Non volatile | 1Tbit | FLASH | 128G x 8 | Parallelo | ||||||||
| MT28F800B5WG-8 SCOMMESSA | - | | 9896 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28F800B5 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP I | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 8Mbit | 80 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 80ns | |||
| MT62F1536M32D4DS-023 AAT:B | 47.8950 | | 9560 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | - | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023AAT:B | 1 | 3,2GHz | Volatile | 48Gbit | DRAM | 768Mx64 | Parallelo | - | ||||||||
 | MT53D1024M32D4DT-046AIT:D | 35,5500 | | 2461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | - | |||
| MT48LC16M8A2P-6A:L | - | | 8037 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.080 | 167 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx8 | Parallelo | 12ns | ||
 | MT40A2G8VA-062E:BTR | - | | 7444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (10x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT40A2G8VA-062E:BTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 16Gbit | 19 ns | DRAM | 4G×4 | Parallelo | 15ns | ||
 | M25PX80-VMP6TG0M TR | - | | 5081 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | M25PX80 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-VFQFPN (6x5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 4.000 | 75 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
| MT48LC16M16A2B4-7E:G | - | | 6311 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.560 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 14ns | ||
 | MT44K32M18RB-093E:B | - | | 6253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-TBGA | MT44K32M18 | DRAM | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.190 | 1.066GHz | Volatile | 576Mbit | 8 ns | DRAM | 32Mx18 | Parallelo | - | ||
 | MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR | - | | 4674 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 152-TBGA | MT29F256G08 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-TBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 167 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | |||
| M29W128GH7AN6E | - | | 9896 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 128Mbit | 70 ns | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
 | MT46V64M4FG-75E:GTR | - | | 6787 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-FBGA | MT46V64M4 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 750 CV | DRAM | 64M x 4 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT48LC2M32B2TG-7:G TR | - | | 8470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | 14ns | ||
 | PC28F640P33B85BTR | - | | 7552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | PC28F640 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (10x13) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 52 MHz | Non volatile | 64Mbit | 85 ns | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | 85ns | ||
 | MT47H64M8CF-25E:G TR | - | | 3189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.000 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | 400 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR | 8.4750 | | 6072 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28EW512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | Non volatile | 512Mbit | 95 ns | FLASH | 64Mx8, 32Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
| MT48LC32M16A2TG-75 IT:C TR | - | | 3217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC32M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | RoHS non conforme | 4 (72 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| M29F200BT70N1 | - | | 1802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F200 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 2Mbit | 70 ns | FLASH | 256K x 8, 128K x 16 | Parallelo | 70ns | |||
 | N25Q256A83E1240FTR | - | | 1141 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | N25Q256A83 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 64M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
 | MT29F1T08EELCEJ4-R:C | - | | 2446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F1T08 | FLASH-NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F1T08EELCEJ4-R:C | OBSOLETO | 8542.32.0071 | 1.120 | Non volatile | 1Tbit | FLASH | 128G x 8 | Parallelo | - | ||||||
 | N25Q256A11ESF40G | - | | 8899 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | N25Q256A11 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 16-SOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.225 | 108 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 64M x 4 | SPI | 8ms, 5ms |
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