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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F1T08EELEEJ4-T:E TR | 21.4500 |  | 3628 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 132-VBGA | FLASH-NAND (TLC) | 2,6 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F1T08EELEEJ4-T:ETR | 2.000 | Non volatile | 1Tbit | FLASH | 128G x 8 | Parallelo | - | |||||||||
 | MTFC32GASAONS-IT | 28.0200 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 153-TFBGA | MTFC32G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | 52 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | MMC | - | |||
 | M25P80-VMW6TGBA TR | - | | 2843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | M25P80 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO O | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 75 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D | - | | 1939 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F32G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 166 MHz | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | Parallelo | - | |||
| MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR | - | | 7005 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 162-VFBGA | MT29RZ4B2 | FLASH-NAND, DRAM-LPDDR2 | 1,8 V | 162-VFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 533 MHz | Non volatile, volatile | 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2) | FLASH, RAM | 512 MB x 8 (NAND), 64 MB x 32 (LPDDR2) | Parallelo | - | |||
| MT61K512M32KPA-21:U | 30.4200 | | 9866 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 180-TFBGA | SGRAM-GDDR6 | 1,3095 V ~ 1,3905 V | 180-FBGA (12x14) | - | 557-MT61K512M32KPA-21:U | 1 | 10,5GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | POD_135 | - | ||||||||
| MT29F2T08GELCEJ4-M:C | 39.0600 | | 5714 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4-M:C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53B384M32D2NK-062 PESO ES:B | - | | 6937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.190 | 1,6GHz | Volatile | 12Gbit | DRAM | 384Mx32 | - | - | |||||
| MT38W2011A90YZQXZI.X68 | - | | 5920 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | MT38W2011 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.518 | |||||||||||||||||
 | MT46V32M16P-5B:F TR | - | | 1051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V32M16 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT48LC4M16A2TG-7E IT:G | - | | 8819 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | 14ns | ||
 | MT29C8G96MAZBBDJV-48IT | - | | 2921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | MT29C8G96 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,9 V | 168-VFBGA (12x12) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.008 | 208 MHz | Non volatile, volatile | 8 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 512 MB x 16 (NAND), 128 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | |||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AAT:C TR | 90.3150 | | 4118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AAT:CTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MT29C8G96MAYBADJV-5WT TR | - | | 9004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | MT29C8G96 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 8 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 1Gx8 (NAND), 128Mx32 (LPDRAM) | Parallelo | - | ||||
| M29W128GH60ZA6E | - | | 7391 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | M29W128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | Non volatile | 128Mbit | 60 ns | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
| MT29F2G01ABBGDM79A3WC1L | 2.6600 | | 3972 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | Morire | MT29F2G01 | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | Morire | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT29F2G01ABBGDM79A3WC1L | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 2G×1 | SPI | - | ||||
| MT53E512M32D2NP-053 RS PESO:H | 8.4000 | | 6065 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT:H | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53B2G32D8QD-062 PESO:D | - | | 3185 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53B2G32 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 1,6GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 2G x 32 | - | - | ||||||||
| MT62F1G32D2DS-023 AUT:C TR | 36.7350 | | 6064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AUT:CTR | 2.000 | 3,2GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | Parallelo | - | ||||||||
 | MTFC32GJGDQ-AIT TR | - | | 7280 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | MTFC32G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 LBGA (14×18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | MMC | - | |||||
 | MT28F800B3WG-9 T TR | - | | 5517 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28F800B3 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 8Mbit | 90 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 90ns | |||
 | N25Q512A83G1240E | - | | 8965 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | N25Q512A83 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-1570 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 108 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 128M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||
| MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR | - | | 4890 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F768G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 267 MHz | Non volatile | 768Gbit | FLASH | 96G x 8 | Parallelo | - | |||
 | MT25QU128ABA8E14-1SIT TR | - | | 3105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT25QU128 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 24-T-PBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | |||
| MT29F64G08CBAAAL74A3WC1 | - | | 3547 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | Morire | MT29F64G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | Morire | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | Parallelo | - | |||||
| MT42L64M32D1LF-18 IT:C TR | - | | 1195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-WFBGA | MT42L64M32 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 168-FBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 533 MHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 64Mx32 | Parallelo | - | ||||
 | MT48LC32M8A2BB-6A:G TR | - | | 9256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-FBGA | MT48LC32M8A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 60-FBGA (8x16) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | 12ns | ||
| M29W400BB90N1 | - | | 9838 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W400 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 4Mbit | 90 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 90ns | |||
 | MT45W4MW16BBB-706 L PESO TR | - | | 8262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | Volatile | 64Mbit | 70 ns | PSRAM | 4Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
| MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR | - | | 3299 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | - | MT29F8G01 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 8Gbit | FLASH | 8G×1 | SPI | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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