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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT60B2G8HS-48B AAT:A | 31.3050 |  | 3478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | -40°C ~ 105°C | - | - | SDRAM-DDR5 | - | - | - | 557-MT60B2G8HS-48BAAT:A | 1 | 2,4GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 2G×8 | Parallelo | - | ||||||||
 | MTFC32GJWEF-4M AIT Z | - | | 3086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 169-TFBGA | MTFC32G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 169-TFBGA (14x18) | - | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | MMC | - | ||||||
| MT53E768M32D2FW-046AIT:C | 20.7300 | | 4641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AIT:C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F2G32D8DR-031 PESO:B TR | 47.0400 | | 5221 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT62F2G32D8DR-031WT:BTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MTFC16GLTDV-WT TR | - | | 8913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | - | MTFC16G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | MMC | - | |||||
| EDFB232A1MA-GD-FD | - | | 8640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TA) | - | - | EDFB232 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.680 | 800 MHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | Parallelo | - | ||||
 | MT47H512M4THN-3:E TR | - | | 6676 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 63-TFBGA | MT47H512M4 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 63-FBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0036 | 2.000 | 333 MHz | Volatile | 2Gbit | 450 CV | DRAM | 512M x 4 | Parallelo | 15ns | ||
| MT47H64M8CF-25E L:G TR | - | | 6018 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | 400 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | |||
 | MT58L256L36DS-6 | 8.5300 | | 24 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | MT58L256L36 | SRAM: sincronizzato | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volatile | 8Mbit | 3,5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | ||
 | MT29F8G01ADBFD12-ITES:F | - | | 9166 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT29F8G01 | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | Non volatile | 8Gbit | FLASH | 8G×1 | SPI | - | ||||
 | MT58L1MY18DF-7.5 | 18.9400 | | 211 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | Standard SRAM | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 18Mbit | 4,2 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | |||
 | N25Q256A13ESF40F TR | - | | 7788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | N25Q256A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 108 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 64M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
 | MT28EW128ABA1HPC-0SIT | 7.7300 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | MT28EW128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-LBGA (11x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.104 | Non volatile | 128Mbit | 95 ns | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
| MTFC64GAOAMEA-WT | 21.1200 | | 8866 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | MTFC64 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1.520 | |||||||||||||||||
 | MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B | - | | 5927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 152-TBGA | MT29F512G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-TBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 166 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | M29W800DT70N6E | - | | 2663 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W800 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 8Mbit | 70 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 70ns | |||
 | MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR | - | | 8718 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F64G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 166 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | Parallelo | - | |||
| N25Q128A13E1440E | - | | 1037 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | N25Q128A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24 BGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 32M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
 | MT25QL128ABA1EW7-MSIT TR | - | | 3511 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | MT25QL128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WPDFN (6x5)(MLP8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | NAND256W3A0BZA6E | - | | 8126 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 55-TFBGA | NAND256 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 55-VFBGA (8x10) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.518 | Non volatile | 256Mbit | 50 n | FLASH | 32Mx8 | Parallelo | 50ns | |||
| MT25QU256ABA8E12-MAAT | 5.6268 | | 6403 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | FLASH-NORE (SLC) | 1,7 V~2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | 557-MT25QU256ABA8E12-MAAT | 1 | 166 MHz | Non volatile | 256Mbit | 5 nn | FLASH | 32Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 1,8 ms | |||||||
 | M25PE10-VMN6P | - | | 3952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | M25PE10 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 75 MHz | Non volatile | 1Mbit | FLASH | 128K×8 | SPI | 15 ms, 3 ms | |||
| MT41K512M4DA-125:K | - | | 9956 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41K512M4 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | Volatile | 2Gbit | 13,75 ns | DRAM | 512M x 4 | Parallelo | - | ||
 | MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR | - | | 1982 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 152-LBGA | MT29F2T08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-LBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 167 MHz | Non volatile | 2 bit | FLASH | 256G x 8 | Parallelo | - | |||
 | MT29F4G01ABBFDWB-IT:F | 4.2200 | | 8957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-UDFN | MT29F4G01 | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-UPDFN (8x6) (MLP8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.920 | 83 MHz | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 4G×1 | SPI | - | |||
 | MT47H32M16HR-25E:G | - | | 6255 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | 400 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| MT29F8G08ABABAM61A3WC1 | - | | 2186 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | Morire | MT29F8G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | Morire | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 8Gbit | FLASH | 1G x 8 | Parallelo | - | |||||
| MT28HL32GQBB3ERK-0SCT | - | | 6227 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | MT28HL32 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 960 | |||||||||||||||||
| MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR | - | | 5490 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | MT29VZZZAD8 | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||||
| MT52L256M32D1V01MWC2 | 18.3600 | | 4830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Massa | Attivo | MT52L256 | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1 |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
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