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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Caratteristiche Numero del prodotto base Tecnologia Corrente - Fornitura Tensione - Ingresso Tensione - Ingresso (max) Tipo di uscita Coefficiente di temperatura Produzione Numero di circuito Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Funzione Tensione - Alimentazione, singola/doppia (±) Tasso di risposta Corrente - Uscita/Canale Tipo di amplificatore Ottieni il prodotto della larghezza di banda Corrente: polarizzazione di ingresso Tensione - Offset di ingresso Tensione - Intervallo di alimentazione (Min) Tensione - Intervallo di alimentazione (max) Tipo di riferimento Potenza di uscita massima x canali al carico Interfaccia Numero di uscite Reset Corrente - Quiescente (Iq) Corrente - Fornitura (max) Topologia Frequenza - Commutazione Funzionalità di controllo Configurazione dell'uscita Raddrizzatore sincronizzato Corrente - Uscita Tensione - Carico Tipo di motore: passo-passo Tipo di motore: CA, CC Risoluzione del passaggio Numero di tensione monitorato Tensione - Soglia Reimpostare il timeout Tensione - Uscita (Min/Fissa) Rumore: da 0,1 Hz a 10 Hz Rumore: da 10 Hz a 10 kHz Corrente - Catodo Tensione - Uscita (max) Tensione - Ingresso (Min) Numero di regolatori Caduta di tensione (max) PSRR Funzionalità di protezione
RP508K261A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP508K261A-TR 0,8400
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ECAD 9672 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP508K Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 6-XFDFN RP508 5,5 V Fisso DFN(PL)1212-6F scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 Diminuzione 1 Buck 6 MHz Positivo 600mA 2,6 V - 2,3 V
R5326K023A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R5326K023A-TR 0,5100
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ECAD 2416 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5326x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UFDFN R5326 6V Fisso DFN(PL)1820-6 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 105 µA Abilitare Positivo 150 mA, 150 mA 2,3 V - 2 0,37 V a 150 mA, 0,37 V a 150 mA - Sovracorrente
NJM3777E3-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM3777E3-TE2 -
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ECAD 3492 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -20°C ~ 125°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 24-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) NJM3777 Bipolare 4,75 V ~ 5,25 V 24-SOP scaricamento OBSOLETO 1.500 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza Parallelo Mezzo ponte (4) 800 mA 10 V~40 V Bipolare - 1, 1/2
NJM2904M Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2904M 1.0100
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ECAD 12 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm) NJM2904 700 µA - 2 8-DMP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.33.0001 100 0,5 V/μs 30 mA Scopo generale 600 chilocicli 25 nA 2 mV 3 V 32 V
NJM431M Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM431M -
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ECAD 7559 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Tubo Obsoleto ±2,2% -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) NJM431 - - Regolabile - 8-DMP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 100 Shunt 100 mA 2.495 V - - 1 mA 36 V
NJM2060D Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2060D -
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ECAD 7829 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Tubo Obsoleto -20°C~75°C Foro passante 14 DIP (0,300", 7,62 mm) 9mA - 4 14-DIP scaricamento RoHS non conforme 2 (1 anno) EAR99 8542.33.0001 25 4 V/μs Scopo generale 10 MHz 40 nA 500 µV 8 V 36 V
NJU7241F18-TE1# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7241F18-TE1# 0,3105
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ECAD 7301 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 NJU7241 14 V Fisso SOT-23-5 (MTP5) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 3.000 - Positivo 60mA 1,8 V - 1 0,3 V a 15 mA 55dB (1kHz) Cortocircuito
RP503N251A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP503N251A-TR-FE 0,8550
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ECAD 6358 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP503x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 RP503 5,5 V Fisso SOT-23-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Diminuzione 1 Buck 2 MHz Positivo 600mA 2,5 V - 2,5 V
NJM4565D Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM4565D 0,2877
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ECAD 3826 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) NJM4565 4,5 mA - 2 8-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2 (1 anno) REACH Inalterato EAR99 8542.33.0001 50 4 V/μs Scopo generale 10 MHz 50 nA 500 µV 8 V 36 V
NJU7094R-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7094R-TE1 -
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ECAD 4583 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-LSSOP, 8-MSOP (0,110", larghezza 2,80 mm) - Ferrovia-ferrovia 2 8-VSP scaricamento RoHS non conforme 2 (1 anno) EAR99 8542.33.0001 2.000 0,1 V/μs CMOS 200 chilocicli 1 pA 4 mV 1 V 5,5 V
NJM072BE-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM072BE-TE1 -
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ECAD 3848 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) 3mA - 2 8-SOP scaricamento OBSOLETO 2.000 13 V/μs J-FET 3 MHz 30 pA 3 mV 8 V 36 V
RP115L371B-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP115L371B-E2 0,5400
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ECAD 4713 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP115x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 8-XFDFN Tampone esposto RP115 5,25 V Fisso DFN1216-8 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 160 µA Abilitare Positivo 500mA 3,7 V - 1 0,085 V a 500 mA 75dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura, corrente inversa
NJM2171AR-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2171AR-TE1 -
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ECAD 3809 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -20°C ~ 75°C (TA) Montaggio superficiale 10-TFSOP, 10-MSOP (0,118", larghezza 3,00 mm) Classe AB Muto, Standby Cuffie, 2 canali (stereo) 1,8 V ~ 4,5 V 10-VSP scaricamento RoHS non conforme 2 (1 anno) EAR99 8542.33.0001 2.000 8,5 mW x 2 a 16 Ohm
RP132S331F-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132S331F-E2-FE 0,5088
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ECAD 1595 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale Variazione 6-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm), 4 conduttori + 2 alette RP132 6,5 V Fisso 6-HSOP-J scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1.000 85 µA Abilitare Positivo 1A 3,3 V - 1 0,68 V a 1 A 70dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
RP173K181B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173K181B-TR 0,5600
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ECAD 7 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale Piazzola esposta 4-UDFN RP173 11V Fisso DFN(PL)1010-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 3,7μA Abilitare Positivo 150mA 1,8 V - 1 2,19 V a 150 mA 30dB (1kHz) Sovracorrente, corrente inversa
NJM084D Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM084D -
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ECAD 6795 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 14 DIP (0,300", 7,62 mm) 6mA - 4 14-DIP scaricamento RoHS non conforme 2 (1 anno) EAR99 8542.33.0001 25 13 V/μs J-FET 3 MHz 30 pA 5 mV 8 V 36 V
NJM2143R-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2143R-TE1 0,2877
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ECAD 5718 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-LSSOP, 8-MSOP (0,110", larghezza 2,80 mm) NJM2143 - - 2 8-VSP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.33.0001 2.000 0,5 V/μs 30 mA Scopo generale 600 chilocicli 25 nA 2 mV 3 V 20 V
NJU77001F-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU77001F-TE2 0,4773
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ECAD 5051 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 NJU77001 290nA Ferrovia-ferrovia 1 SOT-23-5 (MTP5) scaricamento EAR99 8542.33.0001 3.000 0,8 V/μs CMOS 1 pA 350 µV 1,5 V 5,5 V
RN5RF18AA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF18AA-TR-FE 0,2920
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ECAD 1162 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 RN5RF18 10 V Fisso SOT-23-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 50 µA Abilitare Positivo 1A 1,8 V - 1 0,2 V a 100 mA 60dB (1kHz) Sovracorrente
R1501S120B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501S120B-E2-FE 1.6800
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ECAD 2759 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale Variazione 6-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm), 4 conduttori + 2 alette R1501 24 V Fisso 6-HSOP-J scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1.000 160 µA Abilitare Positivo 1A 12V - 1 0,7 V a 1 A 50dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura, cortocircuito
RP111L131B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP111L131B-TR 0,5250
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ECAD 6327 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP111x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-XFDFN Tampone esposto RP111 5,25 V Fisso DFN1212-6 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 125 µA Abilitare Positivo 500mA 1,3 V - 1 0,53 V a 500 mA 75dB (10kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
R3111N361C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N361C-TR-FE 0,2459
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ECAD 6455 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 Rilevatore di tensione R3111 Push-pull, totem SOT-23-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Attivo basso 1 3,6 V 100 µs massimo
RP107Q202D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP107Q202D-TR-FE 0,4800
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ECAD 8667 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP107x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP107 5,25 V Fisso SC-88A scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 25 µA Abilitare Positivo 200mA 2V - 1 0,49 V a 200 mA 70dB (1kHz) Sovracorrente
NJM78L09L2A Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78L09L2A -
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ECAD 4196 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 30 V Fisso TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 500 6 mA - Positivo 100mA 9V - 1 - 65 dB (120 Hz) Sovratemperatura, cortocircuito
R1190S033D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190S033D-E2-FE 1.4700
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ECAD 930 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale Variazione 6-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm), 4 conduttori + 2 alette R1190 16V Fisso 6-HSOP-J scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1.000 220 µA Abilitare Positivo 1A 3,3 V - 1 2,3 V a 1 A 60dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
NJM074CG-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM074CG-TE2 0,8250
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ECAD 4353 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 14-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) NJM074 1,4mA - 4 14-SOP scaricamento EAR99 8542.33.0001 2.500 13 V/μs J-FET 3 MHz 30 pA 3 mV 8 V 36 V
NJM2930L02-85 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2930L02-85 -
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ECAD 5173 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Tubo Obsoleto -30°C ~ 75°C Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 26V Fisso TO-92-3 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 500 7 mA 40 mA - Positivo 100mA 8,5 V - 1 0,6 V a 100 mA 56 dB (120 Hz) Sovratemperatura, cortocircuito
NJM592D Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM592D -
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ECAD 6054 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Tubo Obsoleto Differenziale Foro passante 14-DIP Differenziale 1 14-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2 (1 anno) REACH Inalterato EAR99 8542.33.0001 25 - - 24 mA
NJM4562M-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM4562M-TE2 -
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ECAD 8412 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm) 3,5mA - 2 8-DMP scaricamento OBSOLETO 2.000 - Scopo generale 100 nA 500 µV 8 V 36 V
RP130Q231D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130Q231D-TR-FE 0,2613
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ECAD 6287 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C (TA) Montaggio superficiale SC-82AB RP130 6,5 V Fisso SC-82AB scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 58 µA Abilitare Positivo 150mA 2,3 V - 1 0,63 V a 150 mA 80dB (1kHz) Sovracorrente
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock