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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Corrente - Fornitura Tensione - Ingresso (max) Tipo di uscita Produzione Numero di circuito Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Funzione Tasso di risposta Corrente - Uscita/Canale Tipo di amplificatore Ottieni il prodotto della larghezza di banda Corrente: polarizzazione di ingresso Tensione - Offset di ingresso Tensione - Intervallo di alimentazione (Min) Tensione - Intervallo di alimentazione (max) Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd) Numero di uscite Reset Corrente - Quiescente (Iq) Corrente - Fornitura (max) Topologia Frequenza - Commutazione Funzionalità di controllo Configurazione dell'uscita Fase di uscita Ciclo di lavoro (massimo) Raddrizzatore sincronizzato Sincronizzazione dell'orologio Interfacce seriali Corrente - Uscita Numero di tensione monitorato Tensione - Soglia Reimpostare il timeout Tensione - Uscita (Min/Fissa) Tensione - Uscita (max) Tensione - Ingresso (Min) Numero di regolatori Caduta di tensione (max) PSRR Funzionalità di protezione
NJM78L05UATE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78L05UATE1 -
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ECAD 4831 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale TO-243AA 30 V Fisso SOT-89 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1.000 6 mA - Positivo 100mA 5 V - 1 - 69 dB (120 Hz) Sovratemperatura, cortocircuito
R1170H421B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1170H421B-T1-FE 0,5406
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ECAD 6223 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1170x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SOT-89-5/6 R1170 7V Fisso SOT-89-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1.000 160 µA Abilitare Positivo 800 mA 4,2 V - 1 0,18 V a 300 mA 50dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
RP122K281B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP122K281B-TR 0,4950
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ECAD 4647 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP122x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale Piazzola esposta 4-UDFN RP122 5,5 V Fisso DFN(PL)1010-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 25 µA Abilitare Positivo 400mA 2,8 V - 1 0,265 V a 400 mA 90 dB ~ 65 dB (1 kHz ~ 100 kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
RP502L124B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP502L124B-TR -
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ECAD 3003 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP502x Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 6-XFDFN Tampone esposto RP502 5,5 V Fisso DFN1616-6 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 Diminuzione 1 Buck 3,3 MHz Positivo - 1,2 V - 2,5 V
R1155H033B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1155H033B-T1-FE 0,5247
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ECAD 8716 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1155x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C (TA) Montaggio superficiale SOT-89-5/6 R1155 24 V Fisso SOT-89-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1.000 22 µA 125 µA Abilitare Positivo 150mA 3,3 V - 1 2,1 V a 150 mA - Sovracorrente, sovratemperatura, corrente inversa
R1172N311D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172N311D-TR-FE 0,5250
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ECAD 3028 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 R1172 6V Fisso SOT-23-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 100 µA Abilitare Positivo 1A 3,1 V - 1 0,18 V a 1 A 70dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
NJM2355D# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2355D# -
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ECAD 6487 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Tubo Obsoleto -20°C ~ 75°C (TA) Foro passante 18 DIP (0,300", 7,62 mm) 50 V Fisso 18-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 20 Step-Up, Step-Down 1 Buck, potenzia 28kHz Positivo o negativo NO 200mA 5 V - 7,5 V
NJM12856U2-18-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM12856U2-18-TE1 0,2656
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ECAD 9539 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale SOT-89-5/6 NJM12856 6,5 V Fisso SOT-89-5 scaricamento EAR99 8542.39.0001 1.000 600 µA Abilita, avvio graduale Positivo 1A 1,8 V - 1 - 76dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura, corrente inversa
RN5VD42AA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD42AA-TR-FE 0,2737
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ECAD 5740 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 Rilevatore di tensione RN5VD42 Scarico Aperto o Collettore Aperto SOT-23-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 - 1 4,2 V -
RP102N131D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102N131D-TR-FE 0,4500
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ECAD 7538 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 RP102 5,25 V Fisso SOT-23-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA Abilitare Positivo 300mA 1,3 V - 1 0,5 V a 300 mA 80dB (1kHz) Sovracorrente
R3117K313C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117K313C-TR 0,9100
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ECAD 70 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale Piazzola esposta 4-UDFN Rilevatore di tensione R3117 Push-pull, totem DFN(PL)1010-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 Attivo basso 1 3,1 V 80 µs tipico
RP100N121B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100N121B-TR-FE 0,2767
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ECAD 8043 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 RP100 5,25 V Fisso SOT-23-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 25 µA Abilitare Positivo 200mA 1,2 V - 1 0,5 V a 150 mA 75dB (1kHz) Sovracorrente
NJU7046F3-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7046F3-TE2 0,6600
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ECAD 3049 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 NJU7046 1,4mA Ferrovia-ferrovia 1 SC-88A scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.33.0001 3.000 9 V/μs 110 mA CMOS 5 MHz 1 pA 900 µV 2,7 V 5,5 V
RP504L321D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504L321D-TR 0,8100
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ECAD 7155 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 6-XFDFN Tampone esposto RP504 5,5 V Fisso DFN1616-6B scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 Diminuzione 1 Buck 2,25 MHz Positivo 600mA 3,2 V - 2,3 V
RN5RF15AA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF15AA-TR-FE 0,2920
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ECAD 9438 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RF Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 RN5RF15 10 V Fisso SOT-23-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 50 µA Abilitare Positivo 1A 1,5 V - 1 0,2 V a 100 mA 60dB (1kHz) Sovracorrente
NJM78L05UATE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78L05UATE2 -
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ECAD 9082 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale TO-243AA 30 V Fisso SOT-89 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1.000 6 mA - Positivo 100mA 5 V - 1 - 69 dB (120 Hz) Sovratemperatura, cortocircuito
RP132J191D-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132J191D-T1-FE 0,4950
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ECAD 4944 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale TO-252-6, DPak (5 conduttori + lingua) RP132 6,5 V Fisso TO-252-5-P2 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 85 µA Abilitare Positivo 1A 1,9 V - 1 1,05 V a 1 A 70dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
NJU7062D Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7062D 0,7560
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ECAD 6966 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) NJU7062 - Ferrovia-ferrovia 2 8-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2 (1 anno) REACH Inalterato EAR99 8542.33.0001 50 0,4 V/μs CMOS 400 chilocicli 1 pA 2 mV 3 V 16 V
RP123K401D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP123K401D-TR 1.0800
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ECAD 14 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP123x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale Piazzola esposta 4-UDFN RP123 5,5 V Fisso DFN(PL)1010-4 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 25 µA Abilitare Positivo 250 mA 4V - 1 0,145 V a 250 mA 90 dB ~ 65 dB (1 kHz ~ 100 kHz) Sovracorrente
RP109N281D5-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109N281D5-TR-FE 0,2306
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ECAD 5110 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 RP109 5,25 V Fisso SOT-23-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA Abilitare Positivo 150mA 2,85 V - 1 0,35 V a 150 mA 75dB (1kHz) Sovracorrente
NJM2800U3342-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2800U3342-TE1 1.1448
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ECAD 3352 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SOT-89-5/6 NJM2800 14 V Fisso SOT-89-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 350 µA - Positivo 150mA 3,3 V - 1 0,18 V a 60 mA 60dB (1kHz) Sovratemperatura, cortocircuito
RH5RE20AA-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RH5RE20AA-T1-FE 0,6837
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ECAD 4894 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. Rx5RE Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale TO-243AA RH5RE20 10 V Fisso SOT-89-3 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1.000 3,3μA - Positivo 80 mA 2V - 1 0,7 V a 30 mA - Sovracorrente, cortocircuito
R3117Q092C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117Q092C-TR-FE 0,3381
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ECAD 6444 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Rilevatore di tensione R3117 Push-pull, totem SC-88A scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Attivo basso 1 0,9 V 40 µs tipico
NJM4560MD-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM4560MD-TE2 -
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ECAD 8500 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm) 4,3 mA - 2 8-DMP - OBSOLETO 2.000 4 V/μs Scopo generale 10 MHz 40 nA 500 µV 8 V 36 V
RP103K191B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103K191B-TR 0,2700
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ECAD 5328 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale Piazzola esposta 4-UDFN RP103 5,25 V Fisso DFN(PL)1010-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 50 µA Abilitare Positivo 150mA 1,9 V - 1 0,42 V a 150 mA 75dB (1kHz) Sovracorrente
R1170H191B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1170H191B-T1-FE 0,5406
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ECAD 9369 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1170x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SOT-89-5/6 R1170 7V Fisso SOT-89-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1.000 160 µA Abilitare Positivo 800 mA 1,9 V - 1 0,25 V a 300 mA 50dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
RP109K181B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109K181B-TR 0,2700
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ECAD 7810 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto RP109 5,25 V Fisso DFN(PL)0808-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 70 µA Abilitare Positivo 150mA 1,8 V - 1 0,48 V a 150 mA 75dB (1kHz) Sovracorrente
R1225N302D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1225N302D-TR-FE 0,7950
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ECAD 6252 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale SOT-23-6 R1225 PWM SOT-23-6W scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Diminuzione 2,3 V ~ 18,5 V 1 Buck 500kHz Abilitare Positivo 1 100% NO NO -
NJM2120M-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2120M-TE2 -
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ECAD 9366 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm) 2,3 mA - 2 8-DMP scaricamento OBSOLETO 2.000 2,2 V/μs 50 mA Scopo generale 7 MHz 80 nA 800 µV 5 V 36 V
RP173K171D5-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173K171D5-TR 0,1800
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ECAD 5510 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173x Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale Piazzola esposta 4-UDFN RP173 11V Fisso DFN(PL)1010-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 3,7μA Abilitare Positivo 150mA 1,75 V - 1 2,23 V a 150 mA 30dB (1kHz) Sovracorrente, corrente inversa
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock