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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S26KS256SDABHI030 | 10.0975 |  | 8124 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | HyperFlash™KS | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-VBGA | S26KS256 | FLASH-NOR | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-FBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1.690 | 100 MHz | Non volatile | 256Mbit | 96 ns | FLASH | 32Mx8 | Parallelo | - | ||
 | MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E | 3.5100 | | 948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F1G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | - | ||||
 | CY7C1270V18-375BZI | - | | 3038 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1270 | SRAM: sincronismo, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (15x17) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 375 MHz | Volatile | 36Mbit | SRAM | 1Mx36 | Parallelo | - | |||
 | S29GL128S11TFA020 | - | | 5815 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Automobilistico, AEC-Q100, GL-S | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | S29GL128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | Non volatile | 128Mbit | 110 n | FLASH | 8Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
 | CY7C185-20PXC | - | | 7699 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 28 DIP (0,300", 7,62 mm) | CY7C185 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 450 | Volatile | 64Kbit | 20 ns | SRAM | 8K×8 | Parallelo | 20ns | |||
 | BR25H128F-5ACE2 | 0,8200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2.500 | 20 MHz | Non volatile | 128Kbit | EEPROM | 16K×8 | SPI | 3,5 ms | |||||||
 | DS28E02P-W10+7 | - | | 7036 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -20°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 6-SMD, cavo J | DS28E02 | EEPROM | 1,75 V ~ 3,65 V | 6-TSOC | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 175-DS28E02P-W10+7TR | OBSOLETO | 4.000 | Non volatile | 1Kbit | 2 µs | EEPROM | 256×4 | 1-Wire® | 25 ms | ||||
 | AT24C1024B-TH25-B | - | | 8503 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | AT24C1024 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 megahertz | Non volatile | 1Mbit | 550 n | EEPROM | 128K×8 | I²C | 5 ms | ||
| CAT25640YE-GE | 0,3200 | | 8152 | 0.00000000 | onsemi | CAT25640 | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | - | 2156-CAT25640YE-GE | 900 | 5 MHz | Non volatile | 64Kbit | 40 ns | EEPROM | 8K×8 | SPI | 5 ms | |||||||
| DS2431GB+U | - | | 1648 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Striscia | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 2-XDFN | DS2431 | EEPROM | - | 2-SFN (3,5x5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | Non volatile | 1Kbit | 2 µs | EEPROM | 256×4 | 1-Wire® | - | |||
 | 24LC02BT-I/SN | 0,3300 | | 5800 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | 24LC02 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 400 chilocicli | Non volatile | 2Kbit | 900 n | EEPROM | 256×8 | I²C | 5 ms | ||
 | MB85RC64VPNF-G-JNERE1 | 1.7324 | | 6310 | 0.00000000 | Kaga FEI America, Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MB85RC64 | FRAM (RAM ferroelettrica) | 3 V ~ 5,5 V | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 1 megahertz | Non volatile | 64Kbit | FRAM | 8K×8 | I²C | - | |||
| MT53D4G16D8AL-062 PESO:E | - | | 1672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53D4G16 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT53D4G16D8AL-062WT:E | OBSOLETO | 1.190 | 1,6GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 4G×16 | - | - | |||||||
 | S25FL128SAGMFI010 | 4.5800 | | 1 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | FL-S | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | S25FL128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI - I/O quadruplo | - | |||
 | AT24C08D-PUM | 0,5400 | | 1 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TC) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | AT24C08 | EEPROM | 1,7 V ~ 3,6 V | 8-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1611-AT24C08D-PUM | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 megahertz | Non volatile | 8Kbit | 4,5 µs | EEPROM | 1K x 8 | I²C | 5 ms | |
| INT70P0144 | - | | 6419 | 0.00000000 | IBM | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT28EW256ABA1HPC-0SIT | 9.0300 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | MT28EW256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-LBGA (11x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.104 | Non volatile | 256Mbit | 75 ns | FLASH | 32Mx8, 16Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
| IS46LQ32640A-062BLA2 | - | | 4944 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS46LQ32640A-062BLA2 | 136 | 1,6GHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 64Mx32 | LVSTL | - | ||||||
 | MT48LC16M16A2B4-6A IT:G TR | 7.8100 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.000 | 167 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 12ns | ||
| N25Q128A13E1441E | - | | 2313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | N25Q128A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24 BGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 32M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
 | MT41K1G4DA-107:P | - | | 2474 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41K1G4 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 1G x 4 | Parallelo | - | ||
 | CY7C1515AV18-200BZC | - | | 8872 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1515 | SRAM-Sincrono, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (15x17) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | Volatile | 72Mbit | SRAM | 2Mx36 | Parallelo | - | |||
 | MT45V256KW16PEGA-55WT TR | - | | 1543 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | MT45V256KW16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 4Mbit | 55 ns | PSRAM | 256K×16 | Parallelo | 55ns | |||
| MEM-DR480L-SL01-ER24-C | 110.0000 | | 7423 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-MEM-DR480L-SL01-ER24-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CAT24C04YGI | 0,1400 | | 7575 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | CAT24C04 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 chilocicli | Non volatile | 4Kbit | 900 n | EEPROM | 512×8 | I²C | 5 ms | ||
 | 48L640T-I/MNY | - | | 7992 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WFDFN Tampone esposto | 48L640 | EEPROM, SRAM | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-TDFN (2x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 66 MHz | Non volatile | 64Kbit | EERAM | 8K×8 | SPI | - | ||||
| MT49H64M9FM-25E:B TR | - | | 3964 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | MT49H64M9 | DRAM | 1,7 V ~ 1,9 V | 144μBGA (18,5x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 576Mbit | 15 ns | DRAM | 64Mx9 | Parallelo | - | ||
 | CY62157DV30LL-55BVXI | - | | 5745 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | MoBL® | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | CY62157 | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatile | 8Mbit | 55 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallelo | 55ns | |||
 | RM24C256C-LSNI-B | - | | 4701 | 0.00000000 | Tecnologie Adesto | Mavriq™ | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | RM24C256 | CBRAM | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 98 | 1 megahertz | Non volatile | 256Kbit | CBRAM® | Dimensione pagina 64 byte | I²C | 100 µs, 5 ms | |||
 | M27C322-100S1 | - | | 6377 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 42-SDIP (0,600", 15,24 mm) | M27C322 | EPROM-OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | 42-SDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 8542.32.0061 | 13 | Non volatile | 32Mbit | 100 n | EPROM | 2Mx16 | Parallelo | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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