- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MX29GL128EHXCI-90G | 4.8440 |  | 2214 | 0.00000000 | Macronix | MX29GL | Vassoio | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | MX29GL128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | Non volatile | 128Mbit | 90 ns | FLASH | 16Mx8 | Parallelo | 90ns | |||||
| S99FL132KMN4 | - | | 7277 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | - | - | - | - | - | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||
 | AT27C4096-55JU-T | 9.5400 | | 8578 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 44-LCC (conduttore J) | AT27C4096 | EPROM-OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-PLCC (16,6x16,6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0061 | 500 | Non volatile | 4Mbit | 55 ns | EPROM | 256K×16 | Parallelo | - | |||
 | MEM3800-256U1024D-C | 37,5000 | | 5151 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-MEM3800-256U1024D-C | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | AT28HC256-12JU-070 | - | | 2219 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 32-LCC (cavo J) | AT28HC256 | EEPROM | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC (11,43x13,97) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 500 | Non volatile | 256Kbit | 120 n | EEPROM | 32K×8 | Parallelo | 10 ms | |||
 | CY7C144-15AXIT | - | | 6614 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LQFP | CY7C144 | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 64-TQFP (14x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.500 | Volatile | 64Kbit | 15 ns | SRAM | 8K×8 | Parallelo | 15ns | |||
 | CY7C1049CV33-10ZXC | 3.8000 | | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | CY7C1049 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512K×8 | Parallelo | 10ns | |||
 | CYDM256B16-55BVXIT | - | | 9677 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | MoBL® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-VFBGA | CYDM | SRAM: doppia porta, MoBL | 1,7 V ~ 1,9 V, 2,4 V ~ 2,6 V, 3 V ~ 3,6 V | 100-VFBGA (6x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 2.000 | Volatile | 256Kbit | 55 ns | SRAM | 16K×16 | Parallelo | 55ns | |||
 | 70V35L20PF | - | | 2897 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 70V35L | SRAM: doppia porta, asincrona | 3 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 6 | Volatile | 144Kbit | 20 ns | SRAM | 8K×18 | Parallelo | 20ns | |||
 | IS61NVF51236B-7.5TQLI | 17.2425 | | 3433 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61NVF51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Volatile | 18Mbit | 7,5 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
| S25FL132K0XMFB013 | - | | 9305 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Massa | Attivo | - | 2156-S25FL132K0XMFB013 | 1 | |||||||||||||||||||||
| S98WS512N0GFW0090E | - | | 5344 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | * | Vassoio | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
| SM662PAC-BEST | 29.9800 | | 5123 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-eMMC® | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 100 LBGA | SM662 | FLASH-NAND (TLC) | - | 100 BGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1984-SM662PAC-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | eMMC | - | |||
 | MR4A08BYS35R | 31.6650 | | 1539 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MR4A08 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 16Mbit | 35 ns | RAM | 2Mx8 | Parallelo | 35ns | |||
 | 71V65903S80PFG | 16.6165 | | 2349 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V65903 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | Volatile | 9Mbit | 8 ns | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | |||
 | AT28C16-15PI | - | | 7519 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Foro passante | 24 DIP (0,600", 15,24 mm) | AT28C16 | EEPROM | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-PDIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 16 | Non volatile | 16Kbit | 150 n | EEPROM | 2K×8 | Parallelo | 1ms | |||
| S25FS512SAGMFB010 | - | | 3643 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Massa | Attivo | - | 2156-S25FS512SAGMFB010 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | IS43TR82560D-125KBLI | 4.8403 | | 7160 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | IS43TR82560 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS43TR82560D-125KBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx8 | Parallelo | 15ns | |
| 5962-9161704MYA | - | | 8239 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -55°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 84-Pacchetto piatto | 5962-9161704 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-FCONFEZIONE | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 800-5962-9161704MYA | OBSOLETO | 6 | Volatile | 128Kbit | 55 ns | SRAM | 8K×16 | Parallelo | 55ns | |||
 | W25Q256JVBIQ TR | 2.5552 | | 4414 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | W25Q256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 133 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 3ms | |||
| S26361-F3843-E617-C | 110.0000 | | 1466 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-S26361-F3843-E617-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 70V06L25PF | - | | 6749 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LQFP | 70V06L | SRAM: doppia porta, asincrona | 3 V ~ 3,6 V | 64-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volatile | 128Kbit | 25 ns | SRAM | 16K×8 | Parallelo | 25ns | |||
 | 24LC02BHT-E/ST | 0,4350 | | 7686 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | 24LC02BH | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 chilocicli | Non volatile | 2Kbit | 900 n | EEPROM | 256×8 | I²C | 5 ms | ||
 | S26KL512SDABHV030 | 12.6525 | | 5298 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | HyperFlash™KL | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-VBGA | S26KL512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-FBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 2832-S26KL512SDABHV030-428 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 100 MHz | Non volatile | 512Mbit | 96 ns | FLASH | 64Mx8 | Parallelo | - | |
 | MTFC4GLGDM-AIT A TR | - | | 6962 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-TFBGA | MTFC4 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MTFC4GLGDM-AITATR | OBSOLETO | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | MMC | - | |||
| 5962-8687504UA | - | | 8047 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Massa | Obsoleto | - | REACH Inalterato | 800-5962-8687504UA | OBSOLETO | 1 | |||||||||||||||||||
| 647869-B21-C | 22.5000 | | 1042 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-647869-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | BR25S320FVT-WE2 | 0,8400 | | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | BR25S320 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP-B | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 20 MHz | Non volatile | 32Kbit | EEPROM | 4K×8 | SPI | 5 ms | |||
 | CY62137CV30LL-55BVXI | - | | 5766 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | MoBL® | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | CY62137 | SRAM-Asincrono | 2,7 V ~ 3,3 V | 48-VFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatile | 2Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 16 | Parallelo | 55ns | |||
 | MX25L1006EZUI-10G | 0,4500 | | 43 | 0.00000000 | Macronix | MX25xxx05/06/08 | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UFDFN | MX25L1006 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USO (2x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 12.000 | 104 MHz | Non volatile | 1Mbit | FLASH | 128K×8 | SPI | 50 µs, 3 ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)