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Memoria(10402)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F1G64D8EK-031AUT:B | 71.3850 |  | 9767 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 441-TFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AUT:B | 1 | 3,2GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 1G x 64 | Parallelo | - | ||||||||
 | MT53E256M32D2FW-046 AAT:B | 15.4950 | | 5679 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-TFBGA | SDRAM - Cellulare LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | scaricamento | 557-MT53E256M32D2FW-046AAT:B | 1 | 2.133GHz | Volatile | 8Gbit | 3,5 ns | DRAM | 256Mx32 | Parallelo | 18ns | |||||||
 | MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR | - | | 7205 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F512G08 | FLASH-NAND (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT29F512G08EBHAFJ4-3T:ATR | OBSOLETO | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | Parallelo | - | |||
| MT62F1G32D2DS-023FAAT:C TR | 31.9350 | | 5872 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023FAAT:CTR | 2.000 | 3,2GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | Parallelo | - | ||||||||
| N25Q128A13ESFA0F | 4.0000 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 8ms, 5ms | ||||||||
| MT53E384M64D4NK-046 PESO:E | - | | 3665 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53E384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | REACH Inalterato | 557-MT53E384M64D4NK-046WT:E | OBSOLETO | 119 | 2.133GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 384Mx64 | - | - | ||||||||
| MT29F8T08EWLCEM5-QJ:C | 242.1750 | | 9688 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F8T08EWLCEM5-QJ:C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F8G08ADBFAH4-AAT:F TR | 8.2061 | | 5336 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F8G08 | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT29F8G08ADBFAH4-AAT:FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 8Gbit | FLASH | 1G x 8 | Parallelo | - | |||
| MT29F512G08EBLEEJ4-QJ:E | 13.2450 | | 6614 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QJ:E | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F3G32D8DV-023AUT:B | 109.0500 | | 2781 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | -40°C ~ 125°C | - | - | SDRAM-LPDDR mobile5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-023AUT:B | 1 | 4.266GHz | Volatile | 96Gbit | DRAM | 3G×32 | Parallelo | - | ||||||||
| MTC20C2085S1EC56BAZ | 334.4700 | | 5253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MTC20C2085S1EC56BAZ | 1 | |||||||||||||||||||||
 | PC28F640P30B85E | - | | 8044 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | PC28F640 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 64-EasyBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | Non volatile | 64Mbit | 85 ns | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | 85ns | ||
 | N25Q032A13ESC40F TR | - | | 9737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | N25Q032A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 8M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
 | JS28F640J3F75D TR | - | | 2039 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JS28F640J3 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | Non volatile | 64Mbit | 75 ns | FLASH | 8Mx8, 4Mx16 | Parallelo | 75ns | ||||
 | MT40A4G4DVN-068H:E | - | | 8206 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (7,5x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 557-MT40A4G4DVN-068H:E | OBSOLETO | 210 | 1.467GHz | Volatile | 16Gbit | 27 ns | DRAM | 4G×4 | Parallelo | - | |||
 | MT53E128M32D2DS-046 AIT:A TR | - | | 8654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT53E128M32D2DS-046AIT:ATR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 128Mx32 | - | - | |||
| M58WR032KB70ZB6Z | - | | 3540 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-VFBGA | M58WR032 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 56-VFBGA (7,7x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 336 | 66 MHz | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 2Mx16 | Parallelo | 70ns | ||
| MT47H256M8EB-25E XIT:C | - | | 7469 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (9x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1.320 | 400 MHz | Volatile | 2Gbit | 400 CV | DRAM | 256Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR | - | | 5400 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 152-VBGA | MT29F128G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-VBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT29F128G08AEEBBH6-12:BTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | Parallelo | - | |||
 | MT40A512M16TB-062E IT:R | - | | 5681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13) | scaricamento | REACH Inalterato | 557-MT40A512M16TB-062EIT:R | 1 | 1,6GHz | Volatile | 8Gbit | 19 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | 15ns | ||||||
 | MT58L128L36F1T-8.5C | 5.2200 | | 19 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 4Mbit | 8,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | |||
 | MT57W1MH18BF-7.5 | 23.0000 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | SRAM: sincronismo, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 18Mbit | 500 CV | SRAM | 1Mx18 | HSTL | - | |||
 | MTFC8GLWDQ-3L AITI Z | - | | 4915 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | MTFC8 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 LBGA (14×18) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | MTFC8GLWDQ-3LAITIZ | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 980 | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | MMC | - | ||||
 | MT54W1MH18JF-7.5 | 23.6300 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | QDR™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | SRAM: sincronizzato | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 18Mbit | 500 CV | SRAM | 1Mx18 | HSTL | - | |||
| MT53E1G32D2FW-046 PESO:A TR | 22.0050 | | 7894 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-TFBGA | SDRAM - Cellulare LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046WT:ATR | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | Parallelo | 18ns | ||||||||
| MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR | - | | 1662 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F6T08 | FLASH-NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Non volatile | 6Tbit | FLASH | 768G x 8 | Parallelo | - | |||
| MT53B512M64D4TX-053 PESO ES:C TR | - | | 9887 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 1.866 GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 512Mx64 | - | - | ||||
| MT53D256M64D4NY-046XT:B TR | - | | 9175 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 105°C (TC) | - | - | MT53D256 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 256Mx64 | - | - | |||
| MT40A2G8JE-062E AUT:E | 24.0300 | | 2769 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | -40°C ~ 125°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (9x11) | scaricamento | 557-MT40A2G8JE-062EAUT:E | 1 | 1,6GHz | Volatile | 16Gbit | 19 ns | DRAM | 2G×8 | POD | 15ns | |||||||
 | MT47H64M8JN-25E IT:G | - | | 3165 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | 400 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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