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Memoria(10402)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29W400FT5AZA6F TR | - |  | 4251 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | M29W400 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | Non volatile | 4Mbit | 55 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 55ns | |||
 | MT29F256G08EECDBJ4-5M:D TR | - | | 3349 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F256G08 | FLASH-NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | |||
 | MT41K256M16TW-107 XIT:P TR | 10.6400 | | 12 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (8x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | - | ||
 | MT29C1G12MAADYAMD-5 IT | - | | 5245 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 130-VFBGA | MT29C1G12 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 128 MB x 8 (NAND), 16 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | ||||
 | JS28F512P33BFD | - | | 2334 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JS28F512P33 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Non volatile | 512Mbit | 105 n | FLASH | 32Mx16 | Parallelo | 105ns | ||
 | MT46V16M8P-6T:DTR | - | | 4262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V16M8 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 128Mbit | 700 CV | DRAM | 16Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT29F4G01ABBFD12-ITES:F | - | | 6045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT29F4G01 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 4G×1 | SPI | - | ||||
 | MT53D384M32D2DS-046 AUT:C | - | | 2324 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133GHz | Volatile | 12Gbit | DRAM | 384Mx32 | - | - | ||||
| MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D | - | | 6059 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | MT29VZZZBD8 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1.520 | |||||||||||||||||
| MT53B384M16D1NK-062 PESO ES:B | - | | 3629 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.190 | 1,6GHz | Volatile | 6Gbit | DRAM | 384Mx16 | - | - | |||||
| MT41K512M8DA-107 V:P TR | 7.4400 | | 8442 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | - | ||
| MT53B256M32D1GZ-062 PESO ES:B | - | | 2097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (11x14,5) | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 1,6GHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 256Mx32 | - | - | |||||
 | EDB4064B3PB-8D-FD | - | | 5984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 216-WFBGA | EDB4064 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-WFBGA (12x12) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.680 | 400 MHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 64Mx64 | Parallelo | - | ||||
 | MT48LC4M32LFB5-8:G | - | | 1619 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT48LC4M32 | SDRAM: LPSDR mobile | 3 V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 125 MHz | Volatile | 128Mbit | 7 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
| MT29C2G24MAAAAHAKC-5 IT | - | | 4611 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | MT29C2G24M | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
| JS28F064M29EWLB TR | - | | 8700 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JS28F064M29 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | Non volatile | 64Mbit | 70 ns | FLASH | 8Mx8, 4Mx16 | Parallelo | 70ns | ||||
 | MT28F128J3FS-12ETTR | - | | 5131 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-FBGA | MT28F128J3 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (10x13) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 128Mbit | 120 n | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | - | |||
 | MT29F1G16ABBEAH4:E | - | | 7559 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F1G16 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 64Mx16 | Parallelo | - | ||||
| MT62F4G32D8DV-023FAAT:B | 126.4350 | | 6960 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | -40°C ~ 105°C | - | - | SDRAM-LPDDR mobile5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023FAAT:B | 1 | 4.266GHz | Volatile | 128 Gbit | DRAM | 4G×32 | Parallelo | - | ||||||||
 | MT61K256M32JE-12:A | - | | 4229 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 180-TFBGA | MT61K256 | SGRAM-GDDR6 | 1,31 V ~ 1,39 V | 180-FBGA (12x14) | scaricamento | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.260 | 1,5GHz | Volatile | 8Gbit | RAM | 256Mx32 | Parallelo | - | ||||||
| EDBA164B2PF-1D-FRTR | - | | 3694 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | - | EDBA164 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 533 MHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 256Mx64 | Parallelo | - | |||
| MT29F4G08ABCHC-ET:C TR | - | | 1973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | ||||
| MT53B512M64D4NK-062 PESO ES:C TR | - | | 2895 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 366-WFBGA | MT53B512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 366-WFBGA (15x15) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1,6GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 512Mx64 | - | - | |||
 | MTFC128GASAQJP-AIT | 51.9900 | | 4865 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | MTFC128 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1.520 | 200 MHz | Non volatile | 1Tbit | FLASH | 128G x 8 | eMMC | - | |||||
| MT46H128M16LFB7-5AIT:B | - | | 9273 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-VFBGA | MT46H128M16 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (10x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 2Gbit | 5 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
| MT28F640J3FS-115 INCONTRATO TR | - | | 7885 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-FBGA | MT28F640J3 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (10x13) | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 64Mbit | 115 nn | FLASH | 8Mx8, 4Mx16 | Parallelo | - | |||
| MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR | 2.9665 | | 5767 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F1G08 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT29F1G08ABAFAH4-AAT:FTR | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 1Gbit | 20 ns | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | 20ns | |||
| MT29F4G08ABBDAM60A3WC1TR | - | | 4010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | Morire | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | Morire | - | OBSOLETO | 1.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | ||||||||
| MT41K256M16HA-125M:E | - | | 9957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (9x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Volatile | 4Gbit | 13,75 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | - | ||
 | MTFC32GAPALNA-AIT ES | - | | 4188 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-TBGA | MTFC32G | FLASH-NAND | - | 100 TBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | MMC | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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