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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 3EZ68D2E3/TR8 | - | ![]() | 4174 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ68 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 51,7 V | 68 V | 70 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5919B/TR7 | - | ![]() | 7990 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5919 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 3 V | 5,6 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS18140 | 49.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | MEZZA PAK | Schottky | MEZZA PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 700 mV a 180 A | 4 mA a 40 V | 180A | 7500pF a 5 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5336C/TR13 | - | ![]() | 1396 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5336 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5933E3/TR13 | - | ![]() | 4198 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5933 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 16,7 V | 22 V | 17,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPDS5100H | - | ![]() | 4955 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro tagliato (CT) | Obsoleto | Montaggio superficiale | PowerDI™5 | UPDS5100 | Schottky | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 710 mV a 5 A | 10 µA a 100 V | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5954AP/TR8 | - | ![]() | 2376 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5954 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 121,6 V | 160 V | 700 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5916A/TR13 | - | ![]() | 9452 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5916 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ47D5E3/TR8 | - | ![]() | 8473 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ47 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 35,8 V | 47 V | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 60159 | - | ![]() | 6980 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2608H | - | ![]() | 5562 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT40M70LVFRG | - | ![]() | 5180 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS V® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-264-3, TO-264AA | MOSFET (ossido di metallo) | TO-264 [L] | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 400 V | 57A(Tc) | 10 V | 70 mOhm a 500 mA, 10 V | 4 V a 2,5 mA | 495 nC a 10 V | ±30 V | 8890 pF a 25 V | - | 520 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM100A12STG | - | ![]() | 8310 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | APTM100 | MOSFET (ossido di metallo) | 1250 W | SP3 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (mezzo ponte) | 1000 V (1 kV) | 68A | 120 mOhm a 34 A, 10 V | 5 V a 10 mA | 616nC @ 10V | 17400 pF a 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ130D5 | - | ![]() | 8360 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ130 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 98,8 V | 130 V | 400 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6758 | - | ![]() | 1491 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/542 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-204AA (TO-3) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 200 V | 9A (Tc) | 10 V | 490 mOhm a 9 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 39 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 75 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ68D/TR12 | - | ![]() | 6350 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ68 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 51,7 V | 68 V | 70 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STN1116 | - | ![]() | 6342 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | RoHS non conforme | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT5518BFLLG | - | ![]() | 7059 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS7® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 550 V | 31A(Tc) | 10 V | 180 mOhm a 15,5 A, 10 V | 5 V a 1 mA | 67 nC a 10 V | ±30 V | 3286 pF a 25 V | - | 403 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ140D5/TR12 | - | ![]() | 9230 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ140 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 106,4 V | 140 V | 475 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS1001 | - | ![]() | 5447 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | M174 | 270 W | M174 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 13dB | 18 V | 20A | NPN | 20 a 5 A, 5 V | 30 MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A4815H | - | ![]() | 4336 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5363A/TR12 | - | ![]() | 4496 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5363 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 21,6 V | 30 V | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6629US | - | ![]() | 7060 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | Standard | A-MELF | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 880 V | 1,4 V a 1,4 A | 50 n | 2 µA a 880 V | -65°C ~ 150°C | 1,4A | 40 pF a 10 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ91D2/TR12 | - | ![]() | 3668 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ91 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 69,2 V | 91 V | 125 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5272B (DO-35) | - | ![]() | 4019 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5272 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 84 V | 110 V | 750 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N7236U | - | ![]() | 4385 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/595 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-267AB | MOSFET (ossido di metallo) | TO-267AB | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canale P | 100 V | 18A (Tc) | 10 V | 220 mOhm a 18 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 60 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 125 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4731CP/TR12 | - | ![]() | 8556 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4731 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPT12050D | - | ![]() | 3208 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 50 V | 60A | 800 mV a 120 A | 3 mA a 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FST160100 | - | ![]() | 6066 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Base isolata TO-249AA | Schottky | TO-249 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 80A | 960 mV a 80 A | 2 mA a 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPT30090A | - | ![]() | 4443 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 90 V | 150A | 980 mV a 200 A | 4 mA a 90 V |

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