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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Voltaggio: nominale Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Frequenza Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Corrente nominale (Amp) Corrente-Prova Potenza-Uscita Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Figura di rumore Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Corrente - Dispersione inversa @ Vr Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Tensione - Prova Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Figura di rumore (dB tipo @ f)
2EZ18D10/TR8 Microsemi Corporation 2EZ18D10/TR8 -
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ECAD 2918 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ18 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 13,7 V 18 V 10 Ohm
APTGT20DSK60T3G Microsemi Corporation APTGT20DSK60T3G -
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ECAD 3148 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio SP3 62 W Standard SP3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 Doppio elicottero Buck Sosta sul campo di trincea 600 V 32A 1,9 V a 15 V, 20 A 250 µA 1,1 nF a 25 V
1N5935BG Microsemi Corporation 1N5935BG 3.0300
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ECAD 4506 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±5% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5935 1,25 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 1 µA a 20,6 V 27 V 23 Ohm
JAN2N7227 Microsemi Corporation JAN2N7227 -
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ECAD 7593 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/592 Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori) MOSFET (ossido di metallo) TO-254AA scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 400 V 14A (Tc) 10 V 415 mOhm a 14 A, 10 V 4 V a 250 µA 110 nC a 10 V ±20 V - 4 W (Ta), 150 W (Tc)
MS1512 Microsemi Corporation MS1512 -
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ECAD 9928 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto 200°C (TJ) Telaio, montaggio con perno M122 19,4 W M122 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1 10dB 25 V 1,2A NPN - 860 MHz -
JANTXV2N7228U Microsemi Corporation JANTXV2N7228U -
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ECAD 6190 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/592 Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-267AB MOSFET (ossido di metallo) TO-267AB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 500 V 12A (Tc) 10 V 515 mOhm a 12 A, 10 V 4 V a 250 µA 120 nC a 10 V ±20 V - 4 W (Ta), 150 W (Tc)
2EZ3.9DE3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ3.9DE3/TR12 -
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ECAD 9527 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ3.9 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 30 µA a 1 V 3,9 V 5 Ohm
MSAD70-08 Microsemi Corporation MSAD70-08 -
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ECAD 8356 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio su telaio D1 Standard D1 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di anodo comune 800 V 70A 1,48 V a 200 A 5 mA a 800 V
JAN2N6764T1 Microsemi Corporation JAN2N6764T1 -
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ECAD 2286 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/543 Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori) MOSFET (ossido di metallo) TO-254AA scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 100 V 38A(Tc) 10 V 65 mOhm a 38 A, 10 V 4 V a 250 µA 125 nC a 10 V ±20 V - 4 W (Ta), 150 W (Tc)
APT31N80JC3 Microsemi Corporation APT31N80JC3 -
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ECAD 3316 0.00000000 Microsemi Corporation CoolMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC MOSFET (ossido di metallo) ISOTOP® scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 10 CanaleN 800 V 31A(Tc) 10 V 145 mOhm a 22 A, 10 V 3,9 V a 2 mA 355 nC a 10 V ±20 V 4510 pF a 25 V - 833 W(Tc)
SMBG5947A/TR13 Microsemi Corporation SMBG5947A/TR13 -
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ECAD 8642 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG5947 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 62,2 V 82 V 160 Ohm
1N5915CE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5915CE3/TR13 -
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ECAD 6989 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5915 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 25 µA a 1 V 3,9 V 7,5 Ohm
MS2226H Microsemi Corporation MS2226H -
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ECAD 4414 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1
1PMT5915AE3/TR7 Microsemi Corporation 1PMT5915AE3/TR7 -
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ECAD 2014 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-216AA 1PMT5915 3 W DO-216AA scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 25 µA a 1 V 3,9 V 7,5 Ohm
2EZ140D5 Microsemi Corporation 2EZ140D5 -
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ECAD 7482 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ140 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 106,4 V 140 V 500 ohm
3EZ12D5/TR8 Microsemi Corporation 3EZ12D5/TR8 -
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ECAD 3271 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ12 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 9,1 V 12 V 4,5 Ohm
SMAJ4486E3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ4486E3/TR13 -
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ECAD 9665 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AC, SMA 1,5 W DO-214AC (SMAJ) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 25 nA a 60,4 V 75 V 130 Ohm
2N6782U Microsemi Corporation 2N6782U -
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ECAD 3623 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 18-CLCC MOSFET (ossido di metallo) 18-ULCC (9,14x7,49) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 100 V 3,5 A (TC) 10 V 600 mOhm a 2,25 A, 10 V 4 V a 250 µA 8,1 nC a 10 V ±20 V - 800 mW (Ta), 15 W (Tc)
SMBJ5335C/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5335C/TR13 -
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ECAD 2890 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SMBJ5335 5 W SMBJ (DO-214AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 50 µA a 1 V 3,9 V 2 Ohm
1N5916CPE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5916CPE3/TR8 -
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ECAD 8157 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5916 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 5 µA a 1 V 4,3 V 6 Ohm
1N5386BE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5386BE3/TR12 -
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ECAD 4563 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5386 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 500 nA a 130 V 180 V 430 Ohm
2N2221AUA Microsemi Corporation 2N2221AUA 14.7763
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ECAD 7150 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo -65°C ~ 200°C (TJ) Montaggio superficiale 4-SMD 2N2221 650 mW 4-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 mA 50nA NPN 1 V a 50 mA, 500 mA 40 a 150 mA, 10 V -
2EZ8.2DE3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ8.2DE3/TR8 -
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ECAD 7789 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ8.2 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 5 µA a 6 V 8,2 V 2,3 Ohm
1N5334/TR12 Microsemi Corporation 1N5334/TR12 -
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ECAD 3153 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5334 5 W T-18 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 150 µA a 1 V 3,6 V 2,5 Ohm
ARF440 Microsemi Corporation ARF440 -
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ECAD 6128 0.00000000 Microsemi Corporation - Tubo Obsoleto 150 V TO-247-3 13,56 MHz MOSFET TO-247 d.C scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1 CanaleN 11A 200mA 125 W 21dB - 50 V
3EZ19D5/TR8 Microsemi Corporation 3EZ19D5/TR8 -
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ECAD 3408 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ19 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 14,4 V 19 V 7 Ohm
2EZ6.2D10E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ6.2D10E3/TR8 -
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ECAD 7295 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ6.2 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 5 µA a 3 V 6,2 V 1,5 Ohm
1N5940DG Microsemi Corporation 1N5940DG 8.2950
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ECAD 5239 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±1% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5940 1,25 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 1 µA a 32,7 V 43 V 53 Ohm
2EZ140D2/TR12 Microsemi Corporation 2EZ140D2/TR12 -
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ECAD 6761 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ140 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 106,4 V 140 V 500 ohm
UTV020 Microsemi Corporation UTV020 -
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ECAD 5601 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto 200°C (TJ) Telaio, montaggio con perno 55 piedi 17 W 55 piedi scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 12dB 25 V 1,2A NPN 10 a 250 mA, 5 V 470 MHz~860 MHz -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock