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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Resistenza @ Se, F | Tipo di transistor | Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANS1N4626UR-1/TR | 33.0900 | ![]() | 8589 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TA) | Montaggio superficiale | DO-213AA (vetro) | 500 mW | DO-213AA | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANS1N4626UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 4 V | 5,6 V | 1,4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N4033UB/TR | 21.6524 | ![]() | 4803 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/512 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | 500 mW | UB | - | REACH Inalterato | 150-JAN2N4033UB/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 80 V | 1A | 25nA | PNP | 1 V a 100 mA, 1 A | 100 a 100 mA, 5 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N750CUR-1 | 11.3850 | ![]() | 1065 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/127 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AA (vetro) | 1N750 | 500 mW | DO-213AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 1,5 V | 4,7 V | 19 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APL602J | 89.2900 | ![]() | 9975 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | APL602 | MOSFET (ossido di metallo) | ISOTOP® | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 600 V | 43A(Tc) | 12V | 125 mOhm a 21,5 A, 12 V | 4 V a 2,5 mA | ±30 V | 9000 pF a 25 V | - | 565 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5357CE3/TR8 | 3.3900 | ![]() | 8741 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5357 | 5 W | T-18 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 14,4 V | 20 V | 3 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N6076 | 21.0300 | ![]() | 4368 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/503 | Massa | Attivo | Foro passante | A, assiale | 1N6076 | Standard | A-PAK | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 1,76 V a 18,8 A | 30 ns | 5 µA a 50 V | -65°C ~ 155°C | 1,3 A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5232A | 1.6350 | ![]() | 4605 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | Morire | 500 mW | Morire | - | REACH Inalterato | 150-CD5232A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 5 µA a 3 V | 5,6 V | 11 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6027UR-1/TR | 3.7400 | ![]() | 8721 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AA | 500 mW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1,1 V a 200 mA | 130 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5967 | 613.4700 | ![]() | 2643 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio a perno | TO-211MB, TO-63-4, Perno | 220 W | TO-63 | - | REACH Inalterato | 150-2N5967 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 40A | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4046R | 158.8200 | ![]() | 5839 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | Montaggio a perno | DO-205AB, DO-9, Prigioniero | Standard, polarità inversa | DO-205AB (DO-9) | scaricamento | REACH Inalterato | 150-1N4046R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 150 V | 1,3 V a 300 A | 75 µA a 150 V | -65°C ~ 190°C | 275A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT3150 | 63.7050 | ![]() | 6221 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | Foro passante | TO-204AA, TO-3 | Standard | TO-204AA (TO-3) | - | REACH Inalterato | 150-UFT3150 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 500 V | 1,1 V a 15 A | 50 n | 15 µA a 500 V | -65°C ~ 175°C | 30A | 115 pF a 10 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT40GP90J | 39.4100 | ![]() | 8312 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | POWERMOS7® | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | APT40GP90 | 284 W | Standard | ISOTOP® | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | P.T | 900 V | 68A | 3,9 V a 15 V, 40 A | 250 µA | NO | 3,3 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N3289 | - | ![]() | 4072 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/246 | Massa | Attivo | Montaggio a perno | DO-205AA, DO-8, Prigioniero | Standard | DO-205AA (DO-8) | - | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,55 V a 310 A | 10 mA a 200 V | -65°C ~ 200°C | 100A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N4484CUS | 283.8300 | ![]() | 3571 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1,5 W | D-5A | - | REACH Inalterato | 150-JANS1N4484CUS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 250 nA a 49,6 V | 62 V | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5084 | 23.4000 | ![]() | 5914 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | Assiale | 3 W | Assiale | - | REACH Inalterato | 150-1N5084 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N498S | 21.1350 | ![]() | 8721 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | - | REACH Inalterato | 150-2N498S | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPR30/TR7 | 3.3300 | ![]() | 2167 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-216AA | UPR30 | Standard | Powermite | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 300 V | 1,25 V a 1 A | 50 n | 10 µA a 300 V | -55°C ~ 150°C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N4112D-1/TR | 11.7838 | ![]() | 6979 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | DO-35 (DO-204AH) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JAN1N4112D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 50 nA a 13,7 V | 18 V | 100 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1344B | 45.3600 | ![]() | 4160 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | Montaggio a perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | 1N1344 | Standard | DO-4 (DO-203AA) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,3 V a 30 A | 10 µA a 200 V | -65°C ~ 200°C | 16A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5366CE3/TR8 | - | ![]() | 6822 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5366 | 5 W | T-18 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 28,1 V | 39 V | 14 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5385B/TR13 | 1.6650 | ![]() | 6766 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5385 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 122 V | 170 V | 380 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6004UR-1 | 3.5850 | ![]() | 9431 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | 1N6004 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4910 | 90.7200 | ![]() | 6176 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | ±5% | -25°C~100°C | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N4910 | 400 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 12,8 V | 50 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5263C/TR | 6.9150 | ![]() | 6922 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AA | 10 mW | DO-213AA | - | REACH Inalterato | 150-CDLL5263C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 137 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA a 43 V | 56 V | 150 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4113-1/TR | 4.9476 | ![]() | 9428 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N4113-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 50 nA a 14,5 V | 19 V | 150 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2979RB | 40.3200 | ![]() | 3892 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | 1N2979 | 10 W | DO-213AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 2 A | 10 µA a 11,4 V | 15 V | 3 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UM4902C | - | ![]() | 1842 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | Stallone | - | - | REACH Inalterato | 150-UM4902CTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 37,5 W | 3 pF a 100 V, 1 MHz | PIN: singolo | 200 V | 500 mOhm a 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UZ8709 | 22.4400 | ![]() | 5595 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | A, assiale | 1 W | A, assiale | - | REACH Inalterato | 150-UZ8709 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 3 µA a 6,9 V | 9,1 V | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSASC25H15K/TR | - | ![]() | 7246 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | REACH Inalterato | 150-MSASC25H15K/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JTXM19500/469-04 | 464.1150 | ![]() | 5798 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | JTXM19500 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1 |

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