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Prodotti a semiconduttore discreti(5680)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo FET | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di transistor | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BCR5AM-12LA-AA#B00 | 0,8300 |  | 396 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.30.0080 | 396 | ||||||||||||||||||||||||||
 | HZM2.0NBTR-E | 0,1500 | | 13 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | HZM6.2NB3TL-E | 0,1700 | | 29 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
| RD18ES-T1 | 0,0600 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1033-E1-AZ | 0,8000 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | RJK6032DPD-00#J2 | - | | 1319 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | MOSFET (ossido di metallo) | MP-3A | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 600 V | 3A (Ta) | 10 V | 4,3 Ohm a 1,5 A, 10 V | - | 9 nC a 10 V | ±30 V | 285 pF a 25 V | - | 40,3 W(Tc) | ||||||||||
 | RKZ15BKV#P1 | 0,1800 | | 27 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1843-T-AZ | 0,4300 | | 26 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3568-AZ | 2.3700 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 127 | ||||||||||||||||||||||||||
 | HZS6B2LTA-E | 0,1500 | | 10 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| RD6.2E(N)-T2 | 0,0600 | | 10 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.413 | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3105-T1B-A | 0,5000 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | 8P4M-AZ | 1.0000 | | 7996 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| HZ3C1TA | - | | 1971 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | HZ6B1TD-E | 0,1000 | | 18 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| 1SS270J-E | 0,0200 | | 8982 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0070 | 8.500 | ||||||||||||||||||||||||||
| HZM16NB3TR-E | 0,1500 | | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
| HZ9A3TA-E | 0,1100 | | 18 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| RD8.2F(2)-AZ | 1.0000 | | 2075 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | RBA250N10CHPF-4UA02#GB0 | 6.2600 | | 7392 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 175°C | Montaggio superficiale | TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB | MOSFET (ossido di metallo) | TO-263-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 100 V | 250A (Ta) | 10 V | 2,4 mOhm a 125 A, 10 V | 3,8 V a 250 µA | 190 nC a 10 V | ±20 V | 9500 pF a 50 V | - | 1,8 W (Ta), 348 W (Tc) | ||||||||||
| HZM6.2NB2TR-E | 0,1700 | | 61 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | UPA509TA-T2-A | 0,2400 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | TBB1012MMTL-E | 0,3100 | | 54 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
| HZM10NB2JTL-E | - | | 5164 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| HZU2ALL-JTRF-E | 0,1500 | | 57 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ356(0)-T1-AZ | 0,4600 | | 961 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC4957-T1-A | 0,3300 | | 165 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Massa | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-253-4, TO-253AA | 180 mW | SOT-143 | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 11dB | 6V | 30mA | NPN | 75 a 10 mA, 3 V | 12GHz | 1,5 dB a 2 GHz | ||||||||||||||||
 | NP82N055PUG-E1-AY | - | | 4455 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | NP82N055 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-263 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 55 V | 82A(Tc) | 10 V | 5,2 mOhm a 41 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 160 nC a 10 V | ±20 V | 9600 pF a 25 V | - | 1,8 W (Ta), 143 W (Tc) | |||||||||
 | RJL6013DPE-WS#J3 | - | | 7579 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C | Montaggio superficiale | SC-83 | MOSFET (ossido di metallo) | LDPAK | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 600 V | 11A (Ta) | 10 V | 810 mOhm a 5,5 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 38 nC a 10 V | ±30 V | 1.400 pF a 25 V | - | 100 W (Tc) | ||||||||||||
 | RJK0389DPA-WS#J53 | 2.6200 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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