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Prodotti a semiconduttore discreti(26937)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Attuale Voltaggio Tensione - Isolamento Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
MJE170 onsemi MJE170 -
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 ECAD 4976 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-225AA, TO-126-3 MJE170 12,5 W TO-126 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato MJE170OS EAR99 8541.29.0075 500 40 V 3A 100nA (ICBO) PNP 1,7 V a 600 mA, 3 A 50 a 100 mA, 1 V 50 MHz
NTH4L027N65S3F onsemi NTH4L027N65S3F 23.0300
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 ECAD 8005 0.00000000 onsemi FRFET®, SuperFET® III Tubo Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-4 NTH4L027 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 450 CanaleN 650 V 75A (Tc) 10 V 27,4 mOhm a 35 A, 10 V 5 V a 3 mA 259 nC a 10 V ±30 V 7690 pF a 400 V - 595 W(Tc)
1N5231CTR onsemi 1N5231CTR 0,2400
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 ECAD 40 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 200°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5231 500 mW DO-35 - Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,1 V a 200 mA 5 µA a 2 V 5,1 V 17 Ohm
IRLR130ATM onsemi IRLR130ATM -
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 ECAD 6518 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 IRLR13 MOSFET (ossido di metallo) TO-252AA scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 100 V 13A(Tc) 5 V 120 mOhm a 6,5 ​​A, 5 V 2 V a 250 µA 24 nC a 5 V ±20 V 755 pF a 25 V - 2,5 W (Ta), 46 W (Tc)
DTA124EXV3T1 onsemi DTA124EXV3T1 0,0200
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 ECAD 99 0.00000000 onsemi * Massa Attivo DTA124 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000
NTMFD6H840NLT1G onsemi NTMFD6H840NLT1G 1.3008
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 ECAD 4006 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN NTMFD6 MOSFET (ossido di metallo) 3,1 W (Ta), 90 W (Tc) Doppia bandiera 8-DFN (5x6) (SO8FL-doppia) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 2 canali N (doppio) 80 V 14A (Ta), 74A (Tc) 6,9 mOhm a 20 A, 10 V 2 V a 96 µA 32nC a 10 V 2022 pF a 40 V -
SBRB2545CTT4G onsemi SBRB2545CTT4G 1.5300
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 ECAD 296 0.00000000 onsemi Settore automobilistico, AEC-Q101, SWITCHMODE™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SBRB2545 Schottky D²PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 15A 620 mV a 15 A 200 µA a 45 V -65°C ~ 175°C
MUR1100ERLG onsemi MUR1100ERLG 0,5500
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 ECAD 7931 0.00000000 onsemi SWITCHMODE™ Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale MUR1100 Standard Assiale scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1000 V 1,75 V a 1 A 100 n 10 µA a 1000 V -65°C ~ 175°C 1A -
SZ1SMB5956BT3G onsemi SZ1SMB5956BT3G 0,8300
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 ECAD 8266 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SZ1SMB5956 3 W PMI scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 2.500 1,5 V a 200 mA 1 µA a 152 V 200 V 1200 Ohm
BD179G onsemi BD179G -
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 ECAD 3254 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-225AA, TO-126-3 BD179 30 W TO-126 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 500 80 V 3A 100μA (ICBO) NPN 800 mV a 100 mA, 1 A 63 a 150 mA, 2 V 3 MHz
FDMC7672S-F126 onsemi FDMC7672S-F126 -
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 ECAD 3090 0.00000000 onsemi PowerTrench®, SyncFET™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerWDFN FDMC76 MOSFET (ossido di metallo) 8-MLP (3,3x3,3) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 14,8A(Ta) 4,5 V, 10 V 6 mOhm a 14,8 A, 10 V 3 V a 1 mA 42 nC a 10 V ±20 V 2520 pF a 15 V - 2,3 W (Ta), 36 W (Tc)
FDD1600N10ALZ onsemi FDD1600N10ALZ 1.0400
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 ECAD 7 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 FDD1600 MOSFET (ossido di metallo) TO-252AA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 100 V 6,8 A(Tc) 5 V, 10 V 160 mOhm a 3,4 A, 10 V 2,8 V a 250 µA 3,61 nC a 10 V ±20 V 225 pF a 50 V - 14,9 W(Tc)
NVMFS4C01NT1G onsemi NVMFS4C01NT1G 4.9900
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 ECAD 9844 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NVMFS4 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 30 V 49A (Ta), 319A (Tc) 4,5 V, 10 V 0,9 mOhm a 30 A, 10 V 2,2 V a 250 µA 139 nC a 10 V ±20 V 10144 pF a 15 V - 3,84 W (Ta), 161 W (Tc)
FBA42060 onsemi FBA42060 -
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 ECAD 2265 0.00000000 onsemi PFC SPM® 45 Tubo Obsoleto Foro passante Modulo 26-PowerDIP (1,024", 26,00 mm), 23 conduttori IGBT FBA420 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 72 1 fase 20A 600 V 2000 Vrm
SMUN5233T1G onsemi SMUN5233T1G 0,3400
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 ECAD 624 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 SMUN5233 202 mW SC-70-3 (SOT323) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 250 mV a 1 mA, 10 mA 80 a 5 mA, 10 V 4,7 kOhm 47 kOhm
SCH2806-TL-E onsemi SCH2806-TL-E 0,0600
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 ECAD 40 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.21.0095 5.000
FJP2160DTU onsemi FJP2160DTU -
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 ECAD 5280 0.00000000 onsemi ESBC™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 125°C (TJ) Foro passante TO-220-3 FJP216 100 W TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 2832-FJP2160DTU EAR99 8541.29.0095 1.000 800 V 2A 100μA NPN 750 mV a 330 mA, 1 A 20 a 400 mA, 3 V 5 MHz
HUF76445S3ST onsemi HUF76445S3ST -
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 ECAD 7549 0.00000000 onsemi UltraFET™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB HUF76 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 CanaleN 60 V 75A (Tc) 4,5 V, 10 V 6,5 mOhm a 75 A, 10 V 3 V a 250 µA 150 nC a 10 V ±16V 4965 pF a 25 V - 310 W(Tc)
RURD620CCS9A onsemi RURD620CCS9A -
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 ECAD 7245 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 RURD620 Standard TO-252AA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 2.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 200 V 6A 1 V a 6 A 30 ns 100 µA a 200 V -65°C ~ 175°C
FDMD8280 onsemi FDMD8280 -
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 ECAD 7510 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 12-PowerWDFN FDMD82 MOSFET (ossido di metallo) 1 W 12-Potenza3.3x5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 80 V 11A 8,2 mOhm a 11 A, 10 V 4 V a 250 µA 44nC a 10 V 3050 pF a 40 V -
FDB14AN06LA0-F085 onsemi FDB14AN06LA0-F085 -
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 ECAD 7949 0.00000000 onsemi Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB FDB14AN06 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 CanaleN 60 V 67A(Tc) 5 V, 10 V 11,6 mOhm a 67 A, 10 V 3 V a 250 µA 31 nC a 5 V ±20 V 2900 pF a 25 V - 125 W (Tc)
FDPF390N15A onsemi FFDPF390N15A 1.7200
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 ECAD 70 0.00000000 onsemi PowerTrench® Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo FDPF390 MOSFET (ossido di metallo) TO-220F-3 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 150 V 15A (Tc) 10 V 40 mOhm a 15 A, 10 V 4 V a 250 µA 18,6 nC a 10 V ±20 V 1285 pF a 75 V - 22 W (Tc)
MPS650RLRA onsemi MPS650RLRA -
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 ECAD 1253 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) MPS650 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 40 V 2A 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 200 mA, 2 A 75 a 1 A, 2 V 75 MHz
2SC3467E onsemi 2SC3467E 0,1800
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 ECAD 5 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1
SFT1440-E onsemi SFT1440-E -
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 ECAD 1325 0.00000000 onsemi - Borsa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA SFT144 MOSFET (ossido di metallo) IPAK/TP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 500 CanaleN 600 V 1,5A(Ta) 10 V 8,1 Ohm a 800 mA, 10 V - 6,3 nC a 10 V ±30 V 130 pF a 30 V - 1W (Ta), 20W (Tc)
NVMFS5C645NLAFT1G onsemi NVMFS5C645NLAFT1G 1.6100
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 ECAD 3312 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NVMFS5 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 60 V 22A (Ta), 100A (Tc) 4,5 V, 10 V 4 mOhm a 50 A, 10 V 2 V a 250 µA 34 nC a 10 V ±20 V 2200 pF a 50 V - 3,7 W (Ta), 79 W (Tc)
ECH8601M-C-TL-HX onsemi ECH8601M-C-TL-HX -
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 ECAD 7990 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SMD, cavo piatto ECH8601 - 8-CE - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 - 8A(Tj) - - - -
DTA124E onsemi DTA124E 0,0200
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 ECAD 60 0.00000000 onsemi * Massa Attivo DTA124 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.21.0095 1
SZMMBZ5250ELT1G onsemi SZMMBZ5250ELT1G -
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 ECAD 1201 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZMMBZ5250 225 mW SOT-23-3 (TO-236) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 15 V 20 V 25 Ohm
RD0106T-H onsemi RD0106T-H -
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 ECAD 5016 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA RD010 Standard TP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,3 V a 1 A 50 n 10 µA a 600 V 150°C (massimo) 1A -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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