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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FR30D02 | 10.4070 | ![]() | 6600 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR30D02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1 V a 30 A | 200 n | 25 µA a 50 V | -40°C ~ 125°C | 30A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MUR5005 | 17.4870 | ![]() | 1315 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MUR5005GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 1 V a 50 A | 75 ns | 10 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 50A | - | |||||||||||||||||||
![]() | GB2X50MPS17-227 | 98.1200 | ![]() | 116 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | SiC Schottky MPS™ | Tubo | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | GB2X50 | SiC (carburo di silicio) Schottky | SOT-227 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1242-1350 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 2 Indipendente | 1700 V | 136 A (CC) | 1,8 V a 50 A | 0 ns | 50 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||
![]() | GKR71/08 | 12.4659 | ![]() | 6247 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | GKR71 | Standard | DO-5 | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,5 V a 60 A | 10 mA a 800 V | -40°C~180°C | 95A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR60040CTL | - | ![]() | 5280 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Torre Gemella | Schottky | Torre Gemella | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 40 V | 300A | 600 mV a 300 A | 5 mA a 40 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MSRTA60080A | 109.2000 | ![]() | 1305 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MSRTA60080 | Standard | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 800 V | 600 A (CC) | 1,2 V a 600 A | 25 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT20030 | 98.8155 | ![]() | 4408 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRT20030GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 30 V | 100A | 750 mV a 100 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MUR5040R | 17.8380 | ![]() | 1062 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | MUR5040 | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MUR5040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1 V a 50 A | 75 ns | 10 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 50A | - | ||||||||||||||||||
![]() | FR85M05 | 23.1210 | ![]() | 2520 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR85M05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1,3 V a 85 A | 500 n | 25 µA a 100 V | -40°C ~ 125°C | 85A | - | |||||||||||||||||||
![]() | DB156G | 0,2325 | ![]() | 1657 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-EDIP (0,321", 8,15 mm) | DB156 | Standard | DB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | DB156GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1,1 V a 1,5 A | 5 µA a 800 V | 1,5 A | Monofase | 800 V | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N2129AR | 8.9025 | ![]() | 8969 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | 1N2129AR | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1N2129ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 100 V | 1,1 V a 60 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 200°C | 60A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT50080 | - | ![]() | 6336 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRT50080GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 80 V | 250A | 880 mV a 250 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | KBPC3508W | 2.4720 | ![]() | 3114 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, KBPC-W | KBPC3508 | Standard | KBPC-W | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 17,5 A | 5 µA a 800 V | 35A | Monofase | 800 V | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N2128A | 8.9025 | ![]() | 2422 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | 1N2128 | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1N2128AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,1 V a 60 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 200°C | 60A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MSRT150100D | 98.8155 | ![]() | 4880 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MSRT150 | Standard | Tre Torri | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1242-MSRT150100D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 1000 V | 150A | 1,1 V a 150 A | 10 µA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR40035CTL | - | ![]() | 6358 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Torre Gemella | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 35 V | 200A | 600 mV a 200 A | 3 mA a 35 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MSRT20080D | 110.1030 | ![]() | 2563 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | * | Massa | Attivo | MSRT200 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FST7345M | - | ![]() | 9556 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 45 V | 35A | 700 mV a 35 A | 1 mA a 45 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF400200 | - | ![]() | 6322 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 200A | 920 mV a 200 A | 1 mA a 200 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF400150 | - | ![]() | 8788 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 150 V | 200A | 880 mV a 200 A | 1 mA a 150 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3295A | 33.5805 | ![]() | 3779 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-205AA, DO-8, Prigioniero | 1N3295 | Standard | DO-205AA (DO-8) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1N3295AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,5 V a 100 A | 11 mA a 1000 V | -40°C~200°C | 100A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MURH7040R | 49.5120 | ![]() | 1317 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | D-67 | MURH7040 | Standard | D-67 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,3 V a 70 A | 90 ns | 25 µA a 400 V | -55°C ~ 155°C | 70A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT20060 | 102.9600 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRT20060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 60 V | 100A | 800 mV a 100 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MSRT200140D | 110.1030 | ![]() | 5663 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MSRT200 | Standard | Tre Torri | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1242-MSRT200140D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 1400 V | 200A | 1,1 V a 200 A | 10 µA a 1400 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
| MBR3540 | 14.3280 | ![]() | 4148 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Schottky | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 680 mV a 35 A | 1,5 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | 35A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRH12035 | 60.0375 | ![]() | 7925 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | D-67 | Schottky | D-67 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRH12035GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 35 V | 650 mV a 120 A | 4 mA a 20 V | 120A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRT30080R | - | ![]() | 7658 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRT30080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 80 V | 150A | 880 mV a 150 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | KBPC3501W | 2.4720 | ![]() | 7741 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, KBPC-W | KBPC3501 | Standard | KBPC-W | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 17,5 A | 5 µA a 100 V | 35A | Monofase | 100 V | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRT40030L | - | ![]() | 8381 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 30 V | 200A | 580 mV a 200 A | 3 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | G3R350MT12J | 5.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | G3R™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA | G3R350 | SiCFET (carburo di silicio) | TO-263-7 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-G3R350MT12J | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 1200 V | 11A(Tc) | 15 V | 420 mOhm a 4 A, 15 V | 2,69 V a 2 mA | 12 nC a 15 V | ±15 V | 334 pF a 800 V | - | 75 W (Tc) |

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